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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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一种基于体硅加工工艺的微型热电能量采集器的制备方法

一种基于体硅加工工艺的微型热电能量采集器的制备方法

引用

作者：徐德辉吴利青熊斌 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于体硅加工工艺的微型热电能量采集器的制备方法，所述制备方法包括：器件层的制备，先在P型硅上刻蚀深孔，再在深孔中填充热电材料，并通过顶部电连接层实现热电偶对之间的串联，之后通过键合将器件层转移到顶部衬底... 详细信息

标准号: CN105206737B

本发明提供一种基于体硅加工工艺的微型热电能量采集器的制备方法，所述制备方法包括：器件层的制备，先在P型硅上刻蚀深孔，再在深孔中填充热电材料，并通过顶部电连接层实现热电偶对之间的串联，之后通过键合将器件层转移到顶部衬底片，减薄器件层底部的P型硅，制作底部互联，释放器件层P型硅，得到热电偶阵列，最后黏附底部衬底片，即得到微型热电能量采集器。本发明的方法制备的热电能量采集器与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构的热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比垂直结构分立的热电偶臂阵列，可以进一步提高器件的集成度。该方法成本低，可以实现批量化生产。

关键词：器件层制备能量采集器垂直结构热电偶臂微型热电采集器衬底片深孔热电偶阵列传统平面电连接层发电功率接触电阻接触热阻热电材料热电能量体硅加工集成度导热板批量化热电偶分立减薄键合刻蚀黏附填充温差串联互联释放制作生产

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一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法

一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法

引用

作者：郑理程新红宁志军徐大伟沈玲燕王谦张栋梁顾子悦俞跃辉 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏区接触层... 详细信息

标准号: CN107359221A

本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，并在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P⁺区域和N⁺区域；6)在所述顶层硅表面形成量子点。本发明采用SOI作为衬底，并结合量子点制备获得红外探测器，使Si基红外探测系统具有寄生效应小、抗干扰、速度快、功耗低、集成度高、抗单粒子辐照能力强等优点。

关键词：漏区源区接触顶层硅接触层量子点顶层硅表面红外探测器金属电极底层硅衬底制备退火底栅金属电极红外探测系统金属硅化物边缘区域表面沉积沉积金属辐照能力寄生效应接触材料接触界面抗单粒子集成度抗干扰埋氧层异质结功耗刻蚀源区沉积离子激活覆盖

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图像型电子自旋分析器

图像型电子自旋分析器

引用

作者：乔山万维实季福昊 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种图像型电子自旋分析器。所述图像型电子自旋分析器至少包括：散射靶、二维图像型电子探测器、以及电子弯转单元；其中，电子弯转单元用于使入射电子聚焦后弯转第一角度后、以最优入射角聚焦入射至散射靶以及使散射靶散射... 详细信息

标准号: CN104345331B

本发明提供一种图像型电子自旋分析器。所述图像型电子自旋分析器至少包括：散射靶、二维图像型电子探测器、以及电子弯转单元；其中，电子弯转单元用于使入射电子聚焦后弯转第一角度后、以最优入射角聚焦入射至散射靶以及使散射靶散射出的出射电子聚焦后弯转第二角度后、以最优出射角聚焦出射至二维图像型电子探测器，且入射电子的运动轨道与出射电子的运动轨道分离，第一角度及第二角度中至少一者不为0⁰；从而可以分别实现电子自旋分析器初始平面处电子图像到靶平面的第一次二维成像及从靶平面到二维图像型电子探测器平面的第二次二维成像，进而实现电子自旋的多通道测量；而且电子弯转单元的引进可以增加自旋分析器各个组件的几何配置的自由度。

关键词：电子自旋分析器电子探测器二维图像散射靶出射入射弯转电子聚焦二维成像运动轨道平面的后弯聚焦图像多通道测量自旋分析器电子图像电子自旋几何配置出射角入射角散射

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基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法

基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法

引用

作者：熊斌冯端徐德辉马颖蕾陆仲明王跃林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法，其中，所述基于声子晶体的微流控结构至少包括：声子晶体；所述声子晶体至少包括：固体基板，以及设于所述固体基板上的声学波散射结构和声学波控制区域；所述声学波... 详细信息

