检索结果-内蒙古大学图书馆

电路与系统学报 2013年第1期18卷 1-4页

作者：胡佳俊陈后鹏金荣王倩宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200005

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于... 详细信息

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于CZ6H 0.35μm标准CMOS工艺,应用Cadence工具进行仿真,结果显示,该过流保护电路可以把稳压器的最大输出电流限定在300mA,输出短路电流不到20mA,在无片外电容的条件下,系统表现出良好的瞬态响应效果;此外,该过流保护模块非常易于调节来适应于不同的标准输出电压。

关键词：过流保护短路电流返送

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SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响(英文)

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发光学报 2013年第8期34卷 1017-1021页

作者：宋世巍梁红伟申人升柳阳张克雄夏晓川杜国同大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116024 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012

研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的... 详细信息

研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力。同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高。最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数。

关键词： SiN 应力弛豫插入层

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低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)

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发光学报 2013年第6期34卷 744-747页

作者：宋世巍柳阳梁红伟夏小川张克雄杨德超杜国同大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116024 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012

利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件... 详细信息

利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能。

关键词： LED 相分离插入层

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纳米SiO_2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用

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润滑与密封 2013年第7期38卷 88-91页

作者：张泽芳侯蕾闫未霞刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506

制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果... 详细信息

制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果表明,制备的纳米氧化硅抛光液对LED蓝宝石衬底具有优异的抛光性能,抛光后的表面无划伤、无腐蚀坑,且粗糙度小于0.2 nm。

关键词：蓝宝石氧化硅抛光 LED 抛光液

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三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究

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功能材料与器件学报 2013年第6期19卷 270-274页

作者：刘旭焱宋三年刘卫丽宋志棠南阳师范学院物理与电子工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功... 详细信息

结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功转移了单晶PN结二极管层到含有金属W电极阵列的基片上,并制备了垂直二极管阵列。经过聚焦离子束加工和电镜观察得知基片上小型W电极与转移来的PN结构Si层接触良好,测试得到了标准的二极管特性曲线,开关比达到4个数量级。不过实验制备的二极管漏电流较大,开关比偏低,这些问题还需要在将来实验环境的改进和工艺的优化中得到解决。

关键词：三维集成电路相变存储器等离子活化键合智能剥离

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衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响

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发光学报 2013年第3期34卷 340-344页

作者：杨德超梁红伟邱宇宋世巍申人升柳阳夏晓川俞振南杜国同吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130023 大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116024 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 浙江水晶光电科技股份有限公司浙江台州318015

利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延... 详细信息

利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能。随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移。

关键词： GaN LED 弯曲度残余应力

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光子晶体狄拉克点周围的等效哈密顿量

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功能材料与器件学报 2013年第4期19卷 161-168页

作者：刘淼张小刚林旭林蒋寻涯中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学复旦大学信息工程学院电光源系复旦大学先进照明技术教育部工程研究中心

光子晶体Dirac点周围的性质是国际的一个研究热点,我们基于厄米算符本征方程形式的麦克斯韦方程和微扰论,引入破坏空间反演对称性和时间反演对称性的扰动,严格推导出Dirac点被打开后其周围的等效哈密顿量,并指出前人工作的一些基本错误... 详细信息

光子晶体Dirac点周围的性质是国际的一个研究热点,我们基于厄米算符本征方程形式的麦克斯韦方程和微扰论,引入破坏空间反演对称性和时间反演对称性的扰动,严格推导出Dirac点被打开后其周围的等效哈密顿量,并指出前人工作的一些基本错误。该哈密顿量具有广泛的用途,例如,可以用来描述光在光子晶体块材(bulk)中的传播性质和求解有限光子晶体的边界态等等。

关键词：等效哈密顿量光子晶体时间反演对称性周围

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SrIrO3薄膜的分子束外延生长及原位电子结构研究

SrIrO3薄膜的分子束外延生长及原位电子结构研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：刘正太李明颖姚岐樊聪聪沈大伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在过渡金属氧化物中,具有5d电子的过渡金属氧化物由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争与合作,使其具有独特的物理特性,常常呈现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等有趣的物理行为.SrIrO3单晶呈现关联金属态...

