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超导全张量磁梯度测量组件安装误差的标定系统及方法
超导全张量磁梯度测量组件安装误差的标定系统及方法
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作者: 伍俊 李宝清 荣亮亮 袁晓兵 谢晓明 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种超导全张量磁梯度测量组件安装误差的标定系统及方法,包括:标定源及设置于标定源工作区域内的杜瓦、全张量磁梯度测量组件、测控组件、旋转装置、姿态调整装置;全张量磁梯度测量组件固定设置于杜瓦内,包括至少5个测... 详细信息
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一种兰姆波谐振器及其制备方法
一种兰姆波谐振器及其制备方法
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作者: 欧欣 郑鹏程 张师斌 周鸿燕 黄凯 200050 上海市长宁区长宁路865号
本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法,该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层;支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接;第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高... 详细信息
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静态随机存储单元及其制作方法
静态随机存储单元及其制作方法
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作者: 陈静 王硕 王本艳 葛浩 柴展 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法,上拉晶体管和下拉晶体管的源极均嵌有隧穿二极管结构,可以在不增加器件面积的情况下(最终的有效单元面积可小于7.5μm2)有效抑制PDSOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以... 详细信息
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一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法
一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法
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作者: 刘正新 刘文柱 石建华 杜俊霖 韩安军 孟凡英 张丽平 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明涉及一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法。该制备方法包括:将单晶硅片制绒、清洗,在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构;利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽... 详细信息
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一种用于波长相关的3D光开关的微纳结构
一种用于波长相关的3D光开关的微纳结构
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作者: 黄海阳 李伟 周易 甘峰源 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明涉及一种用于波长相关的3D光开关的微纳结构,包括:衬底;两条硅纳米柱子链,平行设置在述衬底上;每条硅纳米柱子链包括高度相同的普通柱和缺陷柱,述普通柱和缺陷柱排成一列,述缺陷柱设置在述硅纳米柱子链末端的第一... 详细信息
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一种气体传感材料及其制备方法和用途
一种气体传感材料及其制备方法和用途
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作者: 许鹏程 王雪晴 李昕欣 陈滢 胡嘉豪 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种气体传感材料及其制备方法和用途,述气体传感器材料包括金属氧化物气敏材料和负载在述金属氧化物气敏材料上的分子筛。本发明中的气体传感材料用于形成氟代烷烃气体检测的传感器的灵敏度非常高。
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聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法
聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法
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作者: 武震宇 刘艺晨 王栎皓 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法,该制备方法包括:提供半导体基底,并于半导体基底的正面依次形成介质层及聚酰亚胺薄膜层;于聚酰亚胺薄膜层上形成阻挡层;于阻挡层上形成第一图形化的光刻胶层,得到薄膜外轮廓... 详细信息
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一种步态分析系统
一种步态分析系统
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作者: 孙立敏 魏雪齐 张月 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种步态分析系统述步态分析系统包括:压力传感器、选择模块和处理模块;压力传感器包括至少3个压力检测单元,各压力检测单元构成阵列结构;处理模块用于接收采集指令,基于采集指令产生采集信号,并对选择模块反馈的... 详细信息
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一种MEMS芯片的封装方法及封装结构
一种MEMS芯片的封装方法及封装结构
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作者: 吴亚明 夏彧虎 凌必赟 王潇悦 周碧青 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明一种MEMS芯片的封装方法及封装结构,该封装方法包括以下步骤:在MEMS晶圆上键合临时封装盖板,其中MEMS晶圆上包括多个间隔排列的MEMS芯片,临时封装盖板底面设有多个间隔排列的封环微结构使得每一MEMS芯片的上方形成一密封空腔... 详细信息
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一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
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作者: 伊艾伦 欧欣 周民 200050 上海市长宁区长宁路865号
本公开涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法,该方法包括:对第一碳化硅衬底进行离子注入,在预设深度形成缺陷层,得到离子注入后的第一碳化硅衬底;对离子注入后的第一碳化硅衬底的表面进行反型掺杂,在表面形成第一绝缘层,得到反型... 详细信息
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