检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2013年第12期42卷 2589-2594页

作者：孙雷沈鸿烈李金泽吴天如丁古巧朱云谢晓明南京航空航天大学材料科学与技术学院南京211100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的... 详细信息

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;"溶解析出"型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨"块";金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱。

关键词：石墨烯 Cu-In合金化学气相沉积

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低温非晶硅/金圆片键合技术(英文)

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纳米技术与精密工程 2013年第4期11卷 375-378页

作者：刘米丰徐德辉熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文研究了低温非晶硅/金圆片键合技术.具有不同金硅比的键合片在400℃键合温度和1 MPa键合压力下维持30 min,其键合成功区域均高于94%,平均剪切强度均大于10.1 MPa.键合强度测试结果表明键合成品率与金硅比大小无关,平均剪切强度在10～... 详细信息

本文研究了低温非晶硅/金圆片键合技术.具有不同金硅比的键合片在400℃键合温度和1 MPa键合压力下维持30 min,其键合成功区域均高于94%,平均剪切强度均大于10.1 MPa.键合强度测试结果表明键合成品率与金硅比大小无关,平均剪切强度在10～20 MPa范围内.微观结构分析表明键合后单晶硅颗粒随机分布在键合层内,而金则充满其他区域,形成了一个无空洞的键合层.无空洞键合层确保不同金硅比非晶硅/金键合片均具有较高的键合强度,可实现非晶硅/金键合技术在圆片键合领域的应用.

关键词：圆片键合非晶硅金微结构分析键合质量

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基于聚苯胺的pH电极及其在CO2检测中的应用研究

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传感技术学报 2013年第10期26卷 1468-1472页

作者：金妍瞿晓虎陈淼金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 CSIRO Process Science and Engineering Box 312Clayton southVictoria 3169Australia 中国科学院大学北京100049

研制了一种基于聚苯胺（ PANI）的石墨pH电极，并将其成功地应用于CO2的检测中。在苯胺和盐酸的混合液中采用循环伏安法实现苯胺在石墨电极上的电聚合。实验表明，此基于聚苯胺的石墨pH电极在pH 1~pH 12的范围内呈现出很好的响应：-63.8... 详细信息

研制了一种基于聚苯胺（ PANI）的石墨pH电极，并将其成功地应用于CO2的检测中。在苯胺和盐酸的混合液中采用循环伏安法实现苯胺在石墨电极上的电聚合。实验表明，此基于聚苯胺的石墨pH电极在pH 1~pH 12的范围内呈现出很好的响应：-63.80 mV/pH（T=23℃），-65.81 mV/pH（T=48℃）。根据Severinghaus原理，研究了此传感器在pH 4~pH 9内的pH响应情况，证明此聚苯胺修饰的石墨pH电极可被成功地应用于CO2的检测中，此CO2传感器在CO2浓度为0~1000 mbar的范围内，呈现很好的响应特性：S=42.25 mV/pCO2（mbar）=0.61 pH/pCO2（mbar），且线性度为0.9839。因此，所研制的基于PANI的石墨pH电极可应用于生物冶金中pH和CO2的检测中。

关键词： pH电极聚苯胺循环伏安法 CO2 检测生物冶金

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传感器Q值对加速度计量化噪声的影响

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传感器与微系统 2013年第11期32卷 40-43页

作者：李刚车录锋黎晓林王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100039

高品质因数(Q)的加速度计因其具有较低的机械热噪声而适合高性能的振动检测,但Q值过高会带来接口电路的不稳定。为了充分利用传感器的特性优化Sigma-Delta(∑Δ)数字接口电路设计,通过分析加速度计的数字接口电路模型,验证了Q值的变化... 详细信息

高品质因数(Q)的加速度计因其具有较低的机械热噪声而适合高性能的振动检测,但Q值过高会带来接口电路的不稳定。为了充分利用传感器的特性优化Sigma-Delta(∑Δ)数字接口电路设计,通过分析加速度计的数字接口电路模型,验证了Q值的变化对数字量化噪声的影响,并且适当的Q值能降低数字接口电路基带内的量化噪声。设计和测试了基于三明治加速度计的PCB板级电路,测试结果表明:传感器的高Q特性会在基带引入一对共轭零点,抑制了基带内的量化噪声。

关键词：加速度计 Q值 ∑Δ 量化噪声

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基于FPGA的谐振悬臂梁传感器智能接口电路

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仪表技术与传感器 2013年第3期 7-10页

作者：柴光飞刘民于海涛许鹏程徐铁刚李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

设计了基于FPGA的谐振式微悬臂梁传感器接口电路,将接口电路与谐振式微悬臂梁传感器组成闭环自激振荡系统。为满足接口电路智能化与输出频率稳定性的要求,设计了带有自动扫频功能的锁相环,以此锁相环为核心并结合外围放大、滤波、移相... 详细信息

