检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与激光工程 2009年第4期38卷 574-582页

作者：龚海梅唐恒敬李雪张可锋李永富李淘宁锦华汪洋缪国庆宋航张永刚方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μ... 详细信息

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。

关键词： InGaAs 焦平面组件红外探测器空间应用

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无人机平台航空超导磁测系统与室内测试

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低温物理学报 2015年第4期37卷 267-270页

作者：常凯伍俊蒋坤侍文王会武荣亮亮孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统所-吉林大学“地球物理探测技术”联合实验室中国科学院大学

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于低温超导的固定翼无人机平台的磁测系统,该系统可实现地磁场的垂直三分量磁场同步测量.系统磁场测量噪声水平0.3pT/Hz@1kHz,量程>60μT... 详细信息

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于低温超导的固定翼无人机平台的磁测系统,该系统可实现地磁场的垂直三分量磁场同步测量.系统磁场测量噪声水平0.3pT/Hz@1kHz,量程>60μT,采样率为1024Hz,重15kg.基于该系统初步开展了室内运动测试,实验结果表明该系统可实现运动平台三轴磁测量,适用于无人机航磁平台.

关键词：低温SQUID 物探应用固定翼无人机动态范围

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硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 400-402页

作者：钟旻张楷亮宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了... 详细信息

针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了高速率、高平整的抛光表面.去除速率(MRR)达697nm/min,表面粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.

关键词：化学机械抛光胶体SiO2 抛光速率抛光液

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浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展

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功能材料与器件学报 2010年第5期16卷 407-412页

作者：刘张李邹世昌张正选毕大炜胡志远俞文杰陈明王茹中国科学院上海微系统与信息技术研究所/信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可... 详细信息

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。

关键词：控制电路存储单元单粒子效应电荷损失

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分布反馈量子级联激光器的光栅制备

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功能材料与器件学报 2009年第5期15卷 471-476页

作者：李耀耀徐刚毅张永刚李爱珍魏林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市200050 中国科学院研究生院

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性... 详细信息

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB。

关键词：分布反馈激光器全息曝光光栅制备

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退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用

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红外与激光工程 2012年第2期41卷 279-283页

作者：邓洪海魏鹏朱耀明李淘夏辉邵秀梅李雪缪国庆张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。

关键词：快速热退火 Zn扩散结深 InGaAs

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中红外量子级联激光器中光栅的设计与制备

中红外量子级联激光器中光栅的设计与制备

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐刚毅张雄李爱珍信息功能材料国家重点实验室中科院微系统与信息技术研究所(上海)

本文针对InP基InGaAs/InAlAs量子级联激光器的有源层和波导结构,计算了不同激光波长所对应的分布反馈光栅的周期,并且计算了光栅的不同结构参数对光栅耦合作用的影响.

关键词：量子级联激光器光栅设计光栅制备

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ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤

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Journal of Semiconductors 2006年第1期27卷 178-182页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋黄占超刘成张军江山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院北京100039 武汉邮电科学研究院

为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深... 详细信息

为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿.

关键词：干法刻蚀应变量子阱光致发光谱损伤

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采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较

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材料科学与工程学报 2014年第6期32卷 787-791,802页

作者：周海飞龚谦王凯康传振严进一王庶民中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 查尔姆斯理工大学微米技术和纳米科学系瑞典哥德堡41296

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可... 详细信息

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%。通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响。通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用。

关键词：分子束外延 InGaP InAlP 张应变Ge

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1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究

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半导体技术 2009年第6期34卷 543-545页

作者：唐道远李晓良中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到42... 详细信息

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作。

关键词：应变补偿多量子阱超辐射发光管台面湿法腐蚀感应耦合等离子体

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