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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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44 篇 分子束外延
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35 篇 毫米波
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34 篇 传感器
34 篇 电化学性能
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373 篇 中国科学院上海微...
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作者

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413 篇 封松林
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214 篇 张永刚
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一种具有双向SCR结构的ESD保护器件

一种具有双向SCR结构的ESD保护器件

引用

作者：周墨董业民单毅张振伟 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种具有双向SCR结构的ESD保护器件，包括：第一N阱、第二N阱、P阱和多晶硅层；利用所述多晶硅层进行隔离，通过所述第一P+注入区、所述第一N阱、所述P阱和所述第二N+注入区构成SCR1通路，以及通过所述第三P+注入区、所述第二... 详细信息

标准号: CN111725204B

本发明涉及一种具有双向SCR结构的ESD保护器件，包括：第一N阱、第二N阱、P阱和多晶硅层；利用所述多晶硅层进行隔离，通过所述第一P+注入区、所述第一N阱、所述P阱和所述第二N+注入区构成SCR1通路，以及通过所述第三P+注入区、所述第二N阱、所述P阱和所述第四N+注入区构成SCR2通路，所述SCR1通路和所述SCR2通路为芯片在各个方向的脉冲均提供了保护，本发明所述保护器件实现了单器件对于输入/输出端口的双向ESD保护，减少了完整ESD保护电路所需的器件数，版图面积大大缩减，降低了相应的寄生效应，另外，对于输出信号幅度高于电源电压或低于地线电压的电路，由于存在反偏PN结，亦不会出现漏电。

关键词：注入区多晶硅层输入/输出端口输出信号幅度漏电保护器件地线电压电源电压寄生效应脉冲反偏电路芯片隔离

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基于结构光系统的车底震动测量方法、装置、介质及设备

基于结构光系统的车底震动测量方法、装置、介质及设备

引用

作者：李辰懋吴丽李嘉茂郭远博明伟黄乔中朱冬晨王磊付凤杰张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请提供基于结构光系统的车底震动测量方法、装置、介质及设备，本发明通过标定相机与激光平面的相对位置关系，建立二维激光点与三维空间的映射关系，实时精准地测量列车和轨道的相对位移，并通过跟踪匹配算法实时校准，实现对几何... 详细信息

标准号: CN115979683A

本申请提供基于结构光系统的车底震动测量方法、装置、介质及设备，本发明通过标定相机与激光平面的相对位置关系，建立二维激光点与三维空间的映射关系，实时精准地测量列车和轨道的相对位移，并通过跟踪匹配算法实时校准，实现对几何参数的补偿，解决了目前列车震动测量方法累计误差大、无法校准的问题。

关键词：震动测量三维空间相对位置关系结构光系统测量列车二维激光激光平面几何参数匹配算法实时校准相对位移映射关系校准标定相机列车跟踪轨道申请

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一种配电物联网环境模拟构建系统

一种配电物联网环境模拟构建系统

引用

作者：周明拓李剑郁春波贺文 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种配电物联网环境模拟构建系统，包括低压配电网模拟运行子系统和通信组网模拟运行子系统，所述低压配电网模拟运行子系统用于搭建待模拟配电物联网环境中的各个设备的电气连接；所述通信组网模拟运行子系统用于搭建待模拟... 详细信息

标准号: CN115632729A

本发明涉及一种配电物联网环境模拟构建系统，包括低压配电网模拟运行子系统和通信组网模拟运行子系统，所述低压配电网模拟运行子系统用于搭建待模拟配电物联网环境中的各个设备的电气连接；所述通信组网模拟运行子系统用于搭建待模拟配电物联网环境中的各个设备的通信连接。本发明能够搭建配电物联网关键技术全流程贯穿性仿真测试平台。

关键词：模拟运行配电物联网环境低压配电网通信组网仿真测试平台电气连接构建系统关键技术通信连接贯穿性全流程物联网

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一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置

