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作者

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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所、传感技术国家重点实验室"
1123 条 记 录,以下是921-930 订阅
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射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光
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发光学报 2006年 第6期27卷 971-975页
作者: 隋妍萍 于广辉 孟胜 雷本亮 王笑龙 王新中 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的... 详细信息
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Monte Carlo Simulation of Impurity Scattering Effect in Resonant-Phonon-Assisted Terahertz Quantum-Cascade Lasers
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Journal of Semiconductors 2006年 第2期27卷 304-308页
作者: 曹俊诚 吕京涛 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
We study the influence of ionized impurity scattering on the electron transport in resonant-phonon-assisted terahertz (THz) quantum-cascade lasers (QCLs). We treat the ionized impurity scattering rates within the ... 详细信息
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硅晶片双面超精密化学机械抛光
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Journal of Semiconductors 2006年 第z1期27卷 396-399页
作者: 张楷亮 宋志棠 钟旻 郑鸣捷 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术研究室信息功能材料国家重点实验室上海200050
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息
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带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析
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Journal of Semiconductors 2006年 第8期27卷 1431-1435页
作者: 孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 苏树兵 刘新宇 刘训春 钱鹤 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院微电子研究所 北京100029
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs... 详细信息
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悬臂梁式MEMS探卡的设计和制造
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仪表技术传感 2006年 第4期 12-14页
作者: 郭南翔 汪飞 李昕欣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术国家重点实验室 上海200050
集成电路圆片级测试探卡主要应用于芯片分片封装前对芯片电学性能进行初步测量。随着集成电路设计和制造技术的发展,芯片焊盘密度日益增加,电路工作速度不断提高,由此产生的寄生电容和寄生电感效应会对传统测试探卡的正常工作造成影响,... 详细信息
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纳米孔氮化镓材料的制备和研究
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功能材料与器件学报 2006年 第4期12卷 255-258页
作者: 王笑龙 于广辉 雷本亮 隋妍萍 孟胜 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺。用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料。孔的大小和孔间距可以通过改变阳极... 详细信息
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采用阳极氧化铝做掩膜生长氮化镓膜
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功能材料与器件学报 2006年 第6期12卷 509-512页
作者: 雷本亮 于广辉 孟胜 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜。采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于... 详细信息
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Modified Reynolds Equation for Squeeze-Film Air Damping of Slotted Plates in MEMS Devices
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Journal of Semiconductors 2006年 第3期27卷 473-477页
作者: 孙远程 鲍敏杭 杨恒 黄宜平 复旦大学微电子学系专用集成电路国家重点实验室 上海200433 中国科学院上海微系统和信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200030
A differential equation for calculating squeeze-film air damping in slotted plates is developed by modifying the Reynolds equation. A term is added to account for the effect of airflow through the slots on the air dam... 详细信息
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利用基因芯片快速检测多种临床常见致病菌及其耐药性基因
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中华传染病杂志 2006年 第6期24卷 372-377页
作者: 毛红菊 林东昉 徐晓刚 张宏莲 张婴元 汪复 赵建龙 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室 上海200050 复旦大学附属华山医院抗生素研究所
目的快速、准确、灵敏地检测临床常见的致病菌及其耐药基因。方法采用基因芯片技术,利用细菌23S rRNA基因序列信息和某些耐药基因作为检测靶基因,设计针对不同菌属的寡核苷酸探针和耐药基因探针的基因芯片,聚合酶链反应(PCR)扩增... 详细信息
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太赫兹半导体探测器研究进展
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物理 2006年 第11期35卷 953-956页
作者: 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
太赫兹(THz)探测器是THz技术应用的关键器件之一.基于半导体的全固态THz量子阱探测器(THzQWIP)具有探测响应速度快、制作工艺成熟、体积小和易集成等优点.文章简要介绍了THz探测器的分类和特点,重点介绍了THzQWIP的工作原理和研究进展.
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