检索结果-内蒙古大学图书馆

Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

功能材料与器件学报 2010年第3期16卷 271-275页

作者：毕大炜张正选张帅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代... 详细信息

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。

关键词： SIMOX SOI 总剂量辐射效应 Pseudo—MOS晶体管

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高温DC SQUID探针显微镜在半导体样品检测中的应用

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低温与超导 2010年第11期38卷 13-16,20页

作者：孔祥燕中谷悦起系崎秀夫中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 大阪大学基础工学研究科

扫描SQUID探针显微镜成像技术在半导体样品检测中得到了广泛应用。利用有限元分析方法对作为fluxguide的探针结构和SQUID的尺寸等参数对于系统空间分辨率和检测灵敏度的影响进行了仿真分析,并研究了探针周围的屏蔽效果。利用建立的SQUI... 详细信息

扫描SQUID探针显微镜成像技术在半导体样品检测中得到了广泛应用。利用有限元分析方法对作为fluxguide的探针结构和SQUID的尺寸等参数对于系统空间分辨率和检测灵敏度的影响进行了仿真分析,并研究了探针周围的屏蔽效果。利用建立的SQUID探针显微镜系统成功检测到太阳能电池中多晶硅的细微结构,并通过检测互相垂直的两个方向的磁场,对太阳能电池中光致电流矢量分布进行了反演重构。

关键词： SQUID 探针显微镜有限元分析 Fluxguide 半导体

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工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响

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功能材料与器件学报 2010年第3期16卷 206-210页

作者：汪海波俞沁聪刘卫丽宋志棠张楷亮中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低... 详细信息

系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低后升高。研究分析认为:pH值因影响在蓝宝石表面形成的水化层从而影响抛光速率和粗糙度;与抛光压力和相对转速相关的Hersey系数对抛光效果影响很大,当Hersey系数为24时,蓝宝石的抛光速率和表面平整度均达到最佳。

关键词：蓝宝石化学机械抛光(CMP) 二氧化硅 pH值 Heresy系数

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浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展

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功能材料与器件学报 2010年第5期16卷 407-412页

作者：刘张李邹世昌张正选毕大炜胡志远俞文杰陈明王茹中国科学院上海微系统与信息技术研究所/信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可... 详细信息

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。

关键词：控制电路存储单元单粒子效应电荷损失

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超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征

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功能材料与器件学报 2010年第1期16卷 47-51页

作者：张帅张正选毕大炜陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX... 详细信息

介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。

关键词： SOI SIMOX Pseudo—MOSFET 隐埋氧化层

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相变存储器中选通二极管的模型与优化

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功能材料与器件学报 2010年第6期16卷 536-541页

作者：李宜瑾凌云宋志棠贾晓玲罗胜钦同济大学电子与信息工程学院上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向... 详细信息

设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。

关键词：相变存储器选通二极管数值模拟

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两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究

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科学通报 2010年第19期55卷 1963-1967页

作者：魏星薛忠营武爱民王湘李显元叶斐陈杰陈猛张波林成鲁张苗王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新傲科技股份有限公司上海201821

研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第二步注入剂量为3×1015cm-2的改进型两步氧离子注入工艺,用于制备高质量的SIMOX材料.与单步氧离... 详细信息

研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第二步注入剂量为3×1015cm-2的改进型两步氧离子注入工艺,用于制备高质量的SIMOX材料.与单步氧离子注入工艺的剂量窗口相比,注入剂量减少了18.2%.采用椭圆偏振测试仪测量了所制备样品的埋氧层厚度及均匀性.通过透射电子显微镜观察到无缺陷的顶层硅以及原子级陡峭的顶层硅/埋氧层界面,表明两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料具有高的顶层硅晶体质量和剖面结构.采用原子力显微镜对比研究了单步和两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料顶层硅/埋氧层界面形貌.

关键词：绝缘体上的硅界面形貌剂量窗口注氧隔离

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气体探测用低功耗微型加热器研究

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测试技术学报 2010年第5期24卷 410-413页

作者：许磊李铁高秀丽王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050

介绍了一种基于MEMS技术的可用于气体探测的低功耗微型加热器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度加热器的设计与制作.该加热器采用悬膜式结构,中心加热膜区通过4根细长的悬梁与衬底框架相连,铂电阻丝作为加热元... 详细信息

介绍了一种基于MEMS技术的可用于气体探测的低功耗微型加热器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度加热器的设计与制作.该加热器采用悬膜式结构,中心加热膜区通过4根细长的悬梁与衬底框架相连,铂电阻丝作为加热元件以折线的形式排列在中心膜区上,采用硅各向异性腐蚀液正面释放薄膜,并在薄膜下方形成倒金字塔型的隔热腔体.测试结果表明,加热器在400℃时功耗仅为26 mW,且加热器的升温响应时间小于5 ms,降温响应时间小于2 ms.

关键词： MEMS 低功耗微型加热器铂各向异性腐蚀

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栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 350-352,452页

作者：恩云飞何玉娟罗宏伟潘金辉肖庆中西安电子科技大学微电子学院西安710071 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广州510610 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050

采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。

关键词：静电保护绝缘层上硅传输线脉冲测试栅接地n型金属-氧化物-半导体

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超导纳米线单光子探测器件的制备

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低温与超导 2010年第11期38卷 1-4页

作者：杨晓燕尤立星张礼杰黄少铭 Mintu Mondal Sanjeev Kumar John Jesudasan Pratap Raychaudhuri 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 温州大学纳米材料与化学重点实验室温州325027 Tata Institute of Fundamental Research Homi Bhabha Rd.ColabaMumbai 400005India

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是... 详细信息

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是利用电子束曝光(EBL)技术和反应离子刻蚀(RIE)等工艺技术制备的。所制备的SNSPD样品,在温度3.5K下的临界电流约12.9μA;在1310nm波长光波辐照,12.5μA的偏置电流下,探测效率约0.016%。

关键词：超导纳米线单光子探测器电子束曝光反应离子刻蚀探测效率

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