一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置

引用

作者：唐述杰贾旭超郭志强李卓君 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬底... 详细信息

标准号: CN116752096A

本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬底，使其升温至材料生长目标温度；S3：打开双温区热蒸发源的挡板，再开启准分子激光器，利用248nm KrF准分子脉冲激光轰击过渡金属元素靶材，实现TMDC材料的近常压生长，利用两级差分反射式高能电子衍射仪进行实时监测。本发明提供了一种新的TMDC材料制备思路，改进MBE设备的主体构造，增加薄膜生长控制的两个新维度：压力与氛围，实现了TMDC材料的近常压生长。

关键词：常压生长反射式高能电子衍射仪准分子脉冲激光过渡金属元素准分子激光器激光加热器挡板薄膜生长材料生长材料制备氛围气体光纤耦合加热目标气体氛围热蒸发源实时监测主体构造可调的双温区级差靶材衬底维度轰击体内改进

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一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物

一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物

引用

作者：李程兴周夕淋刘卫丽宋志棠崔紫荆 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物，包括0.1～3.0％氧化剂、0.01～1.0％碱金属添加剂、0.01～2.0％络合剂、0.1～2.0％第一缓蚀剂、0.2～2.0％第二缓蚀剂、0～5％磨料，其余为pH缓冲剂和去离子水。本发明通过碱... 详细信息

标准号: CN116103657A

本发明涉及一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物，包括0.1～3.0％氧化剂、0.01～1.0％碱金属添加剂、0.01～2.0％络合剂、0.1～2.0％第一缓蚀剂、0.2～2.0％第二缓蚀剂、0～5％磨料，其余为pH缓冲剂和去离子水。本发明通过碱金属添加剂的作用促进了化学反应进行可以获得较高的锗硒化学机械抛光速率，同时添加的组合缓腐蚀剂可以使得在静止状态下的腐蚀速率降低，降低抛光后的表面腐蚀坑情形，获得平滑表面，具有良好的综合效果。

关键词：碱金属添加剂缓蚀剂化学机械抛光组合物化学机械抛光化学反应磨料氧化剂表面腐蚀缓腐蚀剂静止状态平滑表面去离子水速率降低综合效果抛光络合剂合金掺杂腐蚀

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一种固态光致发光石墨烯量子点的制备方法

一种固态光致发光石墨烯量子点的制备方法

引用

作者：丁古巧徐安丽杨思维 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种固态光致发光石墨烯量子点的制备方法，包括：将三聚氰胺、前驱体与溶剂混合均匀，形成反应液；其中，前驱体为邻苯二胺、间苯二胺、葡萄糖、二甲氨基甲硼烷中的一种或几种；将反应液加热进行水热反应，冷却至室温，最后... 详细信息

标准号: CN112322284B

本发明涉及一种固态光致发光石墨烯量子点的制备方法，包括：将三聚氰胺、前驱体与溶剂混合均匀，形成反应液；其中，前驱体为邻苯二胺、间苯二胺、葡萄糖、二甲氨基甲硼烷中的一种或几种；将反应液加热进行水热反应，冷却至室温，最后过滤、干燥，得到固态光致发光石墨烯量子点。本发明在室温环境下受紫外光激发时发出明亮的黄绿色荧光；在紫外光激发停止后，仍能持续发出肉眼可辨的绿色磷光或延迟荧光，其衰减寿命可达500ms以上，肉眼可分辨时间可达10s以上。

关键词：紫外光激发光致发光量子点前驱体石墨烯二甲氨基甲硼烷葡萄糖黄绿色荧光间苯二胺邻苯二胺绿色磷光溶剂混合三聚氰胺室温环境衰减寿命水热反应荧光制备加热分辨过滤延迟冷却明亮

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一种谐振式微悬臂梁芯片及其制备方法

一种谐振式微悬臂梁芯片及其制备方法

引用

作者：于海涛李昕欣许鹏程姚方兰李伟 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及微纳传感器技术领域，特别涉及一种谐振式微悬臂梁芯片及其制备方法，包括：固支部和微悬臂梁部，所述微悬臂梁部包括高温区和低温区，所述低温区的一端与所述高温区连接，所述低温区的另一端与所述固支部连接；所述高温区上... 详细信息

