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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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2,990 篇 期刊文献
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- 153 篇 软件工程
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- 24 篇 应用经济学
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6 篇 文学
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主题

86 篇 锂离子电池
78 篇 相变存储器
78 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
60 篇 无线传感器网络
50 篇 soi
44 篇 分子束外延
43 篇 微机电系统
42 篇 镁合金
40 篇 微流控芯片
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35 篇 毫米波
34 篇 传感器
34 篇 电化学性能
33 篇 石墨烯
32 篇 储氢合金
32 篇 mems
31 篇 应用
31 篇 绝缘体上硅
31 篇 无线传感网

机构

10,646 篇 中国科学院上海微...
685 篇 中国科学院大学
500 篇 中国科学院研究生...
374 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
278 篇 上海科技大学
231 篇 上海无线通信研究...
178 篇 上海微小卫星工程...
123 篇 上海大学
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110 篇 上海新傲科技股份...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
60 篇 NOT FOUND
58 篇 复旦大学
56 篇 中国电子技术标准...
54 篇 浙江大学
53 篇 中国科学院超导电...
50 篇 华东师范大学
49 篇 信息功能材料国家...

作者

1,140 篇 宋志棠
573 篇 王曦
532 篇 赵建龙
440 篇 谢晓明
432 篇 王跃林
412 篇 封松林
374 篇 欧欣
321 篇 李昕欣
319 篇 刘波
299 篇 孙晓玮
261 篇 卜智勇
258 篇 张苗
241 篇 陈静
229 篇 尤立星
227 篇 刘卫丽
218 篇 张永刚
216 篇 王永良
205 篇 曹俊诚
197 篇 孔祥燕
193 篇 熊斌

语言

12,652 篇 中文
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6 篇 日文

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双极型功率器件及其制备方法

双极型功率器件及其制备方法

引用

作者：伊艾伦欧欣周民 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请公开了一种双极型功率器件及其制备方法，该方法通过在高质量的碳化硅单晶衬底上的外延层与其中的剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，并与低质量的中间碳化硅衬底进行一次键合；沿剥离层剥离包含碳化硅单晶衬底在内的部分器件结... 详细信息

标准号: CN116741634A

本申请公开了一种双极型功率器件及其制备方法，该方法通过在高质量的碳化硅单晶衬底上的外延层与其中的剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，并与低质量的中间碳化硅衬底进行一次键合；沿剥离层剥离包含碳化硅单晶衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面并对其进行导电处理，形成第二器件结构；将具有双面注入层的硅衬底与倒置的第二器件结构进行二次键合；去掉中间碳化硅衬底并激活键合界面，并制备电极层以形成双极型功率器件。从而在克服硅基制备碳化硅材料困难的基础上，降低碳化硅单片成本，提供了一种用于低成本制备高耐压的双极型功率器件器件的解决方案。

关键词：衬底制备双极型功率器件器件结构碳化硅碳化硅单晶剥离层外延层剥离碳化硅材料后处理剥离表面导电处理一次键合倒置掺杂子低成本第二面电极层高耐压硅衬底激活键注入层次键单片硅基嵌有阱区暴露申请制作

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一种多核并行计算的快速核间数据同步方法

一种多核并行计算的快速核间数据同步方法

引用

作者：王旭陈南希张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种多核并行计算的快速核间数据同步方法，包括：为每两个直接相连的核之间配置缓冲区和缓冲区数据结构，在每个缓冲区数据结构中设置缓冲区写入指示器和缓冲区读取指示器；初始化缓冲区写入指示器和缓冲区读取指示器；所有... 详细信息

标准号: CN111459872B

本发明提供一种多核并行计算的快速核间数据同步方法，包括：为每两个直接相连的核之间配置缓冲区和缓冲区数据结构，在每个缓冲区数据结构中设置缓冲区写入指示器和缓冲区读取指示器；初始化缓冲区写入指示器和缓冲区读取指示器；所有核同时执行读取核间数据和写入核间数据的步骤；重复进行读取核间数据和写入核间数据的步骤。本发明的方法同时配置了缓冲区写入指示器和缓冲区读取指示器，可以减少对预取器和数据缓存进行操作的次数，从而在保证数据正确传递的同时，提高了多核并行计算调度方法的效率。

关键词：缓冲区缓冲区读取写入指示器指示器读取多核并行数据结构写入计算调度数据缓存数据同步初始化预取器配置传递重复保证

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一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器

