检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2021年第1期51卷 112-115,120页

作者：刘玉奎殷万军谭开洲崔伟中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电... 详细信息

采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电流I_(DT)是一种复合电流,随着栅源电压超过阈值V_(GS)0,它会呈现I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象。从MOS-Bipolar复合模式下的碰撞电离和Snapback效应两方面对I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象进行了理论分析。研究结果可用于优化CMOS/BiCMOS IC的ESD设计。

关键词：微分负阻碰撞电离 MOS-Bipolar复合模式静电释放

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芯片面积对CSOP10型陶瓷封装IC热特性的影响研究

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微电子学 2021年第5期51卷 761-765页

作者：张峪铭易文双夏军王雅婷付晓君中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

针对CSOP10型陶瓷封装集成电路热特性参数随芯片面积的变化规律,运用仿真分析、理论计算、试验相结合的方法展开研究。结果表明,仿真分析与理论计算、试验的误差在合理范围内;随着芯片面积增大,CSOP10型陶瓷封装集成电路的结-壳热阻、结... 详细信息

针对CSOP10型陶瓷封装集成电路热特性参数随芯片面积的变化规律,运用仿真分析、理论计算、试验相结合的方法展开研究。结果表明,仿真分析与理论计算、试验的误差在合理范围内;随着芯片面积增大,CSOP10型陶瓷封装集成电路的结-壳热阻、结-环境热阻、结-壳热特性三种热特性参数随之减小,变化趋势减缓,数值趋于稳定。

关键词：集成电路陶瓷封装 CSOP 热特性芯片面积

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2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究

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微电子学 2021年第2期51卷 270-275页

作者：刘玉奎崔伟毛儒焱孙士殷万军中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 重庆西南集成电路设计有限责任公司重庆400060

硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结... 详细信息

硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析。研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10μm×80μm TSV的单孔电阻为26 mΩ,1.7μm厚度的Cu-RDL的方块电阻为9.4 mΩ/,测试结果与理论计算值相吻合。本研究工作为2.5D/3D集成工艺的研发和建模提供了基础技术支撑。

关键词： 2.5D硅转接板铜再布线硅通孔电阻测试 3D集成电路

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发光窗口对MOS结构硅LED电光性能的影响

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发光学报 2020年第7期41卷 834-838页

作者：吴克军黄兴发李则鹏易波赵建明钱津超徐开凯电子科技大学电子科学与工程学院四川成都610054 中国电科第二十四研究所模拟集成电路重点实验室重庆400060

通过0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的硅基发光器件。该光源器件在一个n阱中设计了两个相同的PMOS,分别利用p+源/漏区与n阱形成的p+n结进行反偏雪崩击穿而发射可见光。测试结果显示,该光源器件在正偏状态下的开启电压为0.8... 详细信息

通过0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的硅基发光器件。该光源器件在一个n阱中设计了两个相同的PMOS,分别利用p+源/漏区与n阱形成的p+n结进行反偏雪崩击穿而发射可见光。测试结果显示,该光源器件在正偏状态下的开启电压为0.8 V,在6 V的反偏电压下发生雪崩击穿,能够发出黄色的可见光,发光频谱范围为420~780 nm。本文对比了0.5μm和2μm两个不同发光窗口宽度的测试结果,发现该光源器件在更小发光窗口具有更高的发光强度和更好的发光均匀度,该特征与发光器件的反向电流密度分布和光在金属电极间的反射有关。研究成果在片上硅基光电集成回路中具有一定的应用价值。

关键词：硅基发光器件 CMOS工艺发光窗口

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机械应力对双极晶体管β的影响研究

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微电子学 2021年第3期51卷 399-403页

作者：刘勇刘建张培健王飞肖添重庆中科渝芯电子有限公司重庆400000 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

在芯片制造工艺过程中,机械应力对纵向NPN管共射电流增益β有很大影响。通过对上方第二层铝开槽可使β值回升。在第一层铝与第二层铝间的IMD层中加入压应力Si3N4膜,尺寸最大的NPN管的β恢复正常,而其他尺寸的NPN、PNP管的β均有不同程... 详细信息

在芯片制造工艺过程中,机械应力对纵向NPN管共射电流增益β有很大影响。通过对上方第二层铝开槽可使β值回升。在第一层铝与第二层铝间的IMD层中加入压应力Si3N4膜,尺寸最大的NPN管的β恢复正常,而其他尺寸的NPN、PNP管的β均有不同程度上升。应用能带理论分析了应力对双极晶体管β的影响机制。结果表明,体硅(100)晶面内的应力对纵向NPN和纵向PNP管的β均有很大影响,并通过实验得到了验证。

关键词：双极晶体管电流放大系数应力应变能带

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基于0.13μm SiGe BJT工艺的25 GHz超宽带采样/保持电路

