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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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42 篇 mems
40 篇 微电子机械系统
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机构

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746 篇 中国科学院大学
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370 篇 中国科学院上海微...
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140 篇 中国科学院上海微...
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118 篇 中国科学院上海微...
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61 篇 复旦大学
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作者

1,138 篇 宋志棠
601 篇 赵建龙
574 篇 王曦
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416 篇 封松林
394 篇 李昕欣
374 篇 欧欣
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285 篇 孙晓玮
265 篇 卜智勇
253 篇 张苗
236 篇 陈静
229 篇 尤立星
229 篇 金庆辉
228 篇 刘卫丽
226 篇 熊斌
211 篇 王永良
210 篇 张永刚
204 篇 曹俊诚

语言

13,238 篇 中文
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一种基于石墨烯场效应管微区加热的原位生长材料的方法

一种基于石墨烯场效应管微区加热的原位生长材料的方法

引用

作者：王浩敏谢红李蕾王慧山贺立陈令修吴天如邓联文谢晓明江绵恒 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背... 详细信息

标准号: CN104894639B

本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压来调制所述窄边微区结构的电阻，使所述窄边微区结构产生高温；接着，通入反应源，调节背栅电压，使石墨烯加热到材料生长需要的温度，实现石墨烯微区加热的原位材料生长。本发明基于石墨烯场效应管的微区加热原位生长材料方法操作简单，可以实现基于不同尺寸的微区高温加热的前提下，原位生长半导体材料，材料生长区域形状可控。另外，微区加热原位生长材料的制备方法简单，与现有的MOS工艺兼容，便于大规模阵列及图形化制备，均匀性好。

关键词：石墨烯微区加热场效应管微区结构原位生长窄边制备背栅电压材料生长原位材料半导体材料大规模阵列背面设置高温加热均匀性好区域形状电流源反应源加电压图形化电极生长背栅电阻调制可控兼容

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基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法

基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法

引用

作者：郭智慧龙亮杨恒钟少龙 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在... 详细信息

标准号: CN106772752A

本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在键合基底内形成光纤安装孔；5）在半导体基底的第二表面形成光学增透膜；6）刻蚀半导体基底，以形成贯穿半导体基底的通孔；7）在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极，在半导体基底的第二表面形成第二电极；8）释放可动质量块结构；9）在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔，在降低驱动电压的同时，极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。

关键词：半导体基底键合基第一表面光纤安装孔光纤滤波器第二表面通孔波长可调谐光学增透膜可动质量块刻蚀半导体中心质量块第二电极第一电极电源选择静电驱动腔长变化驱动电压高反膜下表面基底键合预设制备释放贯穿

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生物磁图仪探头及心磁图仪

生物磁图仪探头及心磁图仪

引用

作者：鲁丽陈威孔祥燕王毅杨瑞虎 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供的生物磁图仪探头，包括：壳体，所述壳体包括装有第一液态惰性气体的第一容纳部；探头本体，设于所述壳体内；所述探头本体包括出气口、电子部件、以及装有第二液态惰性气体的第二容纳部；其中，所述第一液态惰性气体用于冷... 详细信息

标准号: CN107397544A

本发明提供的生物磁图仪探头，包括：壳体，所述壳体包括装有第一液态惰性气体的第一容纳部；探头本体，设于所述壳体内；所述探头本体包括出气口、电子部件、以及装有第二液态惰性气体的第二容纳部；其中，所述第一液态惰性气体用于冷却所述电子部件；所述第二液态惰性气体的温度高于所述第一液态惰性气体的温度且低于所述出气口处的温度；所述第二容纳部设于所述第一液态惰性气体气化后的第一惰性气体从所述第一容纳部传至所述出气口的传导路径中。本发明提供的生物磁仪探头在液氦与出气口之间设有一液氮夹层，使得液氦蒸发的氦气时经过该液氮层后才到达室温，大幅降低了液氦的蒸发率，且不会产生额外的噪音。

关键词：液态惰性气体出气口容纳液氦电子部件探头本体生物磁探头壳体出气口处传导路径惰性气体液氮夹层液氮层蒸发率氦气气化图仪冷却蒸发噪音体内

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一种广播电视无线网络与宽带移动通信网络融合网络的分布式业务测试方法及系统

一种广播电视无线网络与宽带移动通信网络融合网络的分布式业务测...