一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器

引用

作者：刘鸿葆赵瑛璇朱子健甘甫烷 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器，包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入，另一侧连接若干根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，所... 详细信息

标准号: CN116203742A

本发明涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器，包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入，另一侧连接若干根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，所述纳米像素点型结构内设有填充区域，每个所述填充区域内填充的材料为硅、二氧化硅和相变材料中的一种。本发明能够在不增加器件面积的情况下实现分光比的片上调节。

关键词：硅波导层填充条形波导相变材料像素点二氧化硅层功率分配器二氧化硅非对称分光比硅衬底输出

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一种氮化镓HEMT器件及其制备方法

一种氮化镓HEMT器件及其制备方法

引用

作者：伊艾伦欧欣周民 200050 上海市长宁区长宁路865号

本公开涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，在预设深度形成缺陷层，得到离子注入后的第一碳化硅衬底；对离子注入后的第一碳化硅衬底的表面进行反型掺杂，在表面形成第一绝缘层，得到反型... 详细信息

标准号: CN116598203A

本公开涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，在预设深度形成缺陷层，得到离子注入后的第一碳化硅衬底；对离子注入后的第一碳化硅衬底的表面进行反型掺杂，在表面形成第一绝缘层，得到反型掺杂后的第一碳化硅衬底；获取第二碳化硅衬底；将第二碳化硅衬底与反型掺杂后的第一碳化硅衬底进行直接键合，得到第一复合衬底；沿缺陷层对第一复合衬底进行剥离，得到第二复合衬底；对第二复合衬底的表面进行绝缘处理，得到处理后的第二复合衬底；基于处理后的第二复合衬底的制备得到氮化镓HEMT器件。本公开的氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大氮化镓HEMT器件的尺寸。

关键词：衬底碳化硅氮化镓HEMT器件复合制备反型掺杂离子缺陷层绝缘层表面形成绝缘处理直接键合预设剥离

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一种基于光放大器和硅光微腔的激光器

一种基于光放大器和硅光微腔的激光器

引用

作者：武爱民刘晨阳冯大增 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于光放大器和硅光微腔的激光器，包括：衬底；反射型半导体光学放大器，置于所述衬底上，并在光输入侧镀有抗反射膜，在所述光输入侧的对侧镀有高反射膜；基于亚微米SOI平台的光学微腔，置于所述衬底上，并与所述反射... 详细信息

标准号: CN115799983A

本发明涉及一种基于光放大器和硅光微腔的激光器，包括：衬底；反射型半导体光学放大器，置于所述衬底上，并在光输入侧镀有抗反射膜，在所述光输入侧的对侧镀有高反射膜；基于亚微米SOI平台的光学微腔，置于所述衬底上，并与所述反射型半导体光学放大器进行倒装焊耦合。本发明能够提高器件集成度，降低耦合损耗与封装成本。

关键词：衬底反射型半导体光学放大器光输入器件集成度高反射膜光放大器光学微腔抗反射膜耦合损耗激光器耦合倒装焊硅光微腔封装

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一种步态分析系统

一种步态分析系统

引用

作者：孙立敏魏雪齐张月 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种步态分析系统，所述步态分析系统包括：压力传感器、选择模块和处理模块；压力传感器包括至少3个压力检测单元，各压力检测单元构成阵列结构；处理模块用于接收采集指令，基于采集指令产生采集信号，并对选择模块反馈的... 详细信息

标准号: CN117257280A

本发明提供一种步态分析系统，所述步态分析系统包括：压力传感器、选择模块和处理模块；压力传感器包括至少3个压力检测单元，各压力检测单元构成阵列结构；处理模块用于接收采集指令，基于采集指令产生采集信号，并对选择模块反馈的检测信号进行处理；选择模块与处理模块连接，接收采集信号，基于采集信号选中相应的压力检测单元，并为被选中的压力检测单元提供激励；选择模块还将被选中的压力检测单元输出检测信号反馈给处理模块；所述压力传感器基于选择模块的输出信号对测试点进行压力检测。本发明提供一种步态分析系统，快速方便获得病人的多种步态信息，帮助医生准确判断病人病情，制定治疗方案。

关键词：压力检测单元选择模块处理模块步态分析系统压力传感器采集信号采集指令输出检测信号反馈病人病情步态信息检测信号输出信号压力检测阵列结构测试点选中医生治疗帮助制定

