咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 574 篇 期刊文献
  • 262 篇 会议

馆藏范围

  • 836 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 694 篇 工学
    • 398 篇 电子科学与技术(可...
    • 281 篇 材料科学与工程(可...
    • 169 篇 光学工程
    • 149 篇 仪器科学与技术
    • 54 篇 机械工程
    • 40 篇 化学工程与技术
    • 34 篇 电气工程
    • 28 篇 控制科学与工程
    • 20 篇 动力工程及工程热...
    • 20 篇 计算机科学与技术...
    • 12 篇 信息与通信工程
    • 10 篇 生物医学工程(可授...
    • 9 篇 生物工程
    • 5 篇 地质资源与地质工...
    • 3 篇 航空宇航科学与技...
    • 3 篇 环境科学与工程(可...
    • 2 篇 农业工程
    • 2 篇 食品科学与工程(可...
    • 2 篇 网络空间安全
  • 149 篇 理学
    • 110 篇 物理学
    • 37 篇 化学
    • 6 篇 生物学
    • 3 篇 系统科学
    • 2 篇 地质学
    • 2 篇 生态学
  • 8 篇 医学
    • 3 篇 公共卫生与预防医...
  • 7 篇 农学
    • 4 篇 作物学
    • 2 篇 农业资源与环境
  • 3 篇 军事学
    • 3 篇 军队指挥学
  • 3 篇 管理学
  • 2 篇 经济学
  • 2 篇 教育学
    • 2 篇 教育学
  • 1 篇 艺术学

主题

  • 31 篇 相变存储器
  • 22 篇 分子束外延
  • 20 篇 ingaas
  • 17 篇 量子级联激光器
  • 17 篇 垂直腔面发射激光...
  • 16 篇 光电探测器
  • 16 篇 soi
  • 15 篇 石墨烯
  • 15 篇 气态源分子束外延
  • 14 篇 半导体激光器
  • 12 篇 化合物半导体
  • 11 篇 化学机械抛光
  • 11 篇 太赫兹
  • 10 篇 总剂量效应
  • 10 篇 氮化镓
  • 8 篇 squid
  • 8 篇 超导量子干涉器件
  • 8 篇 化学气相沉积
  • 8 篇 mems
  • 8 篇 gan

机构

  • 373 篇 中国科学院上海微...
  • 272 篇 中国科学院上海微...
  • 142 篇 中国科学院大学
  • 63 篇 中国科学院研究生...
  • 44 篇 信息功能材料国家...
  • 43 篇 上海科技大学
  • 42 篇 中国科学院超导电...
  • 21 篇 浙江大学
  • 20 篇 信息功能材料国家...
  • 19 篇 上海大学
  • 17 篇 曲阜师范大学
  • 16 篇 中国科学院上海微...
  • 12 篇 复旦大学
  • 12 篇 中光华研电子科技...
  • 11 篇 中国科学院
  • 11 篇 上海交通大学
  • 9 篇 同济大学
  • 8 篇 中国科学院上海微...
  • 8 篇 吉林大学
  • 8 篇 上海新安纳电子科...

作者

  • 90 篇 张永刚
  • 82 篇 宋志棠
  • 64 篇 谢晓明
  • 63 篇 李爱珍
  • 55 篇 顾溢
  • 51 篇 龚谦
  • 50 篇 吴惠桢
  • 45 篇 孔祥燕
  • 41 篇 王永良
  • 40 篇 劳燕锋
  • 37 篇 尤立星
  • 34 篇 王跃林
  • 33 篇 曹春芳
  • 33 篇 齐鸣
  • 29 篇 王海龙
  • 29 篇 刘成
  • 28 篇 张树林
  • 28 篇 曹俊诚
  • 27 篇 陈后鹏
  • 27 篇 陈星佑

语言

  • 836 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家级重点实验室"
836 条 记 录,以下是701-710 订阅
排序:
p型GaAs的远红外波段光学特性
收藏 引用
光学学报 2006年 第2期26卷 221-224页
作者: 刘成 吴惠桢 劳燕锋 李爱珍 任重桥 沈文忠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 上海交通大学物理系 上海200030
砷化镓(GaAs)是太赫兹波段半导体异质结构激光器的重要材料之一,为了获得P型Ga觚材料在远红外波段的光学特性,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在半绝缘GaAs(100)衬底上生长了掺Be的P型GaAs薄膜材料,其载流子浓度从1.54×... 详细信息
来源: 评论
PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构
收藏 引用
材料研究学报 2006年 第6期20卷 621-625页
作者: 徐天宁 吴惠桢 斯剑霄 曹春芳 黄占超 浙江大学物理系 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海20005
用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有... 详细信息
来源: 评论
用苯并环丁烯进行圆片硅–硅气密性键合
收藏 引用
电子元件与材料 2006年 第2期25卷 55-57页
作者: 刘玉菲 李四华 吴亚明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室微系统技术国家级重点实验室
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片进行了圆片低温键合,并研究了其在气密性封装工艺中的应用。测试表明:在250℃的低温键合条件下,封装后样品的气密性优于3.0×10–***3/sHe;剪切力达4.7MPa以上;封装样品合格率达94%以上;通过热循环... 详细信息
来源: 评论
不同原子频标的物理工作原理对比
收藏 引用
微计算机信息 2006年 第2S期22卷 170-172,158页
作者: 刘玉菲 高翔 吴亚明 刘文平 上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室
本文主要介绍了氢钟、铷钟、铯钟等几种主要原子频标的物理工作原理、性能、工作与应用领域与研究进展;并将介绍了基于CPT(coherentpopulationtrapping)现象研制的芯片原子钟;最后简述了原子钟的主要应用需求与发展趋势。
来源: 评论
Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2006年 第7期27卷 1335-1338页
作者: 刘北平 李晓良 朱海波 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实... 详细信息
来源: 评论
射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光
收藏 引用
发光学报 2006年 第6期27卷 971-975页
作者: 隋妍萍 于广辉 孟胜 雷本亮 王笑龙 王新中 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的... 详细信息
来源: 评论
Monte Carlo Simulation of Impurity Scattering Effect in Resonant-Phonon-Assisted Terahertz Quantum-Cascade Lasers
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2006年 第2期27卷 304-308页
作者: 曹俊诚 吕京涛 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
We study the influence of ionized impurity scattering on the electron transport in resonant-phonon-assisted terahertz (THz) quantum-cascade lasers (QCLs). We treat the ionized impurity scattering rates within the ... 详细信息
来源: 评论
硅晶片双面超精密化学机械抛光
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2006年 第z1期27卷 396-399页
作者: 张楷亮 宋志棠 钟旻 郑鸣捷 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术研究室信息功能材料国家重点实验室上海200050
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息
来源: 评论
纳米孔氮化镓材料的制备和研究
收藏 引用
功能材料与器件学报 2006年 第4期12卷 255-258页
作者: 王笑龙 于广辉 雷本亮 隋妍萍 孟胜 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量的多孔结构的工艺。用电化学方法制备出孔径为纳米量的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料。孔的大小和孔间距可以通过改变阳极... 详细信息
来源: 评论
带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2006年 第8期27卷 1431-1435页
作者: 孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 苏树兵 刘新宇 刘训春 钱鹤 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院微电子研究所 北京100029
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs... 详细信息
来源: 评论