检索结果-内蒙古大学图书馆

协同网络中有许多资源配置问题和保持网络连通性问题的应用。在这篇文章中,考虑一个资源配置问题--节点配置(在有限的网络位置中,选择若干位置放置节点,且放置节点的总费用最小),同时放置节点的位置构成的网络可以保持网络连通性。对于这样类型的问题建立一个数学优化模型。之后针对不同的网络拓扑结构(无向网络,有向网络),基于单一商品流约束将原问题转化为混合整数优化模型。最后,使用传统的混合整数规划的算法验证了所构造的模型的正确性。

关键词：混合整数规划网络连通性节点配置流约束

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基于专家PID控制和卡尔曼滤波的恒压进样系统

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电子设计工程 2018年第18期26卷 54-58,63页

作者：李路齐同郜晩蕾王晓冬贾春平赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

基于目前的压力控制和微小体积控制系统不能满足微流控芯片自动化进样的需求,本文提出一种新型的基于专家PID控制和卡尔曼滤波的恒压控制系统,通过精确控制压力实现精确控制进样体积。MATLAB仿真和实际测量表明,该系统的阶跃响应时间提... 详细信息

基于目前的压力控制和微小体积控制系统不能满足微流控芯片自动化进样的需求,本文提出一种新型的基于专家PID控制和卡尔曼滤波的恒压控制系统,通过精确控制压力实现精确控制进样体积。MATLAB仿真和实际测量表明,该系统的阶跃响应时间提高了50%,时间为10 s,无超调,压力控制精度为±30 Pa。通过高精度电子天平称重表明进样体积控制在±10 ul以内,最后采用mega2560作为主控制器搭建自动化检测平台实现微流控芯片的自动进样,该系统已应用到仪器中并产生良好的实验结果。

关键词：专家PID控制卡尔曼滤波恒压系统微流控芯片 MATLAB仿真

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基于太赫兹时域光谱学技术的生物分子的研究

基于太赫兹时域光谱学技术的生物分子的研究

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：刘燕周涛曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100080 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050

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超快脉冲与太赫兹量子级联激光器的相互作用

超快脉冲与太赫兹量子级联激光器的相互作用

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：侯秋实王丰曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100080 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050

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杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响

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电子器件 2018年第6期41卷 1367-1371页

作者：蔡剑辉陈治西刘晨鹤张栋梁刘强俞文杰刘新科马忠权上海大学物理系上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室广东深圳518060

为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和... 详细信息

为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和不同的亚阈值斜率。因此,只有减小了外界吸附分子的影响,才能获得具有稳定电学性能的MoS2器件,并确保迁移率、亚阈值斜率、开启电压等重要电学参数的可靠性。

关键词： MoS2背栅场效应晶体管杂质吸附不同的扫描条件回滞窗口亚阈值斜率

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化学气相沉积法在Cu-Ni合金衬底上生长多层六方氮化硼

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科学通报 2017年第20期62卷 2279-2286页

作者：杨鹏吴天如王浩敏卢光远邓联文黄生祥中南大学物理与电子学院长沙410083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维... 详细信息

六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维半导体材料的基底对其下方衬底表面悬挂键及电荷的屏蔽效果有限,多层h-BN可以提高屏蔽效果.本文通过化学气相沉积法,采用生长-刻蚀-再生长的方案在铜镍合金衬底上成功制备得到多层h-BN晶畴,刻蚀过程使铜镍合金重新漏出,显著提高了下一阶段生长过程中多层h-BN的外延生长速率,通过该方案得到三角形状的多层h-BN晶畴尺寸可达10~20mm.同时,使用扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、拉曼光谱、透射电子显微镜等一系列测试手段对多层h-BN表面形貌、化学成分及微观结构做了进一步表征.结果表明,h-BN中B 1s和N 1s的电子能谱峰值分别为190.4和397.8 e V,并且B和N两种元素的含量比为1.02:1;多层h-BN的拉曼光谱峰值位移在1365 cm^(-1),半高峰宽为18 cm^(-1);选区电子衍射结果说明,多层h-BN层间具有严格的AA′堆垛且每一层h-BN都具有相同的晶格取向.所有表征结果说明本文所得的多层h-BN单晶具有较好的晶体质量.

关键词：六方氮化硼多层化学气相沉积铜镍合金刻蚀结构表征

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基于微机电系统的法布里珀罗可调光滤波器

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中国激光 2017年第6期44卷 224-232页

作者：郭智慧李拥华杨恒钟少龙上海大学理学院上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200000

为实现调谐范围宽、调谐速度快、带宽窄、驱动电压低以及可批量化生产的可调光学滤波器,提出了一种新型微机电系统(MEMS)可调光学滤波器。由高反射率可动光学镜面与准直扩束光纤端面组成法布里-珀罗(F-P)腔。通过静电驱动改变F-P腔的腔... 详细信息

为实现调谐范围宽、调谐速度快、带宽窄、驱动电压低以及可批量化生产的可调光学滤波器,提出了一种新型微机电系统(MEMS)可调光学滤波器。由高反射率可动光学镜面与准直扩束光纤端面组成法布里-珀罗(F-P)腔。通过静电驱动改变F-P腔的腔长以调整滤波器的输出光波长,分析了可调光学滤波器的波长调谐原理和静电驱动原理,给出了器件的结构参数和综合设计考虑。利用体硅加工工艺成功制作了可调光学滤波器样品,并进行了实验测试。实验结果表明,通过改变准直扩束光纤的初始位置,3dB带宽与自由谱域之间具有可调性。该可调光学滤波器兼备了MEMS技术与光纤技术的优点,并且结构紧凑、工艺简单、驱动电压低,可用于光通信等场合。

关键词：光纤光学微机电系统法布里-珀罗腔可调光滤波器静电驱动

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X射线自由电子激光在物理学中的应用

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物理 2018年第7期47卷 418-425页

作者：泮丙营叶茂封东来鲁东大学物理与光电工程学院烟台264025 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室上海200433

在原子/分子空间尺度直接探测微观世界的飞秒量级动态复杂过程一直是科学家追求的梦想。2009年,X射线自由电子激光装置的出现使得这个梦想成为可能。文章将介绍近年来利用X射线自由电子激光装置在凝聚态物理、非线性光学、高压物理等研... 详细信息

在原子/分子空间尺度直接探测微观世界的飞秒量级动态复杂过程一直是科学家追求的梦想。2009年,X射线自由电子激光装置的出现使得这个梦想成为可能。文章将介绍近年来利用X射线自由电子激光装置在凝聚态物理、非线性光学、高压物理等研究领域取得的一些突破性进展,并展望其未来在解决重大物理问题中的可能应用。

关键词：自由电子激光物理科学超快过程

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