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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室"
1139 条 记 录,以下是921-930 订阅
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直接键合微腔结构的光谱特性
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Journal of Semiconductors 2006年 第z1期27卷 304-308页
作者: 劳燕锋 吴惠桢 黄占超 刘成 曹萌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050
采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度... 详细信息
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PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构
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材料研究学报 2006年 第6期20卷 621-625页
作者: 徐天宁 吴惠桢 斯剑霄 曹春芳 黄占超 浙江大学物理系 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海20005
用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有... 详细信息
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Ink的状态对微型PEMFC氧电极Pt利用率的影响
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电源技术 2006年 第8期30卷 617-620页
作者: 张熙贵 夏保佳 刘娟英 郑丹 徐乃欣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室 上海200050
电化学极化实验表明,Ink(催化剂与溶剂在超声条件下形成的墨水状浆料)为胶体时,对应的微型质子交换膜燃料电池(PEMFC)氧电极极化性能相对于Ink为溶液时有明显提高。通过激光粒度实验和扫描电镜实验证实了Ink不同状态时对应的氧电极催化... 详细信息
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悬臂梁式MEMS探卡的设计和制造
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仪表技术传感 2006年 第4期 12-14页
作者: 郭南翔 汪飞 李昕欣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术国家重点实验室 上海200050
集成电路圆片级测试探卡主要应用于芯片分片封装前对芯片电学性能进行初步测量。随着集成电路设计和制造技术的发展,芯片焊盘密度日益增加,电路工作速度不断提高,由此产生的寄生电容和寄生电感效应会对传统测试探卡的正常工作造成影响,... 详细信息
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用苯并环丁烯进行圆片级硅–硅气密性键合
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电子元件与材料 2006年 第2期25卷 55-57页
作者: 刘玉菲 李四华 吴亚明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室微系统技术国家级重点实验室
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片进行了圆片级低温键合,并研究了其在气密性封装工艺中的应用。测试表明:在250℃的低温键合条件下,封装后样品的气密性优于3.0×10–***3/sHe;剪切力达4.7MPa以上;封装样品合格率达94%以上;通过热循环... 详细信息
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Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺
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Journal of Semiconductors 2006年 第7期27卷 1335-1338页
作者: 刘北平 李晓良 朱海波 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实... 详细信息
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不同原子频标的物理工作原理对比
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微计算机信息 2006年 第2S期22卷 170-172,158页
作者: 刘玉菲 高翔 吴亚明 刘文平 上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室
本文主要介绍了氢钟、铷钟、铯钟等几种主要原子频标的物理工作原理、性能、工作与应用领域与研究进展;并将介绍了基于CPT(coherentpopulationtrapping)现象研制的芯片级原子钟;最后简述了原子钟的主要应用需求与发展趋势。
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射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光
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发光学报 2006年 第6期27卷 971-975页
作者: 隋妍萍 于广辉 孟胜 雷本亮 王笑龙 王新中 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的... 详细信息
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Monte Carlo Simulation of Impurity Scattering Effect in Resonant-Phonon-Assisted Terahertz Quantum-Cascade Lasers
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Journal of Semiconductors 2006年 第2期27卷 304-308页
作者: 曹俊诚 吕京涛 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
We study the influence of ionized impurity scattering on the electron transport in resonant-phonon-assisted terahertz (THz) quantum-cascade lasers (QCLs). We treat the ionized impurity scattering rates within the ... 详细信息
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Modified Reynolds Equation for Squeeze-Film Air Damping of Slotted Plates in MEMS Devices
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Journal of Semiconductors 2006年 第3期27卷 473-477页
作者: 孙远程 鲍敏杭 杨恒 黄宜平 复旦大学微电子学系专用集成电路国家重点实验室 上海200433 中国科学院上海微系统和信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200030
A differential equation for calculating squeeze-film air damping in slotted plates is developed by modifying the Reynolds equation. A term is added to account for the effect of airflow through the slots on the air dam... 详细信息
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