检索结果-内蒙古大学图书馆

激光杂志 2020年第4期41卷 125-129页

作者：李皎雪张瑞涛张俊安陈光炳中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 重庆中科芯亿达电子有限公司重庆400060 重庆理工大学两江人工智能学院重庆401135 模拟集成电路重点实验室重庆400060

描述了一款采用0.18μm CMOS工艺的14位2.4 GHz DDS芯片。该芯片内部集成14位2.4 GHz DAC将DDS数字波形转化为模拟波形输出。为了降低对DAC性能的设计要求,采用了数字辅助预失真校准技术来改善DDS模拟输出的动态性能。测试结果显示,在2.... 详细信息

描述了一款采用0.18μm CMOS工艺的14位2.4 GHz DDS芯片。该芯片内部集成14位2.4 GHz DAC将DDS数字波形转化为模拟波形输出。为了降低对DAC性能的设计要求,采用了数字辅助预失真校准技术来改善DDS模拟输出的动态性能。测试结果显示,在2.4 GHz的采样率下,采用数字辅助预失真校准技术,输出35 MHz时,DDS芯片的SFDR由46.6 d B提高到69 dB;当输出775 MHz时,DDS芯片的SFDR由31.8 dB提高到53.3 dB。

关键词：直接数字频率合成器数字辅助预失真校准技术

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基于比较器亚稳态抑制技术的8位320 MS/s SAR ADC

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微电子学 2019年第2期49卷 153-158,167页

作者：王文捷邱盛徐代果中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC... 详细信息

提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC能在转换与采样模式之间快速切换。与传统技术相比,随着工艺角、电源电压和温度(PVT)的变化,ADC的采样时间会被最大化。基于65 nm CMOS工艺,设计了一种8位320 MS/s SAR ADC。芯片测试结果表明,在1 V电源电压下,功耗为1 mW,信号噪声失真比(SNDR)>43 dB,无杂散动态范围(SFDR)>53.3 dB。SAR ADC核的芯片面积为0.021 mm^2,在Nyquist采样率下,优值为29 fJ/step。

关键词：逐次逼近型模数转换器比较器亚稳态抑制技术转换时间复用技术

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毫米波天线集成技术研究进展

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微电子学 2019年第4期49卷 551-557,573页

作者：王文捷邱盛王健安赖凡中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

作为5G大规模多输入/多输出(MIMO)的技术支持,毫米波天线集成技术是实现高分辨数据流、移动分布式计算等应用场景的关键技术。讨论了封装天线(AiP)、片上天线(AoC)、混合集成等毫米波天线集成技术发展状况、关键技术及其解决方案,剖析... 详细信息

作为5G大规模多输入/多输出(MIMO)的技术支持,毫米波天线集成技术是实现高分辨数据流、移动分布式计算等应用场景的关键技术。讨论了封装天线(AiP)、片上天线(AoC)、混合集成等毫米波天线集成技术发展状况、关键技术及其解决方案,剖析了几种典型集成天线技术,分析了技术发展脉络,总结了5G毫米波集成天线一体化技术的发展趋势。

关键词：相控阵毫米波天线封装天线片上天线混合集成天线

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毫米波片上雷达技术研究进展

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微电子学 2019年第4期49卷 545-550页

作者：李骏王健安赖凡中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

硅微电子技术的进步推动着雷达技术向着毫米波频段片上方向发展。片上雷达优良的性能和小型化优势使其在汽车及其他新领域获得越来越广泛的应用。阐述了基于SiGe BiCMOS和CMOS技术研制的几种主流硅毫米波片上雷达的电路结构、无源元件... 详细信息

硅微电子技术的进步推动着雷达技术向着毫米波频段片上方向发展。片上雷达优良的性能和小型化优势使其在汽车及其他新领域获得越来越广泛的应用。阐述了基于SiGe BiCMOS和CMOS技术研制的几种主流硅毫米波片上雷达的电路结构、无源元件和封装技术,分析了其发展情况和面临的挑战,指出了片上毫米波雷达技术和应用的发展趋势。

关键词：毫米波片上雷达 SiGe BiCMOS CMOS 收发器天线

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双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究

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微电子学 2019年第2期49卷 164-167页

作者：邱盛王文捷王健安张培健中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析... 详细信息

以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析了总剂量辐照效应对NPN管的损伤机理和模式。该提取方法适用于多晶硅发射极器件,也适用于SiGe HBT器件。

关键词：多晶硅发射极发射极电阻总剂量辐照电流增益退化

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一种新型开关电流余量放大器

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微电子学 2019年第5期49卷 632-636页

作者：邓民明王旭刘涛张昕模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

提出了一种基于互补双极工艺的新型余量放大器。该余量放大器由电阻反馈阵列、开关电流阵列和互补双极运算放大器组成,采用了恒定共模电流的方式。相比于传统余量放大器,该余量放大器的时序更简单、精度更高。采用开关电流阵列来调整整... 详细信息