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微电子学 2021年第4期51卷 461-465页

作者：杨潇雨王永禄孙伟重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

提出了一种基于0.13μm SiGe BJT工艺的超宽带采样/保持电路。采用辅助开关电路,优先对信号进行提前处理,提高了电路的线性度。采用全差分开环结构和多级级联输出缓冲器,有效减少了下垂率。在5 V电源电压和100 fF负载电容下,采用Cadence... 详细信息

提出了一种基于0.13μm SiGe BJT工艺的超宽带采样/保持电路。采用辅助开关电路,优先对信号进行提前处理,提高了电路的线性度。采用全差分开环结构和多级级联输出缓冲器,有效减少了下垂率。在5 V电源电压和100 fF负载电容下,采用Cadence Spectre进行仿真分析。结果表明,在相干采样下,时钟频率为4 GHz;在高频18 GHz下,无杂散动态范围(SFDR)达63.99 dB,高频特性好。该电路的带宽达到25.1 GHz,适用于高速A/D转换器。

关键词：采样/保持电路宽带辅助开关 SiGe BJT工艺

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采用采样开关线性增强技术的12位100MS/s SAR ADC

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微电子学 2020年第5期50卷 653-658页

作者：戴永红徐代果蒲杰徐世六张建平张俊安王健安中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

提出了一种采用采样开关线性增强技术的12位100 Ms/s SAR模数转换器(ADC)。首先采用了一种基片浮动技术,随着输入信号的变化,采样开关的寄生电容变化减小,总寄生电容降低。其次采用了一种采样开关基片升压技术,降低了采样开关的导通阻... 详细信息

提出了一种采用采样开关线性增强技术的12位100 Ms/s SAR模数转换器(ADC)。首先采用了一种基片浮动技术,随着输入信号的变化,采样开关的寄生电容变化减小,总寄生电容降低。其次采用了一种采样开关基片升压技术,降低了采样开关的导通阻抗。最后,采用40 nm CMOS工艺制作了一种12位100 MS/s SAR ADC。测试结果表明,在电源电压1 V下,该ADC的SNDR为64.9 dB,SFDR为83.2 dB,消耗功率为2 mW。该ADC的核心电路尺寸为0.14μm×0.14μm。FoM值为13.8 fJ/(conv·step)@Nyquist频率。

关键词：模数转换器线性增强采样开关逐次逼近寄存器

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一种全MOS高精度基准电压源电路

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微电子学 2021年第5期51卷 627-631页

作者：徐全坤李儒章王忠焰杨潇雨肖渝重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路。采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积。采用新型可变电阻方法,实现了精确补偿。采用两级式基准电压源,提高了电源抑制比。使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进... 详细信息

基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路。采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积。采用新型可变电阻方法,实现了精确补偿。采用两级式基准电压源,提高了电源抑制比。使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进行仿真。结果表明,当温度范围为-40℃~125℃时,基准电压为1.146V,温度系数为1.025×10^(-5)℃^(-1)。在27℃时,静态电流为6.57μA,PSRR分别为-96.64dB@100Hz、-93.94dB@10kHz。电源电压在2.9~5V范围变化时,基准电压的线性调整度为0.047%。该电路适用于低功耗、高精度的模拟集成电路。

关键词：高精度基准高电源抑制比低功耗预稳压电路

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埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究

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微电子学 2020年第5期50卷 755-760页

作者：蔡浩张霞王斌谭开洲重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两... 详细信息

对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两种器件常态击穿分别为580 V和660 V,在栅极关断电压为-10 V下,SIT的单粒子烧毁效应临界漏极电压为440 V,远高于VDMOS关断时230 V的临界漏极电压;SIT发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-3A/μm,而VDMOS发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-4A/μm,SIT在抗SEB效应方面比VDMOS具有更大的优势。同类研究少见文献报道。对埋栅SIT样品进行了试制,样品击穿电压为530 V。

关键词：静电感应晶体管垂直双扩散MOSFET 单粒子烧毁效应 Medici

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瞬态电子技术发展现状

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微电子学 2020年第4期50卷 555-563页

作者：肖渝张正元廖希异重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

瞬态电子器件是一种在使用阶段稳定运行、在特定条件下触发实现自动销毁或降解的新型先进电子器件。瞬态电子技术作为构建绿色电子和生物医学设备的基础,近年来受到越来越多的关注。文章介绍了瞬态电子器件的材料、加工工艺、触发机制... 详细信息

瞬态电子器件是一种在使用阶段稳定运行、在特定条件下触发实现自动销毁或降解的新型先进电子器件。瞬态电子技术作为构建绿色电子和生物医学设备的基础,近年来受到越来越多的关注。文章介绍了瞬态电子器件的材料、加工工艺、触发机制和重要瞬态器件,对瞬态电子领域的未来发展趋势作出了展望。

关键词：瞬态电子技术可降解材料加工工艺触发机制

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