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一种兰姆波谐振器及其制备方法

一种兰姆波谐振器及其制备方法

引用

作者：欧欣郑鹏程张师斌周鸿燕黄凯 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高... 详细信息

标准号: CN111431501B

本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜，在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数，减小与低阶模的激发相关的压电常数，从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时，使得低阶模被有效抑制，避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。

关键词：压电膜兰姆波谐振器低阶模压电常数电极层反射层高阶模兰姆波衬底减小通带机电耦合系数滤波器弹性常数定量调控晶体取向谐振频率压电材料压电系数依次层叠有效抑制激发支撑高阶两层制备申请配合保证

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静态随机存储单元及其制作方法

静态随机存储单元及其制作方法

引用

作者：陈静王硕王本艳葛浩柴展 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管的源极均嵌有隧穿二极管结构，可以在不增加器件面积的情况下(最终的有效单元面积可小于7.5μm2)有效抑制PDSOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以... 详细信息

标准号: CN109461732B

本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管的源极均嵌有隧穿二极管结构，可以在不增加器件面积的情况下(最终的有效单元面积可小于7.5μm²)有效抑制PDSOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力。并且本发明的SOI六晶体管SRAM单元的制作方法还具有制造工艺简单、与现有逻辑工艺完全兼容等优点，单元内部采用中心对称结构以及单元之间的共享结构，使其方便形成存储阵列，有利于缩短设计SRAM芯片的周期。

关键词：静态随机存储单元寄生三极管效应晶体管SRAM单元晶体管阈值电压漂移中心对称结构抗噪声能力上拉晶体管隧穿二极管下拉晶体管存储阵列浮体效应共享结构逻辑工艺有效单元有效抑制制造工艺功耗嵌有源极制作兼容

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超导全张量磁梯度测量组件安装误差的标定系统及方法

超导全张量磁梯度测量组件安装误差的标定系统及方法

引用

作者：伍俊李宝清荣亮亮袁晓兵谢晓明 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种超导全张量磁梯度测量组件安装误差的标定系统及方法，包括：标定源及设置于标定源工作区域内的杜瓦、全张量磁梯度测量组件、测控组件、旋转装置、姿态调整装置；全张量磁梯度测量组件固定设置于杜瓦内，包括至少5个测... 详细信息

标准号: CN117250567A

本发明提供一种超导全张量磁梯度测量组件安装误差的标定系统及方法，包括：标定源及设置于标定源工作区域内的杜瓦、全张量磁梯度测量组件、测控组件、旋转装置、姿态调整装置；全张量磁梯度测量组件固定设置于杜瓦内，包括至少5个测量单元，各测量单元基于中心轴线对称分布；测控组件用于读取全张量磁梯度测量组件的输出信号；旋转装置用于控制全张量磁梯度测量组件绕着中心轴线旋转；姿态调整装置用于控制全张量磁梯度测量组件调整姿态。本发明采用分时复用的方式，在特定情况下实现单个测量单元可测量已知标定源产生的全张量磁梯度，以此减少对称构型全张量磁梯度测量组件安装误差参数单次标定的数量，提高标定精度。

关键词：磁梯度测量组件测量单元标定源姿态调整装置安装误差测控组件旋转装置标定杜瓦中心轴线对称读取标定系统对称构型分时复用工作区域固定设置输出信号中心轴线可测量

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一种折射光学元件与超表面复合构型的光学器件

一种折射光学元件与超表面复合构型的光学器件

引用

作者：李伟周易甘峰源黄海阳商祥烁 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种折射光学元件与超表面复合构型的光学器件，光学器件由折射光学元件和超表面级联构成，折射光学元件在目标工作波段内的至少一个波长上的相位分布满足光学器件的成像要求，超表面的相位分布使超表面对折射光学元件在目标... 详细信息

标准号: CN116804776A

本发明提供一种折射光学元件与超表面复合构型的光学器件，光学器件由折射光学元件和超表面级联构成，折射光学元件在目标工作波段内的至少一个波长上的相位分布满足光学器件的成像要求，超表面的相位分布使超表面对折射光学元件在目标工作波段内的色差进行校正，使得在目标工作波段内的不同波长下的电磁波通过光学器件后的相位分布同时满足光学器件的成像要求。本发明的光学器件将折射光学元件与超表面级联成一体，从而实现光学系统的轻量化、集成化要求，同时突破口径与带宽相互制约的瓶颈，能满足实际应用中的口径和带宽要求。

关键词：光学器件折射光学元件工作波段相位分布成像要求波长口径色差表面复合带宽要求光学系统电磁波集成化轻量化构型级联校正带宽瓶颈应用制约

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