提出了一种基于互补双极工艺的新型余量放大器。该余量放大器由电阻反馈阵列、开关电流阵列和互补双极运算放大器组成,采用了恒定共模电流的方式。相比于传统余量放大器,该余量放大器的时序更简单、精度更高。采用开关电流阵列来调整整个余量放大器的电流流向,采用带高增益放大器的电阻反馈阵列来产生相应的余量放大。在流水线模数转换器中,该余量放大器实现了分段放大功能。

关键词：余量放大器流水线模数转换器开关电流电阻阵列互补双极工艺

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高速宽带锁相环的相位噪声影响研究

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微电子学 2019年第4期49卷 467-470,476页

作者：刘琨李铁虎张俊安中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 重庆理工大学两江人工智能学院重庆401135

介绍了一种高速宽带锁相环的架构设计和基本原理。设计了双压控振荡器结构,使得锁相环输出时钟信号的频率范围达到6.0~12.5 GHz。基于锁相环的线性模型,从理论上分析了各单元电路的相位噪声对总体输出相位噪声的影响。基于65 nm CMOS工... 详细信息

介绍了一种高速宽带锁相环的架构设计和基本原理。设计了双压控振荡器结构,使得锁相环输出时钟信号的频率范围达到6.0~12.5 GHz。基于锁相环的线性模型,从理论上分析了各单元电路的相位噪声对总体输出相位噪声的影响。基于65 nm CMOS工艺,根据各单元电路相位噪声的典型数据,对锁相环的输出相位噪声和等效时钟抖动等参数进行了仿真。结果表明,电荷泵、输入参考时钟、分频器、压控振荡器对整体输出噪声的贡献分别为35.8%、30.3%、18.3%、14.6%,环路滤波器对相位噪声贡献很小。锁相环的整体仿真结果显示,在各种工艺角下,锁相环的输出时钟信号频率均可达到12.5 GHz,高频输出相位噪声带来的时钟抖动均小于1 ps。

关键词：锁相环相位噪声时钟抖动工艺角

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用于高速高精度流水线ADC的开关电容比较器

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微电子学 2019年第1期49卷 7-11,16页

作者：宋健张勇李婷四川工程职业技术学院电气信息工程系四川德阳618000 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

在65nm CMOS工艺条件下,设计了一种用于高速高精度流水线ADC的开关电容比较器。采用单电容结构,实现了比较结果的最小化传输延迟。利用正反馈电容将采样网络的实极点调制为复极点,以减小采样传输延迟。用静态锁存器替代高速双尾动态锁存... 详细信息

在65nm CMOS工艺条件下,设计了一种用于高速高精度流水线ADC的开关电容比较器。采用单电容结构,实现了比较结果的最小化传输延迟。利用正反馈电容将采样网络的实极点调制为复极点,以减小采样传输延迟。用静态锁存器替代高速双尾动态锁存器,以适应正反馈的电容结构。数字驱动部分采用正反馈方式,以提升传输速度。Spectre仿真结果表明,在14位精度下,10GHz带宽比较器的采样网络具有与20GHz带宽MDAC的采样网络相同的传输延迟,从锁存器开始锁存到数字驱动输出的总传输延迟小于50ps。

关键词：流水线ADC 开关电容比较器正反馈

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一种光电探测器与信号处理器的单片集成器件

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微电子学 2019年第3期49卷 346-350,355页

作者：杨鑫谭开洲黄绍春李荣强重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第四十四研究所重庆4000604 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

提出了一种180 V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件。研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大。利用Silvaco TCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响... 详细信息

提出了一种180 V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件。研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大。利用Silvaco TCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响。引入金属场板,提高了探测效率。仿真结果表明,该单片集成器件实现了光电探测器与信号处理器的工艺兼容和电压兼容。对比未引入金属场板和引入金属场板的情况,在入射光波长为1.06μm处,外量子效率分别为4.68%和36.3%,响应度分别为0.04 A·W-1·cm-2和0.31 A·W-1·cm-2。

关键词：光电集成高低压光电探测器 BiCMOS信号处理器

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基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响

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现代应用物理 2019年第3期10卷 54-58页

作者：李骏王健安吴雪李兴冀杨剑群王志宽中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060 哈尔滨工业大学哈尔滨150001

针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN... 详细信息

针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN型晶体管对电离辐射更为敏感,其基极电流增幅更大;随着吸收剂量的增加,NPN型晶体管的电流增益退化程度加剧;在基区表面掺杂浓度高的NPN晶体管中,电离辐射诱导的氧化物电荷和界面态能级位置均更接近于禁带中央,导致复合率增大,从而使晶体管的电学性能退化程度加剧。

关键词： NPN型晶体管表面掺杂浓度电离损伤深能级瞬态谱

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