检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2013年第4期19卷 202-207页

作者：张波俞文杰薛忠营魏星信息功能材料国家重点实验室上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海200050

本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si0.8Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响。研究结果充分表明:C+离子注入的Si0.8Ge0.2衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi0.8Ge0.2的热稳定性。此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8... 详细信息

本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si0.8Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响。研究结果充分表明:C+离子注入的Si0.8Ge0.2衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi0.8Ge0.2的热稳定性。此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2的界面,大幅度降低了NiSi0.8Ge0.2表面和NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2界面的粗糙度,高剂量C+注入的样品效果更为明显。

关键词：镍硅锗碳

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

N扩散对熔液法生长GaN晶体外延速率的影响

引用

功能材料与器件学报 2013年第2期19卷 59-62页

作者：王斌赵志德隋妍萍徐伟于广辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与... 详细信息

使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关。

关键词：氮化镓液相外延 XRD

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

选择性腐蚀Si_(1-x)Ge_x与Si制备绝缘体上超薄应变硅

引用

半导体技术 2013年第1期38卷 40-44页

作者：母志强薛忠营陈达狄增峰张苗中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选... 详细信息

基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选择性腐蚀的腐蚀速度与选择比的影响,优化了选择性腐蚀工艺。采用氨水、过氧化氢和水的混合溶液处理选择性腐蚀后的Si1-xGex与Si表面,得到了高应变度、高晶体质量的超薄SSOI。采用原子力显微镜(AFM)测试腐蚀速度以及腐蚀后的表面粗糙度;使用喇曼光谱仪表征Si1-xGex以及应变硅的组分以及应变度;使用透射电子显微镜(TEM)对SSOI的晶体质量进行了表征。结果表明,超薄SSOI的表面粗糙度(RMS)为0.446 nm,顶层Si的应变度为0.91%,顶层应变硅层厚度为18 nm,且具有高的晶体质量。

关键词：选择性腐蚀应变硅超薄绝缘体上应变硅锗硅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

超导纳米线单光子探测系统的时间抖动

引用

低温与超导 2013年第4期41卷 1-4,12页

作者：张文星陈思井刘登宽尤立星信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

超导纳米线单光子探测(SNSPD)器件具有较低的时间抖动特性,可以实现低误码率的QKD和高精度的激光测距。文中对超导纳米线单光子探测系统的时间抖动进行了详细的分析和测量,分析了SNSPD系统各部分对系统抖动的贡献。使用时间相关的单光... 详细信息

超导纳米线单光子探测(SNSPD)器件具有较低的时间抖动特性,可以实现低误码率的QKD和高精度的激光测距。文中对超导纳米线单光子探测系统的时间抖动进行了详细的分析和测量,分析了SNSPD系统各部分对系统抖动的贡献。使用时间相关的单光子计数技术(TCSPC)和示波器的抖动分析软件,分别测量了SNSPD系统的时间抖动,比较了两种方法的优劣。在两种测量方法下,系统总的时间抖动分别约为42ps和31ps,计算后得到单光子探测器件的抖动约为25ps。发现放大器的性能对系统时间抖动影响明显。通过使用不同放大器比较分析了测量得到的时间抖动。

关键词：超导单光子探测器时间抖动 TCSPC

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

离子注入改性SOI材料总剂量辐射退火效应和机理研究

引用

功能材料与器件学报 2013年第3期19卷 109-113页

作者：陈明毕大炜黄辉祥邹世昌张正选中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学

基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI... 详细信息

基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI材料抗辐射性能的机理。实验结果表明,采用该技术制备的绝缘体上硅材料抗总剂量能力达到1Mrad(Si);离子注入改性SOI材料在经过室温和高温退火后,辐射导致的固定电荷和界面态可以完全恢复;离子注入和高温退火在二氧化硅薄膜中形成硅纳米团簇结构,从而引入深电子陷阱,补偿总剂量辐射引起的绝缘埋层中的空穴积累。

关键词： SOI MOS 退火效应总剂量辐射离子注入离子掺杂改性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于二维长方晶格柱状光子晶体的衍射抑制

引用

功能材料与器件学报 2013年第2期19卷 73-78页

作者：李浩武爱民黄海阳李伟盛振王曦邹世昌甘甫烷中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 200050 中国科学院大学北京100049

通过等频图分析并结合时域有限差分法模拟,基于光子晶体自准直机制可以实现电磁能量高度局域的无衍射光束传播。实验上加工出柱状长方晶格光子晶体,利用红外CCD,在1540nm-1570nm波段范围内观测到0.4mm的自准直传播,通过粒子散射光亮度... 详细信息

通过等频图分析并结合时域有限差分法模拟,基于光子晶体自准直机制可以实现电磁能量高度局域的无衍射光束传播。实验上加工出柱状长方晶格光子晶体,利用红外CCD,在1540nm-1570nm波段范围内观测到0.4mm的自准直传播,通过粒子散射光亮度估算出光子晶体链上传输损耗为17dB/mm。该结构表现出来的宽频性能以及毫米量级的传输距离,使其具有应用在光互连中的潜力。

关键词：光子晶体自准直

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵

引用

电路与系统学报 2013年第1期18卷 449-452页

作者：宏潇陈后鹏宋志棠刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿... 详细信息

设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿真结果表明输出电压在0℃～80℃温度范围内最大仅有11mV的偏差,其与PFD所产生的相位噪声在1MHz频率下为-102dB。电路采用40nm CMOS工艺设计,电源电压2.5V,功耗0.125mW,芯片面积60 m×55 m。

关键词：电荷泵锁相环相位噪声相变存储器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路

引用

微电子学 2013年第5期43卷 637-640,645页

作者：范茜陈后鹏许伟义王倩蔡道林金荣宏潇李喜陈一峰宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用S... 详细信息

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。

关键词：相变存储器写驱动电路擦操作阶梯波

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种特别适用于片上LDO系统的过流保护电路

引用

电路与系统学报 2013年第1期18卷 1-4页

作者：胡佳俊陈后鹏金荣王倩宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200005

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于... 详细信息

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于CZ6H 0.35μm标准CMOS工艺,应用Cadence工具进行仿真,结果显示,该过流保护电路可以把稳压器的最大输出电流限定在300mA,输出短路电流不到20mA,在无片外电容的条件下,系统表现出良好的瞬态响应效果;此外,该过流保护模块非常易于调节来适应于不同的标准输出电压。

关键词：过流保护短路电流返送

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征

引用

半导体技术 2013年第10期38卷 755-759页

作者：徐大伟程新红曹铎郑理万文艳俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当... 详细信息

采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当氧等离子体和氨等离子体的功率分别为75 W和150 W时,界面层的生长得到了有效控制,厚度为0.83 nm,X射线光电子能谱分析表明该界面层主要由具有较高介电常数的HfSiON组成。MIS电容被用来研究HfO2薄膜的电学特性,当HfO2薄膜物理厚度为3 nm时,等效栅氧厚度为1.04 nm,电容回滞大小为35.8 mV。漏电特性曲线显示,在距离平带电压为1 V的位置处,漏电流密度仅为0.64!A/cm2。

关键词：等离子体预处理等离子体增强原子层沉积（PEALD）氧化铪高介电常数材料界面优化

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：