检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2020年第1期39卷 56-64页

作者：方桐刘力源刘朝阳冯鹏李媛媛刘俊岐刘剑吴南健中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

基于Dyakonov和Shur等离子体波振荡原理设计并流片制备了一种采用65 nm标准CMOS工艺的3.0THz探测器,探测器包括贴片天线、NMOS场效应晶体管、匹配网络及陷波滤波器。探测器在室温条件下可达到526 V/W的响应率(Rv)和73 pW/Hz1/2的噪声等... 详细信息

基于Dyakonov和Shur等离子体波振荡原理设计并流片制备了一种采用65 nm标准CMOS工艺的3.0THz探测器,探测器包括贴片天线、NMOS场效应晶体管、匹配网络及陷波滤波器。探测器在室温条件下可达到526 V/W的响应率(Rv)和73 pW/Hz1/2的噪声等效功率(NEP)。采用该探测器和步进电机搭建了太赫兹扫描成像系统,获得了太赫兹源出射光斑的远场形状,光斑的半高宽(FWHM)为240μm;并对聚甲醛牙签和树叶进行了扫描成像实验,结果表明CMOS太赫兹探测器在成像领域有潜在的应用前景。

关键词： CMOS 太赫兹太赫兹成像太赫兹探测器

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时效对激光重熔Mo_(0.5)NbTiVCr_(0.25)高熵合金涂层组织及性能的影响

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热加工工艺 2025年第3期54卷 65-70页

作者：何吉刘翠荣付华萌李松涛朱正旺张龙李正坤李宏太原科技大学材料科学与工程学院山西太原030024 中国科学院金属研究所师昌旭先进材料创新中心辽宁沈阳110016 中国科学院金属研究所中国科学院核用材料与安全评价重点实验室辽宁沈阳110016

研究了不同温度时效热处理对激光重熔Mo_(0.5)NbTiVCr_(0.25)高熵合金涂层微观组织和维氏硬度的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、电子背散射衍射仪(EBSD)和维氏硬度机对重熔涂层和重熔热处理涂层进行微观组织和显微硬度测... 详细信息

研究了不同温度时效热处理对激光重熔Mo_(0.5)NbTiVCr_(0.25)高熵合金涂层微观组织和维氏硬度的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、电子背散射衍射仪(EBSD)和维氏硬度机对重熔涂层和重熔热处理涂层进行微观组织和显微硬度测试。结果表明:重熔涂层经时效热处理后微观组织的变化不明显,仍以枝晶结构为主。该重熔涂层经时效热处理后晶粒的尺寸有所增加,在时效800℃及以上的温度,有含Ti析出相。经时效热处理后,涂层的硬度整体随温度升高呈下降趋势。

关键词：激光重熔高熵合金时效显微组织硬度

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InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究

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红外与毫米波学报 1997年第2期16卷 131-136页

作者：李国华韩和相汪兆平李伟王占国中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

在１５Ｋ下测量了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构的静压光致发光，静压范围为０～８ＧＰａ．常压下ＩｎＡｓ层中重空穴激子的发光峰随ＩｎＡｓ层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小．其压力行为与ＧａＡｓ基体的基本一致，表明... 详细信息

在１５Ｋ下测量了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构的静压光致发光，静压范围为０～８ＧＰａ．常压下ＩｎＡｓ层中重空穴激子的发光峰随ＩｎＡｓ层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小．其压力行为与ＧａＡｓ基体的基本一致，表明量子阱（线、点）模型仍适用于ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构．

关键词：亚单层静压光致发光砷化铟半导体

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双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

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材料工程 2011年第8期39卷 5-7,13页

作者：刘石勇曾湘波彭文博姚文杰谢小兵杨萍王超王占国中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京100083

采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜。高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission ElectronMicroscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm。对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究。结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加。提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%。

关键词：纳米硅氢稀释比光学带隙

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有机电致发光器件的瞬态电响应特性

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发光学报 2015年第6期36卷 699-704页

作者：牛立涛关敏楚新波曾一平李弋洋张杨中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

详细研究了有机发光二极管(OLED)在脉冲电压下的瞬态电流响应特性。瞬态响应电流由3部分组成:正向电流峰(IP)、稳态电流(IS)及反向电流峰(IN)。研究发现IS为器件工作时通过器件的电流,而IN与IP则分别对应OLED器件电极/有机界面附近的空... 详细信息

详细研究了有机发光二极管(OLED)在脉冲电压下的瞬态电流响应特性。瞬态响应电流由3部分组成:正向电流峰(IP)、稳态电流(IS)及反向电流峰(IN)。研究发现IS为器件工作时通过器件的电流,而IN与IP则分别对应OLED器件电极/有机界面附近的空间电荷的形成及消失过程。IN、IP与脉冲电压成线性关系,阳极的费米能级与空穴传输材料的HOMO能级差导致IN大于IP。利用不同占空比的双脉冲电压研究了电流与空间电荷的关系,发现空间电荷的充分放电临界占空比只受界面接触的影响,而与器件内部结构无关。

关键词：有机发光二极管瞬态电流响应界面空间电荷

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基于二维材料的Ⅲ族氮化物外延

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化学学报 2017年第3期75卷 271-279页

作者：谭晓宇杨少延李辉杰中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

Ⅲ族氮化物合金因其宽广的可调能隙和优良的光电性能,在照明、电力电子、通讯、能源等领域有巨大优势,促使其材料制备技术不断发展.如何解决Ⅲ族氮化物异质外延过程中晶格及热胀失配对材料质量的影响,是当前的研究重点.近年来,二维材料... 详细信息

