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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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硅基单片集成激光器

硅基单片集成激光器

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作者：仇超龚谦武爱民高腾盛振甘甫烷赵颖璇李军 201800 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢1048室

本实用新型提供一种硅基单片集成激光器，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制Ge厚度和III‑V族材料... 详细信息

标准号: CN206931836U

本实用新型提供一种硅基单片集成激光器，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度，使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本实用新型利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度，实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本实用新型可提高激光器的热扩散性能。

关键词：本实用新型激光器对准光子器件顶层硅发光层外延层衬底刻蚀集成激光器衬底表面顶层硅层工艺实现硅基单片图形掩膜外延工艺外延生长氧化硅层衬底硅底层硅过渡层热扩散光刻生长制作

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一种具有高占空比的微机械热电堆红外探测器及制作方法

一种具有高占空比的微机械热电堆红外探测器及制作方法

引用

作者：熊斌徐德辉马颖蕾王跃林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种高占空比非致冷热电堆红外探测器的结构及制作方法，其特征在于在采用了L形折叠型热电偶臂设计，摈弃了传统热电堆结构笔直的结构设计，将热电偶臂进行了折叠处理，折叠部分的热电偶臂相互垂直。热电堆结构冷结区(21)固... 详细信息

标准号: CN102322961B

本发明涉及一种高占空比非致冷热电堆红外探测器的结构及制作方法，其特征在于在采用了L形折叠型热电偶臂设计，摈弃了传统热电堆结构笔直的结构设计，将热电偶臂进行了折叠处理，折叠部分的热电偶臂相互垂直。热电堆结构冷结区(21)固定在硅基体(13)上，热电堆结构热结区端(20)固定在红外吸收区(15)上，热电堆结构下方的硅衬底(16)通过硅腐蚀技术去除，而热电堆传感器的热电偶臂(14和12)则通过折叠的方式分布在吸收区四周。本发明微机械热电堆结构可广泛应用于红外探测器、气体传感器和真空传感器等微机电传感器。

关键词：热电偶臂热电堆折叠热电堆红外探测器热电堆传感器微机电传感器微机械热电堆红外探测器红外吸收区气体传感器真空传感器高占空比非致冷硅衬底硅腐蚀硅基体吸收区折叠的折叠型冷结热结去除垂直制作应用

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一种硅柱通孔互连结构及其制作方法

一种硅柱通孔互连结构及其制作方法

引用

作者：熊斌蒋万里徐德辉王跃林马颖蕾 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法，该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片；所述第一硅片和第二硅片键合后形成接触孔部分金属引线的电连接和非接触孔部分金属环的密封结构；所述硅柱通孔和通孔上的金属层结构... 详细信息

标准号: CN106711121A

本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法，该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片；所述第一硅片和第二硅片键合后形成接触孔部分金属引线的电连接和非接触孔部分金属环的密封结构；所述硅柱通孔和通孔上的金属层结构用于电连接，实现真空或气密封装时内部器件及结构与外部的电学互连；所述硅柱通孔外表面金属层用于降低硅柱电阻；所述固体基板上的金属层用于键合工艺，实现器件及结构的真空或气密封装。本发明通过硅柱通孔互连结构，能够优化现有真空或气密封装存在较大台阶时的电连接问题；可以实现真空或气密封装内部结构与器件与外部直接的电连接；完全平面化引线连接，可以实现多层堆叠；可以实现晶圆级的电学连接。

关键词：硅柱通孔气密封装电连接硅片硅片键合互连结构电连接问题金属层结构外表面金属电学连接固体基板键合工艺金属引线密封结构内部器件引线连接大台阶非接触接触孔金属层金属环晶圆级平面化电学外部互连电阻堆叠多层制作优化

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基于液滴冷凝的热电转换能量采集装置及制备方法

基于液滴冷凝的热电转换能量采集装置及制备方法

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作者：车录锋刘超然周晓峰李伟 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于液滴冷凝的热电转换能量采集装置及制备方法，所述热电转换能量采集装置包括散热端、上极板、下极板、传热板和超疏水壁面。所述传热板是具有超强导热能力的金属极板，其下表面与外界废热源相连，用于将外部热能传递... 详细信息

