检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2019年第1期25卷 60-63页

作者：姜海波黄俊澄赵世钦马天驰李伟贵州电网有限责任公司都匀供电局都匀558000 中光华研电子科技有限公司上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合... 详细信息

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合物LCP为介质基板的柔性宽带天线,用于准确检测变电站接地网的空间磁场,该天线的基本辐射单元为宽带单极子天线,采用了微带馈电的馈电方式。经软件仿真结果表明,该天线覆盖在0.5KHz-22KHz工作频段,已经满足了宽带天线的要求。

关键词：变电站接地网宽带天线液晶聚合物

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀

引用

半导体技术 2018年第6期43卷 449-455页

作者：钱茹程新红郑理沈玲燕张栋梁顾子悦俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院上海200120 中国科学院大学北京100049

p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3和Cl2/N2/O2）及不同的刻蚀掩膜层（SiO2,Si3N4和光刻胶）对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原... 详细信息

p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3和Cl2/N2/O2）及不同的刻蚀掩膜层（SiO2,Si3N4和光刻胶）对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原子力显微镜（AFM）对刻蚀沟槽的表面形貌进行表征,并通过I-V测试其电学性能。结果显示,以Cl2/N2/O2为刻蚀气体,且体积流量为18,10和2 cm^3/min时,p-GaN刻蚀速率稳定且与AlGaN的刻蚀选择比较高（约30）,并且可使p-GaN刻蚀自动停止在AlGaN界面处。此外,以Si3N4作为刻蚀掩膜,可以获得表面光滑、无微沟槽且侧壁垂直度较好的沟槽结构。采用上述刻蚀工艺制备的GIT结构器件的漏端关态电流相比肖特基栅降低约2个量级,阈值电压约为0.61 V,峰值跨导为36 m S/mm。

关键词： GaN 选择性刻蚀电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 AlGaN/GaN HEMT 刻蚀形貌

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响

引用

电子器件 2018年第6期41卷 1367-1371页

作者：蔡剑辉陈治西刘晨鹤张栋梁刘强俞文杰刘新科马忠权上海大学物理系上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室广东深圳518060

为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和... 详细信息

为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和不同的亚阈值斜率。因此,只有减小了外界吸附分子的影响,才能获得具有稳定电学性能的MoS2器件,并确保迁移率、亚阈值斜率、开启电压等重要电学参数的可靠性。

关键词： MoS2背栅场效应晶体管杂质吸附不同的扫描条件回滞窗口亚阈值斜率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

相变存储器失效机理的研究进展

引用

物理 2018年第3期47卷 153-161页

作者：高丹刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 苏州科技大学化学生物与材料工程学院苏州215009

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为是最有可能成为下一代存储器的主流产品之一。然而存储器芯片的良率、密度和操作速度受制于性能最差的单元，因此研究相变存储器的失效机理对于存储器芯片成本的降低以及性能的... 详细信息

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为是最有可能成为下一代存储器的主流产品之一。然而存储器芯片的良率、密度和操作速度受制于性能最差的单元，因此研究相变存储器的失效机理对于存储器芯片成本的降低以及性能的提升至关重要。文章综述了相变存储器失效机理的研究进展，主要讨论和归纳了电性操作和工艺制程所导致的相变存储器失效模型和失效机理，包括电迁移、热动力学效应、相变应力和热应力、电压极性、结晶引发的偏析、浓度梯度、电极材料以及制造工艺引起的失效。

关键词：相变存储器失效机理电迁移应力制造工艺

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

接地网缺陷诊断中电磁场检测技术的研究进展

引用

功能材料与器件学报 2019年第3期25卷 156-161页

作者：姜海波何思阳高浩乾左文熙靳鹏飞俞杰贵州电网有限责任公司都匀供电局都匀558000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000 江苏大学机械工程学院镇江212000 中光华研电子科技有限公司上海200000

本文从接触式的电场或磁场测量法和非接触式的瞬态电磁法两个方面,总结了电磁场检测技术在接地网缺陷诊断应用中的发展,从电磁场检测技术的原理出发,分别从缺陷诊断方法、试验研究等方面综述了近年来电磁场检测技术在接地网缺陷诊断领... 详细信息

本文从接触式的电场或磁场测量法和非接触式的瞬态电磁法两个方面,总结了电磁场检测技术在接地网缺陷诊断应用中的发展,从电磁场检测技术的原理出发,分别从缺陷诊断方法、试验研究等方面综述了近年来电磁场检测技术在接地网缺陷诊断领域的重要研究成果;并在上述综述的基础上,展望了电磁场检测技术在接地网缺陷诊断应用中的研究方向,为今后接地网诊断电磁场检测技术的发展提供参考。

关键词：接地网缺陷诊断电磁场试验研究

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

X射线自由电子激光在物理学中的应用

引用

物理 2018年第7期47卷 418-425页

作者：泮丙营叶茂封东来鲁东大学物理与光电工程学院烟台264025 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室上海200433

在原子/分子空间尺度直接探测微观世界的飞秒量级动态复杂过程一直是科学家追求的梦想。2009年,X射线自由电子激光装置的出现使得这个梦想成为可能。文章将介绍近年来利用X射线自由电子激光装置在凝聚态物理、非线性光学、高压物理等研... 详细信息

在原子/分子空间尺度直接探测微观世界的飞秒量级动态复杂过程一直是科学家追求的梦想。2009年,X射线自由电子激光装置的出现使得这个梦想成为可能。文章将介绍近年来利用X射线自由电子激光装置在凝聚态物理、非线性光学、高压物理等研究领域取得的一些突破性进展,并展望其未来在解决重大物理问题中的可能应用。