Ⅲ族氮化物合金因其宽广的可调能隙和优良的光电性能,在照明、电力电子、通讯、能源等领域有巨大优势,促使其材料制备技术不断发展.如何解决Ⅲ族氮化物异质外延过程中晶格及热胀失配对材料质量的影响,是当前的研究重点.近年来,二维材料作为一类新兴材料受到了极大的关注.借助二维材料层间弱键合的特性,有望降低Ⅲ族氮化物的制备成本、提高晶体质量,并实现柔性器件的制备,从而将其应用领域拓宽至可穿戴器件、可折叠器件等.本文综述了近年来国内外在二维材料上制备Ⅲ族氮化物的研究报道,介绍了石墨烯、六方氮化硼、过渡金属硫族化物等二维材料上制备氮化物的各种尝试和成果,总结了二维材料上Ⅲ族氮化物制备的特点,并对其未来发展趋势做了展望.

关键词：氮化镓石墨烯六方氮化硼过渡金属硫族化物

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多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究

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红外与毫米波学报 2000年第1期19卷 19-23页

作者：陈晔张旺李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083

测量了自组织多层In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点的变温光致发光谱,同时观察到来自浸润层和量子点的发光,首次直接观察到了浸润层和量子点之间的载流子热转移.分析发光强度随温度的变化发现浸润层发光的热淬灭包括两个过程:低温时... 详细信息

测量了自组织多层In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点的变温光致发光谱,同时观察到来自浸润层和量子点的发光,首次直接观察到了浸润层和量子点之间的载流子热转移.分析发光强度随温度的变化发现浸润层发光的热淬灭包括两个过程:低温时浸润层的激子从局域态热激发到扩展态,然后被量子点俘获;而温度较高时则通过势垒层的X能谷淬灭.利用速率方程模拟了激子在浸润层和量子点间的转移过程。

关键词：量子点光致发光浸润层三元素化合物半导体

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不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

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物理学报 2000年第11期49卷 2230-2234页

作者：王晓东刘会赟牛智川封松林中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083

研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤ 0 3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响 .透射电子显微镜和原子力显微镜表明 ,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小 ,并且x =0 3时 ,InGaAs在InAs量子点上继... 详细信息

研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤ 0 3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响 .透射电子显微镜和原子力显微镜表明 ,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小 ,并且x =0 3时 ,InGaAs在InAs量子点上继续成岛 .随x值的增大 ,量子点的光荧光峰红移 ,但随温度的变化发光峰峰位变化不明显 .理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因 .

关键词：量子点盖层应力红移砷化铟半导体

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介质衬底上生长h-BN二维原子晶体的研究进展

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无机材料学报 2019年第12期34卷 1245-1256页

作者：张兴旺高孟磊孟军华中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

六方氮化硼(h-BN)二维原子晶体以其独特的结构、优异的性质以及广泛的应用前景引起了人们的普遍关注。高质量h-BN材料的制备是其性质研究与实际应用的前提。机械剥离的h-BN尺寸有限,普遍采用的化学气相沉积(CVD)技术通常以过渡金属为衬... 详细信息

六方氮化硼(h-BN)二维原子晶体以其独特的结构、优异的性质以及广泛的应用前景引起了人们的普遍关注。高质量h-BN材料的制备是其性质研究与实际应用的前提。机械剥离的h-BN尺寸有限,普遍采用的化学气相沉积(CVD)技术通常以过渡金属为衬底,器件应用时需要将h-BN转移到其它衬底上。因此,在介质衬底上直接生长h-BN成为二维材料研究领域的一个重要发展方向。本文总结了近年来介质衬底(包括:Si基衬底、蓝宝石衬底和石英衬底等)上直接生长h-BN二维原子晶体的主要进展。人们采用CVD、金属有机气相外延法(MOVPE)、物理气相沉积法(PVD)等方法,通过提高生长温度、衬底表面处理、两步生长等工艺实现了介质衬底上直接生长h-BN。此外,还介绍了介质衬底上h-BN二维原子晶体的主要应用。

关键词：六方氮化硼二维材料介质衬底直接生长综述

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取样光栅分布反馈激光器阵列器件研究

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光电子．激光 2010年第9期21卷 1280-1282页

作者：朱洪亮许晓冬王桓孔端花梁松王宝军赵玲娟王圩中国科学院半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所北京100083

采用了一种基于取样光栅原理制作多通道增益-折射率耦合型光栅的方法,成功制作了8波长分布反馈(DFB)激光器阵列,阵列中各激光器的阈值电流为30～40 mA,注入电流为100 mA时的平均输出光功率为10mW,阵列器件实现了波长的可选择性激射,相... 详细信息

采用了一种基于取样光栅原理制作多通道增益-折射率耦合型光栅的方法,成功制作了8波长分布反馈(DFB)激光器阵列,阵列中各激光器的阈值电流为30～40 mA,注入电流为100 mA时的平均输出光功率为10mW,阵列器件实现了波长的可选择性激射,相邻激光器间的频率间距为200 GHz,验证了用取样光栅方法制作DFB激光器阵列的可行性。

关键词：分布反馈(DFB)激光器取样光栅半导体激光器阵列

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