引用

作者：房卫东李强赵鲁阳张质懿何为 200050 上海市长宁区长宁路865号

一种广播电视无线网络与宽带移动通信网络融合网络的分布式业务测试方法及系统，包括服务器端及客户端；服务器端通信连接有第一测试设备，客户端通信连接有第二测试设备，包括：第一测试设备发起服务器端测试请求；第二测试设备接收到... 详细信息

标准号: CN107465581A

一种广播电视无线网络与宽带移动通信网络融合网络的分布式业务测试方法及系统，包括服务器端及客户端；服务器端通信连接有第一测试设备，客户端通信连接有第二测试设备，包括：第一测试设备发起服务器端测试请求；第二测试设备接收到测试请求，与第一测试设备建立物理链路连接；第一测试设备与地球同步卫星进行时间同步，通过物理链路发送测试数据包；第二测试设备接收测试数据包并应答，与第一测试设备进行测试通信连接；第一测试设备构建模拟业务数据包；第一测试设备广播发送模拟业务数据包；第一测试设备记录第二测试设备接收业务数据包后发来的地理位置信息和固定时延；第一测试设备根据地理位置信息和固定时延，获取网络性能信息和盲点信息。

关键词：测试设备数据包服务器端地理位置信息测试请求固定时延模拟业务通信连接宽带移动通信网络测试方法及系统地球同步卫星网络性能信息物理链路连接测试数据包分布式业务客户端通信广播电视广播发送接收测试接收业务融合网络时间同步无线网络物理链路客户端构建应答盲点测试发送记录

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一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法

一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法

引用

作者：狄增峰马骏张苗薛忠营贾鹏飞汪子文王刚王曦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法，包括如下步骤：S1：提供一锗基石墨烯，所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯；S2：对所述锗基石墨烯进行离子注入，以在所述石墨烯中产生点缺陷；S3：对所述锗基石墨烯进... 详细信息

标准号: CN106276873A

本发明提供一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法，包括如下步骤：S1：提供一锗基石墨烯，所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯；S2：对所述锗基石墨烯进行离子注入，以在所述石墨烯中产生点缺陷；S3：对所述锗基石墨烯进行退火，以从所述点缺陷处对所述石墨烯进行刻蚀，得到纳米孔。本发明的制备锗基石墨烯纳米孔的方法获得的石墨烯纳米孔具有质量好、尺寸易于调节、不会刻蚀石墨烯等优势。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺。所以本发明的制备方法将能更快地推动石墨烯在单层膜材料上的推广与应用。

关键词：石墨烯锗基纳米孔制备点缺陷衬底刻蚀离子注入技术半导体行业单层膜材料退火退火技术离子成熟应用

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积分电路及所适用的超导量子干涉传感器

积分电路及所适用的超导量子干涉传感器

引用

作者：王永良张国峰徐小峰孔祥燕谢晓明 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种积分电路及所适用的超导量子干涉传感器。根据本发明所述的传感器，在所述积分电路中配置受外部控制信号的选通器，并根据所述控制信号改变所述积分电路，使得所述积分电路能够进行正极性积分、负极性积分、复位和调试中... 详细信息

标准号: CN104345286B

本发明提供一种积分电路及所适用的超导量子干涉传感器。根据本发明所述的传感器，在所述积分电路中配置受外部控制信号的选通器，并根据所述控制信号改变所述积分电路，使得所述积分电路能够进行正极性积分、负极性积分、复位和调试中的一种。由此使超导量子干涉器件能够获得最佳工作参数，并灵活选定工作点，简化了现有超导量子干涉传感器读出电路中的积分电路。

关键词：积分电路传感器超导量子干涉超导量子干涉器件外部控制信号最佳工作参数读出电路控制信号负极性工作点选通器正极性复位调试灵活配置

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微蒸发器、振荡器集成微蒸发器结构及其频率修正方法

微蒸发器、振荡器集成微蒸发器结构及其频率修正方法

引用

作者：杨恒游卫龙张磊王小飞李昕欣 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种微蒸发器、振荡器集成微蒸发器结构及其频率修正方法，包括：微蒸发台、锚点、支撑梁及金属电极；微蒸发台的一面为蒸发面；锚点位于微蒸发台的两侧，且与微蒸发台相隔一定的间距；支撑梁位于微蒸发台与锚点之间，一端与... 详细信息

标准号: CN106803744A

本发明提供一种微蒸发器、振荡器集成微蒸发器结构及其频率修正方法，包括：微蒸发台、锚点、支撑梁及金属电极；微蒸发台的一面为蒸发面；锚点位于微蒸发台的两侧，且与微蒸发台相隔一定的间距；支撑梁位于微蒸发台与锚点之间，一端与微蒸发台相连接，另一端与锚点相连接；支撑梁的尺寸满足如下关系式；金属电极位于锚点的第一表面。微蒸发台通过支撑梁与表面形成有金属电极的锚点相连接，通过调整设定支撑梁的尺寸，使得支撑梁的热容量小、散热少的特性，又微蒸发台及支撑梁的尺寸较小，只需在金属电极表面施加很小的功率即可以使得微蒸发台达到所需的蒸发温度，同时由于支撑梁的绝热作用，锚点处的温度升温较小，不会对器件的稳定性造成影响。

