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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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- 141 篇 管理科学与工程(可...
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- 24 篇 应用经济学
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主题

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78 篇 太赫兹
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44 篇 微机电系统
44 篇 分子束外延
42 篇 镁合金
40 篇 微流控芯片
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35 篇 毫米波
34 篇 石墨烯
34 篇 传感器
34 篇 电化学性能
32 篇 储氢合金
32 篇 mems
31 篇 应用
31 篇 绝缘体上硅
31 篇 无线传感网

机构

10,650 篇 中国科学院上海微...
686 篇 中国科学院大学
500 篇 中国科学院研究生...
374 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
278 篇 上海科技大学
231 篇 上海无线通信研究...
177 篇 上海微小卫星工程...
123 篇 上海大学
121 篇 上海交通大学
110 篇 上海新傲科技股份...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
60 篇 NOT FOUND
58 篇 复旦大学
56 篇 中国电子技术标准...
54 篇 浙江大学
53 篇 中国科学院超导电...
50 篇 华东师范大学
49 篇 信息功能材料国家...

作者

1,140 篇 宋志棠
573 篇 王曦
532 篇 赵建龙
440 篇 谢晓明
432 篇 王跃林
412 篇 封松林
374 篇 欧欣
321 篇 李昕欣
319 篇 刘波
299 篇 孙晓玮
261 篇 卜智勇
258 篇 张苗
241 篇 陈静
229 篇 尤立星
227 篇 刘卫丽
218 篇 张永刚
216 篇 王永良
205 篇 曹俊诚
197 篇 孔祥燕
193 篇 熊斌

语言

12,659 篇 中文
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量子电流传感器及电流测量方法

量子电流传感器及电流测量方法

引用

作者：陈浩刘启慧谢非彭霄程建功武震宇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种量子电流传感器及电流测量方法，包括：钻石NV传感芯片、聚磁环、激光源、光电转换模块、微波调制解调模块以及磁通调控模块；聚磁环带有一开口用以感应被测导线的磁通；钻石NV传感芯片用以检测开口处的磁通；激光源用于... 详细信息

标准号: CN117129738A

本发明提供一种量子电流传感器及电流测量方法，包括：钻石NV传感芯片、聚磁环、激光源、光电转换模块、微波调制解调模块以及磁通调控模块；聚磁环带有一开口用以感应被测导线的磁通；钻石NV传感芯片用以检测开口处的磁通；激光源用于产生预设波长的激光信号并输出到钻石NV传感芯片；光电转换模块接收反射的荧光信号，并将荧光信号转为电信号传输至微波调制解调模块最终得到解调电压；磁通调控模块基于解调电压得到加载到磁通检测模块的反向磁通，用以维持开口处的磁通。本发明提供了反向磁通从而使得NV色心处感应的磁场一直处于较小的范围内，避免了钻石NV色心难以在大电流磁场下进行检测这一问题，有效拓宽了钻石NV色心测量电流的动态范围。

关键词：磁通钻石传感芯片色心光电转换模块调控模块反向磁通解调电压解调模块微波调制荧光信号激光源聚磁环开口处磁场电流传感器电信号传输测量电流磁通检测电流测量激光信号大电流波长检测加载预设反射量子开口输出

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双目相机自标定方法及系统

双目相机自标定方法及系统

引用

作者：王磊李嘉茂朱冬晨刘衍青张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种双目相机自标定方法及系统，包括：1)获取左右原始图像；2)校正左右原始图像；3)从左右校正图像中提取特征点并匹配；4)统计左右图像纵坐标偏差的平均值，若大于对应阈值则修正估计第一参数组，反复迭代修正，直至小于对... 详细信息