标准号: CN111362226B

本发明涉及微纳传感器技术领域，特别涉及一种谐振式微悬臂梁芯片及其制备方法，包括：固支部和微悬臂梁部，所述微悬臂梁部包括高温区和低温区，所述低温区的一端与所述高温区连接，所述低温区的另一端与所述固支部连接；所述高温区上设有加热线圈；所述低温区上设有检测元件；所述高温区和所述低温区之间设有至少一个阻热孔，所述阻热孔贯穿所述微悬臂梁设置。通过在微悬臂梁中部附近区域设计有镂空的阻热孔，将微悬臂梁分为靠近自由端的高温区和靠近固支部的低温区两部分。在高温区设计有加热线圈，可以对微悬臂梁加热；加热线圈可以将梁上高温区加热，而低温区可以保持在低温状态，确保检测元件可以正常工作。

关键词：低温区高温区微悬臂梁加热线圈阻热支部加热微纳传感器谐振低温状态附近区域镂空悬臂梁检测制备芯片贯穿自由

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一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法

一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法

引用

作者：李铁陈栋钦李亚钊王翊刘延祥周宏 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法，利用硅纳米线传感器的电流响应饱和值对标准溶液的电流响应值进行归一化处理，建立硅纳米线传感器对含有目标物溶液的响应标准曲线，利用测试获取所需要的待测样品和标定溶液... 详细信息

标准号: CN116593532A

本发明提供一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法，利用硅纳米线传感器的电流响应饱和值对标准溶液的电流响应值进行归一化处理，建立硅纳米线传感器对含有目标物溶液的响应标准曲线，利用测试获取所需要的待测样品和标定溶液的电流响应值，基于标定后的响应标准曲线确定对应的待测样品浓度，标定测试结果稳定，具有良好的重复性且标定测试过程方便。相比利用其他的标定手段，利用电流响应饱和值标定不用依赖昂贵的设备，标定过程简洁且标定成本低。此外，在标定过程中，不会对硅纳米线传感器的本身造成损害，不影响硅纳米线传感器的使用性能。

关键词：标定硅纳米线传感器电流响应标定过程待测样品响应饱和标准曲线确定归一化处理测试饱和电流标准曲线标准溶液测试过程使用性能目标物损害

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一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法

一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法

引用

作者：李卓芸蔡艳王书晓伯扬 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，由下至上包括衬底、硅波导层、隔离层、铌酸锂层和金属层；其中，所述铌酸锂层由底部slab与上部rib的脊型波导结构组成。本发明降低了整个器件的插入损耗，同时减... 详细信息

标准号: CN116990906A

本发明涉及一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，由下至上包括衬底、硅波导层、隔离层、铌酸锂层和金属层；其中，所述铌酸锂层由底部slab与上部rib的脊型波导结构组成。本发明降低了整个器件的插入损耗，同时减少光在硅波导中传输的材料局限性，如双光子吸收效应等；另外，本器件的铌酸锂波导最小线宽为2um，在保持器件优异性能的情况下，降低了对铌酸锂刻蚀精度的要求，增大了器件对刻蚀工艺的容差。

关键词：铌酸锂脊型波导结构电光调制器双光子吸收铌酸锂波导插入损耗硅波导层混合集成刻蚀工艺优异性能最小线宽隔离层硅波导金属层衬底刻蚀容差制备传输

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一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法

一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法

引用

作者：欧欣石航宁游天桂伊艾伦刘旭冬 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法。该制备方法包括先对氮化镓单晶衬底的顶面进行氧化处理，以形成氧化镓层，并通过离子注入，以及剥离转移、抛光工艺得到抛光后结构，在抛光后结构的氮... 详细信息

标准号: CN116646247A

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法。该制备方法包括先对氮化镓单晶衬底的顶面进行氧化处理，以形成氧化镓层，并通过离子注入，以及剥离转移、抛光工艺得到抛光后结构，在抛光后结构的氮化镓层上依次生长氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，得到第一结构；在第一结构的顶面制备源电极、漏电极和栅电极。上述制备方法得到的氮化镓高电子迁移率晶体管具有器件的击穿电压高、防漏电性能好和散热能力强的特点。

关键词：制备氮化镓高电子迁移率晶体管抛光顶面半导体器件技术铝镓氮势垒层氮化镓单晶氮化镓层击穿电压抛光工艺散热能力氧化处理氮化镓防漏电沟道层漏电极氧化镓源电极栅电极衬底离子剥离生长

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