标准号: CN105071698B

本发明提供一种基于液滴冷凝的热电转换能量采集装置及制备方法，所述热电转换能量采集装置包括散热端、上极板、下极板、传热板和超疏水壁面。所述传热板是具有超强导热能力的金属极板，其下表面与外界废热源相连，用于将外部热能传递到传热板上表面的液态水上。能量采集装置的侧壁和顶层内表面均采用超疏水材料，避免传热板上面蒸发的水蒸汽在内壁上冷凝，使水蒸汽集中冷凝在置于顶层内表面的上极板上，上极板与下极板的电介质层上下相对放置。当冷凝在上极板的液滴滴落在电介质层表面时，液滴与电介质层接触界面的电荷会重新分布，并在内外电极两端产生一个瞬时电势差，此电势差实现液滴碰撞发电，可以将外部热能转化为电能。

关键词：冷凝传热板上极板能量采集装置电介质层热电转换电势差内表面水蒸汽下极板顶层液滴电介质层表面超疏水材料导热能力金属极板热能传递热能转化上下相对液滴碰撞重新分布电荷超疏水废热源散热端上表面下表面液态水电极外部壁面侧壁超强制备蒸发发电

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一种石墨烯玻璃及其制备方法

一种石墨烯玻璃及其制备方法

引用

作者：张燕辉于广辉陈志蓥隋妍萍葛晓明邓荣轩梁逸俭胡诗珂 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种石墨烯玻璃及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供第一玻璃，于所述第一玻璃表面形成石墨烯薄膜；2）提供第二玻璃，将所述第二玻璃覆盖于所述石墨烯薄膜上，使得所述石墨烯薄膜夹在所述第一玻璃及第二玻璃之间，所述... 详细信息

标准号: CN106746761A

本发明提供一种石墨烯玻璃及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供第一玻璃，于所述第一玻璃表面形成石墨烯薄膜；2）提供第二玻璃，将所述第二玻璃覆盖于所述石墨烯薄膜上，使得所述石墨烯薄膜夹在所述第一玻璃及第二玻璃之间，所述石墨烯薄膜的尺寸小于所述第一玻璃及第二玻璃的尺寸；3）对所述第一玻璃及第二玻璃进行加热处理，使没被石墨烯薄膜隔开的第一玻璃及第二玻璃粘连，将石墨烯薄膜完全密封于粘连的玻璃之间，获得到石墨烯玻璃。本发明的石墨烯玻璃具备防辐射和加热功能，可以用于玻璃防辐射、除霜、除雾、供暖等。本发明制备的石墨烯玻璃由于石墨烯被玻璃密封，石墨烯的稳定性会得到提升，使用寿命也会明显延长。

关键词：玻璃石墨烯薄膜石墨烯制备防辐射粘连玻璃表面玻璃密封加热处理加热功能使用寿命除霜除雾隔开供暖密封覆盖

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一种基于PDMS材料的微室阵列式数字PCR芯片

一种基于PDMS材料的微室阵列式数字PCR芯片

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作者：毛红菊武振华赵建龙 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

本发明涉及一种基于PDMS材料的微室阵列式数字PCR芯片，所述芯片的材料为PDMS材料，包括进样口、微室阵列和出样口，所述进样口包括样品进样口和水进样口，所述出样口包括样品出样口和水出样口；所述水进样口和水出样口连通位于芯片外... 详细信息

标准号: CN107083326A

本发明涉及一种基于PDMS材料的微室阵列式数字PCR芯片，所述芯片的材料为PDMS材料，包括进样口、微室阵列和出样口，所述进样口包括样品进样口和水进样口，所述出样口包括样品出样口和水出样口；所述水进样口和水出样口连通位于芯片外围的水微室阵列；所述样品进样口和样品出样口通过微管道连通微室阵列中的各反应室。本发明外围的水通道能够防止PCR过程中PCR反应液的蒸发；所设计的自动计数软件能够对芯片结果进行自动计数；本发明能够达到极高的检测灵敏度，实现DNA的单分子检测。

关键词：出样口进样口微室样品进样口芯片连通外围单分子检测检测灵敏度计数软件芯片结果数字PCR 反应室水通道微管道阵列式蒸发出样口进样口微室样品进样口芯片连通数字PCR 反应室微管道阵列式外围

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扭转式微机械磁场传感器及其制备方法

扭转式微机械磁场传感器及其制备方法

引用

作者：熊斌刘松梁亨茂徐德辉 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种扭转式微机械磁场传感器及其制备方法，所述扭转式微机械磁场传感器包括：谐振结构组件；所述谐振结构组件包括：谐振结构、第一绝缘层、感应线圈及驱动电极；所述第一绝缘层位于所述谐振结构表面；所述感应线圈位于所述... 详细信息