标准号: CN111862235B

本发明提供一种双目相机自标定方法及系统，包括：1)获取左右原始图像；2)校正左右原始图像；3)从左右校正图像中提取特征点并匹配；4)统计左右图像纵坐标偏差的平均值，若大于对应阈值则修正估计第一参数组，反复迭代修正，直至小于对应阈值；5)找到静态物体及车道线；6)处于移动状态时，追踪静态物体的视差及车轮运动信息；7)得到车轮运动距离与静态物体的三维距离变化值的距离偏差及车道线的宽度偏差，若大于对应阈值则修正估计第二参数组，反复迭代校正，直至小于对应阈值，完成自标定。本发明利用实时图像追踪、车体运动信息及车道宽度信息，对内外参进行优化标定，完成图像校正工作，为车体提供准确的三维识别数据。

关键词：静态物体车轮运动反复迭代原始图像参数组车道线自标定修正校正三维追踪车体运动距离变化距离偏差宽度偏差宽度信息实时图像双目相机提取特征图像校正校正图像移动状态左右图像标定车体视差匹配车道优化统计

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一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置

一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置

引用

作者：唐述杰贾旭超郭志强李卓君 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬底... 详细信息

标准号: CN116752096A

本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬底，使其升温至材料生长目标温度；S3：打开双温区热蒸发源的挡板，再开启准分子激光器，利用248nm KrF准分子脉冲激光轰击过渡金属元素靶材，实现TMDC材料的近常压生长，利用两级差分反射式高能电子衍射仪进行实时监测。本发明提供了一种新的TMDC材料制备思路，改进MBE设备的主体构造，增加薄膜生长控制的两个新维度：压力与氛围，实现了TMDC材料的近常压生长。

关键词：常压生长反射式高能电子衍射仪准分子脉冲激光过渡金属元素准分子激光器激光加热器挡板薄膜生长材料生长材料制备氛围气体光纤耦合加热目标气体氛围热蒸发源实时监测主体构造可调的双温区级差靶材衬底维度轰击体内改进

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一种复合粉体及其制备方法和在散热涂层中的应用

一种复合粉体及其制备方法和在散热涂层中的应用

引用

作者：曾宪喆丁古巧何朋 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种复合粉体，其包括石墨烯和二氧化硅微球，所述石墨烯和所述二氧化硅微球之间通过化学键结合在一起，所述石墨烯的平均横向尺寸为5‑30μm，所述二氧化硅微球的粒径为0.5‑20μm。本发明还涉及上述复合粉体的制备方法及其在... 详细信息

标准号: CN114874656B

本发明涉及一种复合粉体，其包括石墨烯和二氧化硅微球，所述石墨烯和所述二氧化硅微球之间通过化学键结合在一起，所述石墨烯的平均横向尺寸为5‑30μm，所述二氧化硅微球的粒径为0.5‑20μm。本发明还涉及上述复合粉体的制备方法及其在散热涂层中的应用，其应用包括：通过复合粉体提供散热涂料，然后使散热涂料形成散热涂层。根据本发明的复合粉体，二氧化硅微球不仅可以提高涂料的耐热性能，而且可以阻碍石墨烯的团聚、改善石墨烯在涂料中的分散性，还可以改变石墨烯在涂层中的取向分布，增加垂直于基底方向的取向比例，从而使涂层同时拥有优秀的横向和纵向导热性能。

关键词：石墨烯二氧化硅微球复合粉体散热涂层散热涂料取向涂料纵向导热性能化学键结合基底方向耐热性能分散性粒径制备应用团聚垂直阻碍

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基于多层自对准工艺的双栅高频有机晶体管及其制备方法

基于多层自对准工艺的双栅高频有机晶体管及其制备方法

引用

作者：张凯欢于洪权吴阳江 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于多层自对准工艺的双栅高频有机晶体管，包括自下而上依次堆叠的透明衬底、底部栅极、栅极介质层、自对准源漏接触、有机半导体层、绝缘层、和自对准顶部栅极；自对准源漏接触的底面部分与透明衬底接触，部分与栅极介... 详细信息

