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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室"
768 条 记 录,以下是521-530 订阅
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工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响
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功能材料与器件学报 2010年 第3期16卷 206-210页
作者: 汪海波 俞沁聪 刘卫丽 宋志棠 张楷亮 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 纳米技术研究室上海200050
系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低... 详细信息
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浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展
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功能材料与器件学报 2010年 第5期16卷 407-412页
作者: 刘张李 邹世昌 张正选 毕大炜 胡志远 俞文杰 陈明 王茹 中国科学院上海微系统与信息技术研究所/信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可... 详细信息
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超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征
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功能材料与器件学报 2010年 第1期16卷 47-51页
作者: 张帅 张正选 毕大炜 陈明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX... 详细信息
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相变存储器中选通二极管的模型与优化
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功能材料与器件学报 2010年 第6期16卷 536-541页
作者: 李宜瑾 凌云 宋志棠 贾晓玲 罗胜钦 同济大学电子与信息工程学院 上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050
设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向... 详细信息
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两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究
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科学通报 2010年 第19期55卷 1963-1967页
作者: 魏星 薛忠营 武爱民 王湘 李显元 叶斐 陈杰 陈猛 张波 林成鲁 张苗 王曦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新傲科技股份有限公司 上海201821
研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第二步注入剂量为3×1015cm-2的改进型两步氧离子注入工艺,用于制备高质量的SIMOX材料.与单步氧离... 详细信息
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超导纳米线单光子探测器件的制备
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低温与超导 2010年 第11期38卷 1-4页
作者: 杨晓燕 尤立星 张礼杰 黄少铭 Mintu Mondal Sanjeev Kumar John Jesudasan Pratap Raychaudhuri 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 温州大学 纳米材料与化学重点实验室温州325027 Tata Institute of Fundamental Research Homi Bhabha Rd.ColabaMumbai 400005India
超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是... 详细信息
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BJT等效电路模型的发展
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电子器件 2010年 第3期33卷 308-316页
作者: 罗杰馨 陈静 伍青青 肖德元 王曦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料重点实验室上海200050
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主... 详细信息
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栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响
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固体电子学研究与进展 2010年 第3期30卷 350-352,452页
作者: 恩云飞 何玉娟 罗宏伟 潘金辉 肖庆中 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室 广州510610 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050
采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。
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高K栅介质材料研究现状与前景
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材料导报 2010年 第21期24卷 25-29页
作者: 余涛 吴雪梅 诸葛兰剑 葛水兵 苏州大学物理系 苏州215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室 苏州215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 苏州大学分析测试中心 苏州215006
论述了45~32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性... 详细信息
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镁合金表面处理技术进展
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电镀与涂饰 2010年 第8期29卷 32-34,39页
作者: 王增辉 卫中领 李春梅 陈秋荣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所先进镁合金与防护技术中心 上海200050 嘉兴轻合金材料技术重点实验室 浙江嘉兴314006
综述了近年来镁合金表面处理技术的进展,包括镁合金电镀、化学镀、化学氧化、等离子电解氧化、硅烷化处理和表面沉积羟基磷酸钙涂层等。
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