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机构

  • 210 篇 中国科学院半导体...
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  • 5 篇 河北工业大学
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作者

  • 203 篇 王占国
  • 55 篇 刘峰奇
  • 48 篇 陈诺夫
  • 43 篇 杨少延
  • 42 篇 刘志凯
  • 36 篇 徐波
  • 32 篇 wang zhanguo
  • 32 篇 金鹏
  • 30 篇 陈涌海
  • 29 篇 陆大成
  • 28 篇 刘祥林
  • 28 篇 柴春林
  • 27 篇 刘俊岐
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  • 22 篇 赵玲娟
  • 22 篇 wang zhan-guo
  • 20 篇 杨涛
  • 20 篇 林兰英
  • 19 篇 王晓亮

语言

  • 489 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室"
489 条 记 录,以下是81-90 订阅
排序:
离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物
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稀有金属 2001年 第4期25卷 289-293页
作者: 杨君玲 陈诺夫 刘志凯 杨少延 柴春林 廖梅勇 何宏家 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083
利用质量分离的低能双离子束外延技术 ,得到了 (Ga ,Mn ,As)化合物。衬底温度 5 2 3K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明 ,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为 3 0nm的外延层 ,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里 ,注入深度约为 ... 详细信息
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二元高k材料研究进展及制备
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功能材料 2002年 第5期33卷 462-464,467页
作者: 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 张志成 陈诺夫 林兰英 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083
随着大规模集成电路的发展 ,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2 ,介绍了有可能替代SiO2 的几种二元材料研究现状 ,主要包括Si3N4 、Ta2 O5、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3、Gd2 O3和CeO2几种材料的结构和电学性能 ,以及制备薄膜的几种方法 :... 详细信息
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Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE Growth of Ga_xAl_yIn_(1-x-y) N
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Journal of Semiconductors 2001年 第6期22卷 677-683页
作者: 陆大成 段树坤 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083 中国科学院半导体研究所 北京100083
***]A quasi-thermodynamic model of MOVPE growth of Ga xAl yIn 1-x-y N alloys has been proposed with TMGa,TMAl,TMIn and ammonia as *** this model,the effect of decomposition of ammonia has been con- sidered an... 详细信息
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大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器
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Journal of Semiconductors 2000年 第8期21卷 827-829页
作者: 王占国 刘峰奇 梁基本 徐波 丁鼎 龚谦 韩勤 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083
利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :温连续输出功率大于 3.5W,温阈值电... 详细信息
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质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜
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稀有金属 2001年 第6期25卷 401-403,410页
作者: 柴春林 杨少延 刘志凯 廖梅勇 陈诺夫 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083
利用一种全新的薄膜生长技术—质量分离的双离子束沉积技术 ,在较低温度 ( 40 0℃ )下对CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )薄膜的生长进行了研究。两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响 ,较高能量 ( 3 0 0eV)的离子... 详细信息
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应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器
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Journal of Semiconductors 2000年 第10期21卷 1038-1040页
作者: 刘峰奇 张永照 张权生 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083
利用应变补偿的方法研制出激射波长 λ≈ 3.5— 3.7μm的量子级联激光器 .条宽 2 0 μm,腔长 1 .6mm的 Inx Ga1- x As/Iny Al1- y As量子级联激光器已实现温准连续激射 .在最大输出功率处的准连续激射可持续 30 min以上 .
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分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究
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Journal of Semiconductors 1993年 第12期14卷 768-770页
作者: 梁基本 孔梅影 王占国 朱战萍 段维新 王春艳 张学渊 曾一平 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083
用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究
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DFB激光器阵列与MMI耦合器、SOA的单片集成
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光电子.激光 2013年 第3期24卷 424-428页
作者: 马丽 朱洪亮 梁松 王宝军 张灿 赵玲娟 边静 陈明华 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室北京100083 清华大学电子工程系 北京100084
采用变脊宽原理和对接生长技术,设计并制作了4通道分布反馈(DFB)激光器阵列与多模干涉(MMI)耦合器、半导体光放大器(SOA)的单片集成器件。在25℃的测试温度下,激光器的阈值电流约55~60mA;当激光器注入150mA、SOA注入50mA电流时,各通道... 详细信息
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ZnO:Tb纳米晶的协同发光现象
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物理学报 2000年 第11期49卷 2307-2309页
作者: 刘舒曼 刘峰奇 张志华 郭海清 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083 北京大学化学与分子工程学院 稀土材料化学与应用国家重点实验室北京100871
用光致发光的方法研究了掺铽的ZnO纳米晶这种新型掺杂纳米晶体系 ,观察到了其中的协同发光现象 ,指出ZnO纳米基质与掺入其中的铽中心之间存在有效的能量传递 .
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Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂工艺研究现状
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半导体光电 2016年 第5期37卷 601-609页
作者: 任敬川 刘超 崔利杰 曾一平 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083
相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的单极性掺杂难题而成为未来新型光电器件发展的一个重要方向。文章着重介绍了分子束外延(MBE)技术生长ZnS... 详细信息
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