标准号: CN104084249B

本发明提供一种基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法，其中，所述基于声子晶体的微流控结构至少包括：声子晶体；所述声子晶体至少包括：固体基板，以及设于所述固体基板上的声学波散射结构和声学波控制区域；所述声学波控制区域适于通过设置所述声学波散射结构的形态和分布，来控制所述声学波在所述固体基板表面的传输和分布，以使所述微流体在所述声学波控制区域受到所述声学波的操控。本发明通过在微流控结构中引入声子晶体，能够有效控制声学波的传输和分布；采用该微流控结构的微流控器件，大大提高了声学波的控制效率，同时增加了声学波控制方式的多样性，能够形成独特的声场结构，实现了对微流体进行移动、离心、分离、检测等操作。

关键词：声学波声子晶体微流控结构固体基板控制区域微流控器件散射结构微流体控制方式控制效率有效控制传输和声学操控声场多样性检测移动引入制作

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具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法

具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法

引用

作者：俞健卞剑涛张丽平刘毓成孟凡英刘正新 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表... 详细信息

标准号: CN105895746B

本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层‑金属栅线‑介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。

关键词：金属栅线减反射薄膜介电透明导电层表面异质结太阳电池透明导电层制备太阳电池制造低温后处理三明治结构导电通路低温退火高可靠性光伏结构硅异质结制备工艺低成本晶体硅导电叠层匹配相通覆盖应用

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基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法

基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法

引用

作者：文娇俞文杰刘畅赵清太王曦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一sSOI衬底，所述sSOI衬底的顶层应变硅的厚度为10nm~50nm；2）制作器件区域；3）形成N+源区及N+漏区及应变沟道区；4）于所述sSOI衬底表面形成介质... 详细信息

标准号: CN104713931B

本发明提供一种基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一sSOI衬底，所述sSOI衬底的顶层应变硅的厚度为10nm~50nm；2）制作器件区域；3）形成N+源区及N+漏区及应变沟道区；4）于所述sSOI衬底表面形成介质层；5）形成金属接触开孔，并制作金属接触电极；6）制作电极保护层，并露出栅极传感区域；7）于所述体硅衬底背面制作背栅；8）对栅极传感区域表面进行表面活化修饰。本发明采用应变硅作为沟道，由于应变技术使沟道材料的迁移率增加，得到较高的信噪比；且随着沟道材料的减薄使沟道达到全耗尽状态，其相应器件的亚阈值斜率减小，得到更高的灵敏度。因此本发明的生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。

关键词：生物传感器传感区域沟道材料应变硅制作衬底沟道制备金属接触电极电极保护层亚阈值斜率应变沟道区表面活化衬底背面衬底表面耗尽状态金属接触器件区域生物分子应变技术介质层灵敏度迁移率信噪比顶层背栅减薄减小开孔漏区体硅源区修饰灵敏检测

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纳米孪晶铜再布线的制备方法

纳米孪晶铜再布线的制备方法

引用

作者：李珩罗乐朱春生叶交托徐高卫 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法... 详细信息

标准号: CN104392939B

本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于裸露的种子层表面制备一层纳米孪晶铜再布线层；4）去除光刻胶图形，并腐蚀掉多余的种子层。本发明采用脉冲电镀辅以快速退火处理，依靠脉冲电镀形成的大内应力驱使铜再结晶，形成高密度纳米孪晶再布线。本发明采用的电流密度低，采用当前设备即可，和现有的IC工艺完全兼容，属于圆片级封装工艺，效率高，成本低。制备的纳米孪晶铜综合力学性能优良，可以大幅缩减再布线尺寸到10um左右，且具有较高的热机械可靠性。

关键词：孪晶再布线制备光刻胶图形种子层表面脉冲电镀种子层互联综合力学性能钝化层表面高密度纳米脉冲电镀法圆片级封装快速退火再布线层钝化层热机械再结晶光刻极板去除兼容裸露芯片腐蚀