标准号: CN116916662A

本发明提供一种基于多层自对准工艺的双栅高频有机晶体管，包括自下而上依次堆叠的透明衬底、底部栅极、栅极介质层、自对准源漏接触、有机半导体层、绝缘层、和自对准顶部栅极；自对准源漏接触的底面部分与透明衬底接触，部分与栅极介质层接触，其顶面与有机半导体层接触；自对准源漏接触和所述绝缘层是透明的，自对准源漏接触和所述自对准顶部栅极是以底部栅极作为掩膜进行背面曝光来实现自对准光刻工艺并制作得到的。本发明还提供相应的制备方法。本发明的晶体管在最新的高频平面式有机晶体管基础上将背面曝光和透明材料结合，其源漏接触与上下两个栅极的交叠面积均小于传统光刻，使得器件的工作频率得以提升。

关键词：自对准源漏接触绝缘层有机半导体层有机晶体管栅极介质层背面曝光自对准工艺衬底接触工作频率光刻工艺基础上将透明材料透明平面式透明的晶体管衬底底面顶面堆叠多层光刻交叠双栅掩膜制备制作

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一种基于Pd-Ag合金纳米晶的氢气传感器及其制备方法

一种基于Pd-Ag合金纳米晶的氢气传感器及其制备方法

引用

作者：许鹏程徐东升李昕欣王雪晴于海涛陈滢 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于Pd‑Ag合金纳米晶氢气传感器，包括有金属氧化物敏感材料，所述金属氧化物敏感材料的表面负载有Pd‑Ag合金纳米晶颗粒。本发明进一步提供一种基于Pd‑Ag合金纳米晶的氢气传感器的制备方法及其应用。本发明提供的一种基于... 详细信息

标准号: CN111855756B

本发明提供一种基于Pd‑Ag合金纳米晶氢气传感器，包括有金属氧化物敏感材料，所述金属氧化物敏感材料的表面负载有Pd‑Ag合金纳米晶颗粒。本发明进一步提供一种基于Pd‑Ag合金纳米晶的氢气传感器的制备方法及其应用。本发明提供的一种基于Pd‑Ag合金纳米晶的氢气传感器及其制备方法，能够增强氢气传感器检测氢气的灵敏度，实现协同催化作用，其制备方法简单成熟、易于操作、价格低廉，用途先进、具有现实的应用意义，对易燃易爆气体的检测等有着积极的意义。

关键词：氢气传感器合金纳米制备金属氧化物敏感材料易燃易爆气体催化作用应用意义氢气灵敏度检测协同成熟应用

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一种石墨烯转移方法

一种石墨烯转移方法

引用

作者：姜海涛狄增峰张苗薛忠营田子傲 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种石墨烯转移方法，包括：石墨烯生长、应力层沉积、临时键合胶成膜、衬底贴附、剥离、与目标衬底范德华键合、解键合、清洗、应力层刻蚀。本发明可以获得无掺杂、金属痕迹残留、无破损、无褶皱、原子级平坦的石墨烯，可用... 详细信息

标准号: CN116143111A

本发明涉及一种石墨烯转移方法，包括：石墨烯生长、应力层沉积、临时键合胶成膜、衬底贴附、剥离、与目标衬底范德华键合、解键合、清洗、应力层刻蚀。本发明可以获得无掺杂、金属痕迹残留、无破损、无褶皱、原子级平坦的石墨烯，可用于规模化生产、半导体兼容的石墨烯，具有良好的市场应用前景。

关键词：石墨烯应力层衬底褶皱规模化生产范德华键金属痕迹临时键合市场应用原子级沉积成膜键合可用刻蚀贴附半导体破损清洗剥离掺杂兼容残留平坦生长

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一种基于轻型CNN网络的图像感知、传输方法及系统

一种基于轻型CNN网络的图像感知、传输方法及系统

引用

作者：谭冲孔志恒郑敏刘洪李慧貟超杜大才 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于轻型CNN网络的图像感知、传输方法，应用于终端设备，包括以下步骤：获取表盘图像；获取数显区域坐标信息，所述数显区域坐标信息由云端设备发送，用来标定所述表盘图像中的数字显示区域；基于所述数显区域坐标信息... 详细信息

