检索结果-内蒙古大学图书馆

外加电场对GaN/Al_xGa_(1-x)N双量子阱中性施主束缚能的影响

量子电子学报 2013年第3期30卷 360-366页

作者：孟婧王海龙龚谦封松林曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/Al_xGa_(1-x)双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响。给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和... 详细信息

在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/Al_xGa_(1-x)双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响。给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间势垒高度变化以及宽度不同时的束缚能。当双量子阱中间垒宽一定时,束缚能随着阱宽的变化会出现一个峰值。在阱宽一定时,随着中间垒宽度的增加,束缚能逐渐减小,并在垒宽增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似,束缚能不再明显变化。计算结果对设计和研究GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱发光和探测器件有一定的参考价值。

关键词：光电子学束缚能中性施主变分法打靶法对称双量子阱

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GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能

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量子电子学报 2013年第2期30卷 236-242页

作者：尹新王海龙龚谦封松林曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下,利用变分法对Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,... 详细信息

在有效质量近似下,利用变分法对Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值;外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布;Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显地影响阱中氢杂质束缚能。计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义。

关键词：光电子学束缚能

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原位液体透射电镜技术现状及展望简介

原位液体透射电镜技术现状及展望简介

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2014年全国电子显微学学术会议

作者：陈新成岩宋志棠周丽绘王宜冰王平曹红亮李唱魏非非华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室上海市先进聚合物材料重点实验室上海200237 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)上海200050 华东理工大学上海200237 华东理工大学生物医药纳米技术中心上海200237

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SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响(英文)

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发光学报 2013年第8期34卷 1017-1021页

作者：宋世巍梁红伟申人升柳阳张克雄夏晓川杜国同大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116024 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012

研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的... 详细信息

研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力。同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高。最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数。

关键词： SiN 应力弛豫插入层

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低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)

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发光学报 2013年第6期34卷 744-747页

作者：宋世巍柳阳梁红伟夏小川张克雄杨德超杜国同大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116024 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012

利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件... 详细信息

利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能。

关键词： LED 相分离插入层

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三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究

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功能材料与器件学报 2013年第6期19卷 270-274页

作者：刘旭焱宋三年刘卫丽宋志棠南阳师范学院物理与电子工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功... 详细信息

结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功转移了单晶PN结二极管层到含有金属W电极阵列的基片上,并制备了垂直二极管阵列。经过聚焦离子束加工和电镜观察得知基片上小型W电极与转移来的PN结构Si层接触良好,测试得到了标准的二极管特性曲线,开关比达到4个数量级。不过实验制备的二极管漏电流较大,开关比偏低,这些问题还需要在将来实验环境的改进和工艺的优化中得到解决。

关键词：三维集成电路相变存储器等离子活化键合智能剥离

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纳米SiO_2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用

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润滑与密封 2013年第7期38卷 88-91页

作者：张泽芳侯蕾闫未霞刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506

制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果... 详细信息

制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果表明,制备的纳米氧化硅抛光液对LED蓝宝石衬底具有优异的抛光性能,抛光后的表面无划伤、无腐蚀坑,且粗糙度小于0.2 nm。

关键词：蓝宝石氧化硅抛光 LED 抛光液

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衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响

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发光学报 2013年第3期34卷 340-344页

作者：杨德超梁红伟邱宇宋世巍申人升柳阳夏晓川俞振南杜国同吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130023 大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116024 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 浙江水晶光电科技股份有限公司浙江台州318015

利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延... 详细信息

利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能。随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移。

关键词： GaN LED 弯曲度残余应力

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光子晶体狄拉克点周围的等效哈密顿量

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功能材料与器件学报 2013年第4期19卷 161-168页

作者：刘淼张小刚林旭林蒋寻涯中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学复旦大学信息工程学院电光源系复旦大学先进照明技术教育部工程研究中心

光子晶体Dirac点周围的性质是国际的一个研究热点,我们基于厄米算符本征方程形式的麦克斯韦方程和微扰论,引入破坏空间反演对称性和时间反演对称性的扰动,严格推导出Dirac点被打开后其周围的等效哈密顿量,并指出前人工作的一些基本错误... 详细信息

光子晶体Dirac点周围的性质是国际的一个研究热点,我们基于厄米算符本征方程形式的麦克斯韦方程和微扰论,引入破坏空间反演对称性和时间反演对称性的扰动,严格推导出Dirac点被打开后其周围的等效哈密顿量,并指出前人工作的一些基本错误。该哈密顿量具有广泛的用途,例如,可以用来描述光在光子晶体块材(bulk)中的传播性质和求解有限光子晶体的边界态等等。

关键词：等效哈密顿量光子晶体时间反演对称性周围

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色散旋性材料及磁畴的能带结构与本征模式的厄米矩阵求法

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功能材料与器件学报 2013年第5期19卷 222-226页

作者：张小刚李伟蒋寻涯中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学复旦大学信息科学与技术院光源与照明工程系复旦大学教育部高级光源研究中心

我们把色散、无损耗旋磁材料体模的能带结构看作厄米本征值问题。进一步计算表明,该本征模式是一组正交完备基,并且可以用于严格计算有损耗时此种色散体系的本征模式。我们也给出了存在畴界时的边界模式通过该厄米矩阵来求解的方法,表... 详细信息

我们把色散、无损耗旋磁材料体模的能带结构看作厄米本征值问题。进一步计算表明,该本征模式是一组正交完备基,并且可以用于严格计算有损耗时此种色散体系的本征模式。我们也给出了存在畴界时的边界模式通过该厄米矩阵来求解的方法,表明该模式具有单向传输的特性。

关键词：本征模厄米矩阵旋磁材料能带结构单向传输本征值问题磁畴磁场方向本征方程微扰理论

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