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一种自适应的触发器加固电路

一种自适应的触发器加固电路

引用

作者：郑云龙桑泽华林敏杨根庆邹世昌 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种自适应的触发器加固电路，包括反相器链，包括多级级联的反相器；锁存器，连接于每级反相器输出端，用于锁存反相器的输出逻辑状态；控制模块，用于控制某个时刻所有锁存器，使每个锁存器保持相对应的反相器输出逻辑状态... 详细信息

标准号: CN106998198A

本发明提供一种自适应的触发器加固电路，包括反相器链，包括多级级联的反相器；锁存器，连接于每级反相器输出端，用于锁存反相器的输出逻辑状态；控制模块，用于控制某个时刻所有锁存器，使每个锁存器保持相对应的反相器输出逻辑状态；计算模块，用于计算逻辑发生变化的反相器个数，并以反相器的传输延时为单位，标定出SET脉冲的宽度；延时滤波模块，用于依据计算模块标定的SET脉冲的宽度，自动设置精确的滤波延时，滤除触发器模块的单粒子瞬态脉冲。本发明可以精确测得不同能量粒子轰击下的单粒子瞬态脉冲宽度，以保证滤波电路延时精确设定，可精确滤除单粒子脉冲，使芯片的加固DFF在获得预计的抗单粒子效果外，面积更优，速度折中代价最小。

关键词：反相器锁存器单粒子瞬态脉冲计算模块输出逻辑标定滤除延时反相器输出端触发器模块传输延时多级级联反相器链计算逻辑抗单粒子控制模块滤波电路能量粒子延时滤波自动设置触发器单粒子自适应脉冲滤波锁存轰击电路芯片保证反相器锁存器计算模块输出逻辑标定单粒子瞬态脉冲触发器模块传输延时多级级联反相器链计算逻辑控制模块延时滤波自动设置触发器输出端自适应滤波滤除锁存延时电路

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一种二阶SBC超导量子干涉梯度计及制作方法

一种二阶SBC超导量子干涉梯度计及制作方法

引用

作者：王会武刘全胜王镇谢晓明 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种二阶SBC超导量子干涉梯度计及制作方法，其特征在于是将二阶多环结构的SQUID梯度芯片与电感线圈集成在一起构成可使用直读电路的二阶多环结构超导自举(Superconducting Bootstrap Circuit,SBC)SQUID梯度计，所构筑的此类... 详细信息

标准号: CN103954918B

本发明涉及一种二阶SBC超导量子干涉梯度计及制作方法，其特征在于是将二阶多环结构的SQUID梯度芯片与电感线圈集成在一起构成可使用直读电路的二阶多环结构超导自举(Superconducting Bootstrap Circuit,SBC)SQUID梯度计，所构筑的此类器件可以利用直读电路来读出器件输出信号，而且由于器件是由宽度很窄的超导薄膜线条构成，降低了地球环境磁场对器件磁通陷入的影响，并且器件仅对二阶梯度磁场有响应，对磁场和一阶梯度磁场不敏感，这些特点大大提高了其在无屏蔽环境磁场中的适应能力和工作稳定性，使其在微弱磁测量中具有极大的应用潜力。

关键词：磁场二阶多环结构梯度计直读电路超导量子干涉工作稳定性超导薄膜地球环境电感线圈读出器件二阶梯度屏蔽环境输出信号应用潜力不敏感磁测量阶梯度磁通自举线条芯片构筑响应制作

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一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法

一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法

引用

作者：陈静黄建强罗杰馨柴展吕凯何伟伟 200050 上海市长宁区长宁区长宁路865号

本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角... 详细信息

标准号: CN106991201A

本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。本发明采用了与主晶体管分立的方式进行参数提取，细化了物理模型中各个区域的敏感参数，提高了参数拟合的准确度，可以准确地拟合出SOI MOSFET受总剂量辐射效应影响时在亚阈值区产生的hump效应，模型以Bin模型卡的形式存在，可以仿真全区域尺寸器件总剂量效应。

关键词：总剂量参数提取等效晶体管模型卡全区域总剂量辐射总剂量效应参数拟合测试数据尺寸器件传输特性集约模型剂量辐照敏感参数模型参数物理模型亚阈值区主晶体管转移特性准确度上边角侧壁场氧单点导出分立拟合细化筛选组数据阈值电压变化测试数据单调减小模型参数数据包括阈值电压总剂量筛选

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