标准号: CN117252819A

本发明涉及一种基于轻型CNN网络的图像感知、传输方法，应用于终端设备，包括以下步骤：获取表盘图像；获取数显区域坐标信息，所述数显区域坐标信息由云端设备发送，用来标定所述表盘图像中的数字显示区域；基于所述数显区域坐标信息，提取所述表盘图像中的数字显示图像；对所述数字显示图像进行分割，获得各个显示位数的数值图像；将所述数值图像按照所述显示位数依次放入轻型CNN网络，获得数值识别结果；将所述数值识别结果组合成读数并上传至云端设备。通过本发明，能够在终端设备直接生成表盘读数并上传给云端，缓解了云端的识别负担以及变电站窄带通信网络的传输负担，且具有成本低、准确率高的优点。

关键词：表盘图像区域坐标数显数值识别数值图像数字显示云端设备终端设备云端上传图像数字显示区域窄带通信网络表盘读数传输负担图像感知标定准确率放入变电站网络发送传输分割缓解应用

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MOS晶体管老化模型的提取方法

MOS晶体管老化模型的提取方法

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作者：陈静葛浩胡一波任志鹏尹伊哲 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供了一种MOS晶体管老化模型的提取方法，包括如下步骤：建立阈值电压与界面陷阱电荷密度和固定陷阱电荷密度的关系；提取阈值电压与界面陷阱电荷密度的关系；提取恢复过程中界面陷阱积累系数；当器件处于首个应力下，近似忽略... 详细信息

标准号: CN116413566A

本发明提供了一种MOS晶体管老化模型的提取方法，包括如下步骤：建立阈值电压与界面陷阱电荷密度和固定陷阱电荷密度的关系；提取阈值电压与界面陷阱电荷密度的关系；提取恢复过程中界面陷阱积累系数；当器件处于首个应力下，近似忽略固定陷阱电荷，以界面陷阱电荷密度对阈值电压表征；器件处于首个恢复阶段，近似忽略固定电荷贡献，提取界面电荷密度随恢复时间的数值关系；后续应力阶段，提取固定电荷对应力老化阶段的贡献；后续恢复阶段，提取固定电荷对恢复阶段的贡献。本发明根据半导体器件的实际特点，在不同的电压偏置条件下针对不同类型的电荷建立相关模型，具有很好的表征能力，在多次老化循环应力下可以被固定电荷贡献度很好的表征。

关键词：固定电荷界面陷阱电荷阈值电压陷阱电荷恢复近似半导体器件表征能力电压偏置恢复过程界面电荷界面陷阱老化阶段老化模型数值关系循环应力电荷贡献度老化积累

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光伏背板、光伏背板的制作方法及光伏组件

光伏背板、光伏背板的制作方法及光伏组件

引用

作者：刘正新季良俊韩安军 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种光伏背板、光伏背板的制作方法及光伏组件，光伏背板包括从内至外依次设置的胶膜层、内保护层、金属薄膜和外保护层，金属薄膜上开设有若干第一预制孔，胶膜层、内保护层和外保护层上开设有与第一预制孔一一对应的若干第... 详细信息

标准号: CN116435396A

本发明涉及一种光伏背板、光伏背板的制作方法及光伏组件，光伏背板包括从内至外依次设置的胶膜层、内保护层、金属薄膜和外保护层，金属薄膜上开设有若干第一预制孔，胶膜层、内保护层和外保护层上开设有与第一预制孔一一对应的若干第二预制孔，第二预制孔贯穿光伏背板，第二预制孔与第一预制孔的中心相同，且第一预制孔的尺寸大于第二预制孔的尺寸；金属薄膜的尺寸小于胶膜层、内保护层和外保护层的尺寸，且金属薄膜的边缘与胶膜层、内保护层和外保护层的边缘之间具有第一间距。本发明的光伏背板、光伏背板的制作方法以及光伏组件，使金属膜缩进胶膜层和内外保护层内，以避免发生短路，提升运行安全性。

关键词：预制孔背板光伏胶膜层金属薄膜内保护层外保护层光伏组件依次设置保护层金属膜短路缩进制作贯穿

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