设计了基于FPGA的谐振式微悬臂梁传感器接口电路,将接口电路与谐振式微悬臂梁传感器组成闭环自激振荡系统。为满足接口电路智能化与输出频率稳定性的要求,设计了带有自动扫频功能的锁相环,以此锁相环为核心并结合外围放大、滤波、移相、整形电路构成的接口电路系统,能够自动扫频寻找谐振点并锁定,扫频精度为0.012 Hz左右,谐振频率的波动范围可达0.01 Hz左右,且锁定范围极广。分别测试了谐振点在100 kHz与500 kHz附近的两组传感器,该系统均能很好地自动扫频寻找谐振点并锁定。

关键词：谐振式微悬臂梁传感器接口电路 FPGA 锁相环自动扫频频率跟踪

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基于切割成型的侧壁表面压阻制作及其参数优化

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传感技术学报 2013年第2期26卷 182-186页

作者：宋芳王家畴上海工程技术大学机器人智能控制及功能设计实验室上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

为了提高MEMS执行器件对面内运动位移(或力学信号)检测的灵敏度并改善侧壁检测电阻制作工艺与其他工艺及其不同器件结构之间的兼容性问题,提出一种基于离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法。在此... 详细信息

为了提高MEMS执行器件对面内运动位移(或力学信号)检测的灵敏度并改善侧壁检测电阻制作工艺与其他工艺及其不同器件结构之间的兼容性问题,提出一种基于离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法。在此基础上,详细分析了影响位移检测灵敏度和分辨率的各种因素,并对侧壁压阻的结构尺寸及其工艺参数进行优化。最后,给出了侧壁表面压阻在几种不同类型典型MEMS执行器件中的应用,取得了很好的应用效果。

关键词： MEMS DRIE 侧壁表面压阻位移检测参数优化

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C^+离子注入SiGe衬底提高NiSiGe表面和界面特性研究

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功能材料与器件学报 2013年第4期19卷 202-207页

作者：张波俞文杰薛忠营魏星信息功能材料国家重点实验室上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海200050

本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si0.8Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响。研究结果充分表明:C+离子注入的Si0.8Ge0.2衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi0.8Ge0.2的热稳定性。此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8... 详细信息

本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si0.8Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响。研究结果充分表明:C+离子注入的Si0.8Ge0.2衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi0.8Ge0.2的热稳定性。此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2的界面,大幅度降低了NiSi0.8Ge0.2表面和NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2界面的粗糙度,高剂量C+注入的样品效果更为明显。

关键词：镍硅锗碳

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N扩散对熔液法生长GaN晶体外延速率的影响

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功能材料与器件学报 2013年第2期19卷 59-62页

作者：王斌赵志德隋妍萍徐伟于广辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与... 详细信息

使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关。

关键词：氮化镓液相外延 XRD

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选择性腐蚀Si_(1-x)Ge_x与Si制备绝缘体上超薄应变硅

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半导体技术 2013年第1期38卷 40-44页

作者：母志强薛忠营陈达狄增峰张苗中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选... 详细信息

基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选择性腐蚀的腐蚀速度与选择比的影响,优化了选择性腐蚀工艺。采用氨水、过氧化氢和水的混合溶液处理选择性腐蚀后的Si1-xGex与Si表面,得到了高应变度、高晶体质量的超薄SSOI。采用原子力显微镜(AFM)测试腐蚀速度以及腐蚀后的表面粗糙度;使用喇曼光谱仪表征Si1-xGex以及应变硅的组分以及应变度;使用透射电子显微镜(TEM)对SSOI的晶体质量进行了表征。结果表明,超薄SSOI的表面粗糙度(RMS)为0.446 nm,顶层Si的应变度为0.91%,顶层应变硅层厚度为18 nm,且具有高的晶体质量。

关键词：选择性腐蚀应变硅超薄绝缘体上应变硅锗硅

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超导纳米线单光子探测系统的时间抖动

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低温与超导 2013年第4期41卷 1-4,12页

作者：张文星陈思井刘登宽尤立星信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

超导纳米线单光子探测(SNSPD)器件具有较低的时间抖动特性,可以实现低误码率的QKD和高精度的激光测距。文中对超导纳米线单光子探测系统的时间抖动进行了详细的分析和测量,分析了SNSPD系统各部分对系统抖动的贡献。使用时间相关的单光... 详细信息

超导纳米线单光子探测(SNSPD)器件具有较低的时间抖动特性,可以实现低误码率的QKD和高精度的激光测距。文中对超导纳米线单光子探测系统的时间抖动进行了详细的分析和测量,分析了SNSPD系统各部分对系统抖动的贡献。使用时间相关的单光子计数技术(TCSPC)和示波器的抖动分析软件,分别测量了SNSPD系统的时间抖动,比较了两种方法的优劣。在两种测量方法下,系统总的时间抖动分别约为42ps和31ps,计算后得到单光子探测器件的抖动约为25ps。发现放大器的性能对系统时间抖动影响明显。通过使用不同放大器比较分析了测量得到的时间抖动。

关键词：超导单光子探测器时间抖动 TCSPC

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