检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 486-490页

作者：师小萍于广辉王斌吴渊文中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用自行搭建的化学气相沉积(CVD)设备在Cu箔衬底上成功的制备出石墨烯薄膜,并利用光学显微镜和拉曼光谱分析等手段对石墨烯薄膜的形貌和结构进行了表征。主要研究了Cu箔的表面处理和沉积过程的气体流量对石墨烯质量的影响,发现氨水处... 详细信息

利用自行搭建的化学气相沉积(CVD)设备在Cu箔衬底上成功的制备出石墨烯薄膜,并利用光学显微镜和拉曼光谱分析等手段对石墨烯薄膜的形貌和结构进行了表征。主要研究了Cu箔的表面处理和沉积过程的气体流量对石墨烯质量的影响,发现氨水处理Cu箔可以腐蚀Cu箔表面的各种杂质提高Cu箔的洁净度从而提高石墨烯的结晶质量,优化CH4和H2的气体流量可以提高石墨烯的单层性和均匀性。并最终在CH4:H2=200:0 sccm条件下,在氨水处理过的Cu箔上获得了面积1.5 cm×1.5 cm的均匀的单层石墨烯。

关键词：石墨烯化学气相沉积(CVD) 表面处理拉曼

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应

引用

物理学报 2011年第11期60卷 489-493页

作者：刘张李胡志远张正选邵华宁冰旭毕大炜陈明邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化... 详细信息

对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化物中引入等效陷阱电荷,三维模拟结果与实验结果符合很好.深亚微米器件栅氧化层对总剂量辐照不敏感,浅沟槽隔离氧化物是导致器件性能退化的主要因素.

关键词：总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷 MOSFET

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种适用于相变存储器的低噪声时钟发生器

引用

微电子学 2011年第4期41卷 540-544页

作者：宏潇陈后鹏宋志棠刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对... 详细信息

基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对相变存储单元的低频噪声干扰,能够改进相变存储器性能。电路采用40 nm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V,功耗为1.26 mW,RMS抖动为0.83 ps,p-p抖动为5.14 ps,芯片面积为80μm×90μm。

关键词：相变存储器时钟发生器压控振荡器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵

引用

微电子学 2011年第6期41卷 848-851页

作者：富聪宋志棠陈后鹏蔡道林王倩丁晟李喜宏潇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负... 详细信息

针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负载电流为10mA,电源效率最高可达94%。

关键词：电荷泵 DC-DC变换器相变存储器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究

引用

功能材料 2011年第7期42卷 1335-1338,1341页

作者：陈息林余涛吴雪梅董尧君诸葛兰剑苏州大学分析测试中心江苏苏州215123 苏州大学物理系江苏苏州215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面... 详细信息

利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。

关键词：高k栅介质 Ta2O5 MOSFET器件微结构电学性质

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料

引用

功能材料与器件学报 2011年第2期17卷 147-150页

作者：薛忠营张波魏星张苗中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲... 详细信息

采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本。

关键词：外延应变锗硅 SGOI

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究

引用

功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 520-525页

作者：张磊汪海波张泽芳王良咏刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中国科学院研究生院北京100049

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表... 详细信息

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。

关键词： PS/SiO2 复合磨料铜化学机械抛光

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种1kb相变存储芯片的设计

引用

微电子学 2011年第6期41卷 844-847,851页

作者：丁晟宋志棠陈后鹏蔡道林陈一峰王倩陈小刚刘波谢志峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中芯国际集成电路制造有限公司上海201203

以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器... 详细信息

以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能。测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达到10年,圆片(wafer)成品率达到99.9%。

关键词：存储器相变存储器相变存储芯片

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

引用

微电子学 2011年第6期41卷 840-843页

作者：陈一峰宋志棠陈小刚陈后鹏刘波白宁陈邦明吴关平谢志峰杨左娅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 微芯科技公司中芯国际集成电路制造有限公司上海201203

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电... 详细信息

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。

关键词：相变存储器非易失性存储器电流阶梯波擦驱动电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长

硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长

引用

第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：卞剑涛薛忠营陈达刘林杰姜海涛狄增峰张苗中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层对位错密度起到了很好的控制。采用低的生长温度有利于获... 详细信息

采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在<001>Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层对位错密度起到了很好的控制。采用低的生长温度有利于获得高质量的Ge外延薄膜，350℃和600℃低温/高温两步生长的1.15μm锗薄膜位错密度为6×106cm-2.

关键词：锗薄膜材料外延生长位错密度减压化学气相沉积

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：