在过渡金属氧化物中,具有5d电子的过渡金属氧化物由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争与合作,使其具有独特的物理特性,常常呈现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等有趣的物理行为.SrIrO3单晶呈现关联金属态,而不同衬底上外延生长的钙钛矿型SrIrO3薄膜则具有更加独特的物理特性.

关键词：

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失配递变速率对InGaAs线性异变缓冲层的影响

失配递变速率对InGaAs线性异变缓冲层的影响

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：方祥顾溢陈星佑周立曹远迎李好斯白音张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文中，采用气态源分子束外延技术在InP(001)衬底上直接生长了失配递变速率分别为1.2 ％μm-1和3.1％μm-1的线性缓冲层样品，研究失配递变速率对线性异变缓冲层的影响。原子力显微镜照片显示两样品表面均出现明显的布纹格图样，且采... 详细信息

本文中，采用气态源分子束外延技术在InP(001)衬底上直接生长了失配递变速率分别为1.2 ％μm-1和3.1％μm-1的线性缓冲层样品，研究失配递变速率对线性异变缓冲层的影响。原子力显微镜照片显示两样品表面均出现明显的布纹格图样，且采用较低的失配递变速率的缓冲层样品表面均方根粗糙度略有增加。室温光致发光谱测试发现，低失配递变速率缓冲层上生长的高失配材料具有更窄的半峰宽和更强的发光信号，这表明材料的光学性质有了提高。X射线衍射倒易空间扫描证实，组分线性变化的缓冲层的晶格弛豫过程是分两步进行的:在缓冲层开始生长阶段，材料是完全晶格弛豫的;缓冲层到了一定厚度后，顶部形成了一个完全应变层。这一实验结果与Tersoff模型基本吻合射线衍射测试结果也表明低的失配递变速率更有利于缓冲层晶格的弛豫和应力释放。要进一步提高缓冲层晶格的弛豫度，本文建议进一步降低失配速率或在缓冲层中采用组分过冲。

关键词：红外探测器砷镓铟材料线性异变缓冲层失配递变速率

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有源区级数与量子级联激光器性能的内在关联研究

有源区级数与量子级联激光器性能的内在关联研究

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：李耀耀李爱珍顾溢张永刚李好斯白音信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

中红外量子级联激光器(Quantum Cascade Lasers,QCLs)以它的高灵敏度、高分辨率和紧凑小型的优势成为半导体吸收光谱的理想光源.在空气质量检测、近空、深空探测与物质研究、红外光谱成像、医学诊断、工业控制、保密通信等领域有重要的... 详细信息

中红外量子级联激光器(Quantum Cascade Lasers,QCLs)以它的高灵敏度、高分辨率和紧凑小型的优势成为半导体吸收光谱的理想光源.在空气质量检测、近空、深空探测与物质研究、红外光谱成像、医学诊断、工业控制、保密通信等领域有重要的应用并正在形成战略性新兴产业.为了应用的便携性和提高气体检测的灵敏度,要求QCLs工作在室温连续的模式下并具有较高的激射功率.QCLs是基于子带间跃迁和级联机制的中红外光源，其有源区通常由数个至数十个有源核组成，有源区的级数对激光器的阑值电流、温度特性、光电转换效率都有重要的影响。本文基于InP基InGaAs/InAIAs QCL晶格匹配体系，研制了在7.6微米波长下，具有相同源区结构，有源区级数为30,35,40级的QCLs材料和器件，比较了具有不同有源区级数的QCLs的相关性能，分析了有源区级数对QCLs相关性能参数的影响。

关键词：中红外量子级联激光器性能参数源区结构关联分析

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