标准号: CN106443525A

本发明提供一种扭转式微机械磁场传感器及其制备方法，所述扭转式微机械磁场传感器包括：谐振结构组件；所述谐振结构组件包括：谐振结构、第一绝缘层、感应线圈及驱动电极；所述第一绝缘层位于所述谐振结构表面；所述感应线圈位于所述第一绝缘层表面；所述驱动电极适于以静电驱动方式驱动所述谐振结构，使得所述谐振结构工作时处于扭转谐振模态。本发明的扭转式微机械磁场传感器由于采用静电驱动方式工作，器件的功耗几乎为零，不存在功耗过大而导致的器件温度稳定性问题；由电磁感应定律可知，本发明的扭转式微机械磁场传感器在大范围的磁场测量中都具有极佳的线性度。

关键词：谐振结构磁场传感器扭转绝缘层静电驱动方式感应线圈驱动电极功耗电磁感应定律绝缘层表面温度稳定性磁场测量谐振模态组件包括线性度制备驱动

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相变材料层、相变存储器单元及其制备方法

相变材料层、相变存储器单元及其制备方法

引用

作者：宋志棠丁科元饶峰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括TixTe1-x层及位于所述TixTe1-x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。本发明的相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优... 详细信息

标准号: CN106654005A

本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括Ti_xTe_1-x层及位于所述Ti_xTe_1-x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。本发明的相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优点：所选区间的Sb层，具有很快地相变速度使相变存储器具有皮秒级的擦写操作时间，提高相变存储器的操作速度；所选区间Ti_xTe_1-x层，在高温下仍能保持结构的稳定性，提高超晶格结构整体的热稳定性；Ti_xTe_1-x层与衬底层有更好的粘附性，可以提高器件单元的循环操作次数，延长器件单元的寿命。

关键词：相变材料层相变存储器单元相变存储器器件单元选区超晶格结构热稳定性循环操作制备工艺衬底层写操作粘附性制备兼容

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高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源芯片集成技术

高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源芯片集成技术

引用

作者：卞剑涛端伟元俞健刘正新 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提出了一种高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源集成芯片的制备方法，该方法采用了硅薄膜外延技术，克服了CMOS集成电路和太阳电池对硅材料掺杂浓度要求不同之间的矛盾；太阳电池采用本征非晶硅层/N型非晶硅层/透明导电膜异质结结... 详细信息

标准号: CN104319316B

本发明提出了一种高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源集成芯片的制备方法，该方法采用了硅薄膜外延技术，克服了CMOS集成电路和太阳电池对硅材料掺杂浓度要求不同之间的矛盾；太阳电池采用本征非晶硅层/N型非晶硅层/透明导电膜异质结结构，提高了开路电压和转换效率，有利于提高芯片有效面积和集成度；利用了SOI材料中埋氧层的钝化和光学特性，可以提高薄膜晶硅太阳电池性能。该集成技术中，采用了两次ITO技术，克服了高温热处理对太阳电池性能，特别是开路电压的影响。本发明的制备方法与CMOS工艺具有兼容性，适用于大规模的工业生产。

关键词：晶硅太阳电池开路电压制备本征非晶硅层高温热处理透明导电膜异质结结构高效薄膜光学特性集成技术集成芯片浓度要求外延技术有效面积转换效率集成度硅薄膜硅材料兼容性埋氧层钝化薄膜掺杂芯片能源矛盾

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一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法

一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法

引用

作者：刘正新孟凡英石建华 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种用于制作透明导电氧化物（TCO）薄膜的镀膜设备及镀膜方法，其中，所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点，把两种镀膜有效地融合，针对器件中对TCO薄膜... 详细信息

标准号: CN106340570A

本发明提供一种用于制作透明导电氧化物（TCO）薄膜的镀膜设备及镀膜方法，其中，所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点，把两种镀膜有效地融合，针对器件中对TCO薄膜的不同需求，可以在不暴露大气的条件下，连续制备具有不同光学性质和电学性质的TCO薄膜，获得高速的沉积速率，同时降低薄膜沉积过程中对衬底和器件表面所引起的损伤。本发明尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续、低损伤制备TCO薄膜以及各种薄膜太阳电池中连续制备不同TCO薄膜，且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料。

关键词：镀膜设备溅射镀膜离子镀膜连续制备镀膜透明导电氧化物异质结太阳电池薄膜沉积过程薄膜太阳电池电学性质光学性质器件表面真空设备薄膜硅低损伤高效率晶体硅有效地衬底沉积制备薄膜背面损伤暴露融合制作

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