关键词：蒸发台支撑梁锚点金属电极微蒸发器金属电极表面振荡器集成表面形成第一表面频率修正绝热热容量蒸发面散热蒸发相隔施加

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一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法

一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法

引用

作者：闫帅蔡道林薛媛宋志棠陈一峰卢瑶瑶吴磊 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；... 详细信息

标准号: CN107068198A

本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及对单脉冲驱动电压反相的反相器。基于负直流电流及单脉冲驱动电压产生第一、第二脉冲电流源；在单脉冲驱动电压为高电平时，第一脉冲电流源为电容充电；第二脉冲电流源流经负载相变电阻，作为输出驱动电流的高电平信号；在单脉冲电压为低电平时，电容为负载相变电阻供电，使输出驱动电流的下降沿缓慢下降。本发明利用RC放电效应，控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降，以此每个存储单元都能作用在最优SET操作的参数下。

关键词：输出驱动电流脉冲电流源缓慢下降驱动电压相变电阻单脉冲下降沿电容退火相变存储单元单脉冲电压高电平信号产生电路存储单元电流测试电容充电放电效应控制电容脉冲电流优化电路直流电流充放电反相器开关管低电反相高电供电输出驱动电压电容单脉冲脉冲电流源相变电阻退火充电状态放电状态优化电路开关管低电高电漏端源端栅端供电

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存储设备及其数据读写方法

存储设备及其数据读写方法

引用

作者：王月青陈小刚蔡道林宋志棠李喜陈一峰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种存储设备及其数据读写方法，其中，所述存储设备至少包括：相变存储器芯片；耦合到所述相变存储器芯片的相变存储器接口控制模块；耦合到外部设备的SD接口控制模块；以及耦合到所述相变存储器接口控制模块和所述SD接口控... 详细信息

标准号: CN104317753B

本发明提供一种存储设备及其数据读写方法，其中，所述存储设备至少包括：相变存储器芯片；耦合到所述相变存储器芯片的相变存储器接口控制模块；耦合到外部设备的SD接口控制模块；以及耦合到所述相变存储器接口控制模块和所述SD接口控制模块的存储控制器，用于响应来自于所述SD接口控制模块的数据读取或写入命令，并通过所述相变存储器接口控制模块控制对所述相变存储器芯片的读取或写入。本发明的存储设备为基于相变存储器的SD卡，采用相变存储器芯片作为存储介质，可以进行随机读写。另外，相较于FLASH，坏块管理和ECC纠错等操作也更加简单，实现了坏块屏蔽功能，且具有抗疲劳的特点。

关键词：控制模块相变存储器芯片相变存储器接口存储设备耦合到外部设备读取存储控制器相变存储器存储介质坏块管理屏蔽功能数据读取数据读写写入命令抗疲劳读写坏块纠错写入响应

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一种基于稀铋磷化物的中间带太阳能电池结构

一种基于稀铋磷化物的中间带太阳能电池结构

引用

作者：王庶民张立瑶李耀耀王凯 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构，通过在磷化物中掺入少量铋原子，在磷化物禁带内产生新的杂质能带，杂质能带与磷化物导带边和价带边距离可通过改变磷化物中Al、Ga、In元素组分来调控，并在一个较宽的范围... 详细信息

标准号: CN104851932B

本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构，通过在磷化物中掺入少量铋原子，在磷化物禁带内产生新的杂质能带，杂质能带与磷化物导带边和价带边距离可通过改变磷化物中Al、Ga、In元素组分来调控，并在一个较宽的范围内实现理论预期的60％以上的光电转换效率。铋原子引起的杂质能带在室温下有很强的光致发光，证明材料内非辐射复合较少，有利于制作太阳能器件。这种新型中间带太阳能电池结构可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长。与常规的采用量子点作为中间带的技术方案相比，在本发明的电池结构中应变较小，容易补偿或调控，从而增加吸收区厚度以达到对相应波段太阳光的充分吸收，提高转换效率。

关键词：磷化物中间带太阳能电池结构金属有机物化学气相沉积光电转换效率非辐射复合分子束外延太阳能器件电池结构光致发光理论预期证明材料转换效率常规的量子点太阳光吸收区波段调控掺入导带价带禁带生长吸收制作

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