关键词：自由电子激光物理科学超快过程

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种采用新型逻辑算法的SAR ADC

引用

微电子学与计算机 2018年第7期35卷 35-40页

作者：黄添益王本艳景蔚亮宋志棠陈邦明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学院大学北京100049 上海新储集成电路有限公司上海201500

基于SMIC 40nm CMOS工艺,设计了一种12位逐次逼近寄存器式模数转换器(SAR ADC).在正常工作模式的基础上,增加了当模拟输入信号变化缓慢时,锁定前4位,仅转换后8位的工作模式,降低了ADC的功耗,提高了ADC的采样率,同时分辨率保持不变.当模... 详细信息

基于SMIC 40nm CMOS工艺,设计了一种12位逐次逼近寄存器式模数转换器(SAR ADC).在正常工作模式的基础上,增加了当模拟输入信号变化缓慢时,锁定前4位,仅转换后8位的工作模式,降低了ADC的功耗,提高了ADC的采样率,同时分辨率保持不变.当模拟输入信号变化较大时,ADC又可重新回到正常工作模式.在1.1V的电源电压,3.6 MS/s的采样率下,ADC总功耗为43μW,品质因数FOM为10.1fJ/(conv.·step).

关键词：逐次逼近寄存器式模数转换器新型SAR逻辑锁定ADC前几位低功耗ADC

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

局域表面等离子体增强锗的光电响应特性

引用

上海大学学报（自然科学版） 2018年第2期24卷 207-216页

作者：齐功民狄增峰任伟上海大学理学院上海200444 上海大学量子与分子结构国际中心上海200444 中国科学院上海做系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

局域表面等离子体共振(local surface plasmon resonance,LSPR)因其对光独特的响应特性而在纳米光电子领域成为研究的重点.作为重要的微电子材料,锗在近红外波段的光电响应较弱,而把局域表面等离子体应用在锗材料中,必然会改善锗的光电... 详细信息

局域表面等离子体共振(local surface plasmon resonance,LSPR)因其对光独特的响应特性而在纳米光电子领域成为研究的重点.作为重要的微电子材料,锗在近红外波段的光电响应较弱,而把局域表面等离子体应用在锗材料中,必然会改善锗的光电响应特性.利用时域有限差分(finite difference time domain,FDTD)法,详细研究了1,2,3个银纳米颗粒嵌入锗中的消光光谱.结果发现,在可见光以及近红外比较宽的波长范围内,这种复合结构可以有效增强锗的光电响应特性,且多个孤立的银纳米颗粒会表现出与1个银纳米颗粒不一样的光电响应特性.同时,LSPR导致的光响应特性与光源的偏振、颗粒尺寸、颗粒个数以及颗粒之间的距离有依赖关系.这一结果不仅对锗在光电子领域的应用有重要意义,也可以拓宽局域表面等离子体在纳米光电子领域的应用范围.

关键词：光电子局域表面等离子体共振时域有限差分法银纳米颗粒消光光谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

二维氢原子中的基态奇异特性数值精确对角化法

引用

物理学报 2017年第23期66卷 9-15页

作者：刘褚航强百强季育琛李炜上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用数值有限差分法处理二维氢原子的基态波函数时,计算结果发现其存在着数值奇异特性.本文通过构造一套具有正交完备性的离散贝塞尔基函数,并结合基于Lanczos技术的数值精确对角化方法研究二维氢原子中的基态波函数的数值奇异特性,得... 详细信息

利用数值有限差分法处理二维氢原子的基态波函数时,计算结果发现其存在着数值奇异特性.本文通过构造一套具有正交完备性的离散贝塞尔基函数,并结合基于Lanczos技术的数值精确对角化方法研究二维氢原子中的基态波函数的数值奇异特性,得到的波函数数值解及其相应的本征能量均与解析结果相一致.这套新的完备的离散贝塞尔基函数,可以在研究一些波函数具有数值奇异特性的体系中发挥至关重要的作用.

关键词：二维氢原子离散贝塞尔基函数 Lanczos法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

化学气相沉积法在Cu-Ni合金衬底上生长多层六方氮化硼

引用

科学通报 2017年第20期62卷 2279-2286页

作者：杨鹏吴天如王浩敏卢光远邓联文黄生祥中南大学物理与电子学院长沙410083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维... 详细信息

六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维半导体材料的基底对其下方衬底表面悬挂键及电荷的屏蔽效果有限,多层h-BN可以提高屏蔽效果.本文通过化学气相沉积法,采用生长-刻蚀-再生长的方案在铜镍合金衬底上成功制备得到多层h-BN晶畴,刻蚀过程使铜镍合金重新漏出,显著提高了下一阶段生长过程中多层h-BN的外延生长速率,通过该方案得到三角形状的多层h-BN晶畴尺寸可达10~20mm.同时,使用扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、拉曼光谱、透射电子显微镜等一系列测试手段对多层h-BN表面形貌、化学成分及微观结构做了进一步表征.结果表明,h-BN中B 1s和N 1s的电子能谱峰值分别为190.4和397.8 e V,并且B和N两种元素的含量比为1.02:1;多层h-BN的拉曼光谱峰值位移在1365 cm^(-1),半高峰宽为18 cm^(-1);选区电子衍射结果说明,多层h-BN层间具有严格的AA′堆垛且每一层h-BN都具有相同的晶格取向.所有表征结果说明本文所得的多层h-BN单晶具有较好的晶体质量.

关键词：六方氮化硼多层化学气相沉积铜镍合金刻蚀结构表征

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：