检索结果-内蒙古大学图书馆

仪表技术与传感器 2009年第B11期 232-235,254页

作者：王家畴李昕欣孙立宁中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 哈尔滨工业大学机器人技术与系统国家重点实验室黑龙江哈尔滨150001

为了解决纳米级定位平台小型化、低能耗、定位精度高的问题,基于结构、驱动和检测一体化的设计理念,研制出了一种硅基片上集成式微型平面纳米级XY定位平台,在建立定位平台数学模型基础上,利用Matlab分析软件对定位平台开环和闭环控制特... 详细信息

为了解决纳米级定位平台小型化、低能耗、定位精度高的问题,基于结构、驱动和检测一体化的设计理念,研制出了一种硅基片上集成式微型平面纳米级XY定位平台,在建立定位平台数学模型基础上,利用Matlab分析软件对定位平台开环和闭环控制特性进行了比较和仿真分析。在实际控制中,针对硅微机械加工的MEMS器件难以获取精确数学模型的不足,将单神经元算法和传统PID控制算法相结合,设计了具有自动识别被控过程参数并对控制参数进行实时自校正的单神经元自适应PID控制器,依靠平台自身集成的位移传感器实现了定位平台的位置闭环控制,实验结果表明:单神经元自适应PID控制器不仅具有结构简单、鲁棒性好等特点而且能够有效地弥补硅基定位平台由于微机械加工限制造成的机构方面不足,定位平台的动态和稳态性能良好,最大工作行程±10μm,稳定时间小于2.5 ms,重复定位精度优于24.9 nm.

关键词： MEMS 硅基集成式定位平台位移传感器闭环控制开环控制神经元自适应PID控制

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基于连接酶检测反应的并行分型系统检测AGT M235T和ACE I/D基因多态性

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华东理工大学学报（自然科学版） 2006年第9期32卷 1050-1054页

作者：张世扬肖振贤赵建龙肖君华曹慧敏华东理工大学生物反应器工程国家重点实验室上海200237 中科院微系统与信息技术研究所上海200050

基因多态性蕴藏着大量遗传信息,分型技术是研究多态性的主要研究手段。本文建立了一个基于连接酶检测反应的基因多态性并行检测系统,该系统应用连接酶检测反应与基因芯片技术。对AGT M 235T 3种基因型和ACE I/D 3种基因型分型,同直接测... 详细信息

基因多态性蕴藏着大量遗传信息,分型技术是研究多态性的主要研究手段。本文建立了一个基于连接酶检测反应的基因多态性并行检测系统,该系统应用连接酶检测反应与基因芯片技术。对AGT M 235T 3种基因型和ACE I/D 3种基因型分型,同直接测序分型结果一致。将该系统应用于168份临床样本,经过统计学分析,用卡方检验发现高血压组和正常组AGT M 235T多态性存在显著差异(2χ=6.191,P<0.05),但ACE I/D多态性没有显著差异(χ2=5.241,P>0.05)。

关键词： AGT ACE 基因芯片连接酶检测反应

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基于双通分离窗滤波算法的激光雷达数据预处理方法

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计算机测量与控制 2011年第9期19卷 2203-2205页

作者：邵长东余志军何风行刘海涛中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050 无锡物联网产业研究院江苏无锡214135 中科院无线传感网与通信重点实验室上海200050

地图创建是移动机器人领域一个基本且重要的方面;数据预处理环节是利用激光雷达建立环境地图的初始环节,由于环境及激光雷达自身的原因,测距数据中存在抖动和噪声,为了减弱抖动和噪声对于建立地图的影响,需要对测距数据进行滤波平滑;在... 详细信息

地图创建是移动机器人领域一个基本且重要的方面;数据预处理环节是利用激光雷达建立环境地图的初始环节,由于环境及激光雷达自身的原因,测距数据中存在抖动和噪声,为了减弱抖动和噪声对于建立地图的影响,需要对测距数据进行滤波平滑;在分析了限幅滤波,算术平均滤波等常见的软件滤波算法之后,继而针对这几种算法的不足提出了利用TPSW进行激光雷达数据的预处理;然后通过实验对比测试了几种滤波算法对于激光雷达测距数据的滤波平滑效果,实验结果表明,经过双通分离窗滤波后,抖动和噪声的影响明显减弱,所提方法有效且可行,滤波平滑效果优于限幅滤波等方法。

关键词： TPSW 限幅滤波算术平均滤波均值估计

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一种基于CMOS工艺的双栅硅纳米线场效应管

一种基于CMOS工艺的双栅硅纳米线场效应管

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：戴鹏飞高安然王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术国家重点实验室上海200050

本文介绍了一种基于传统CMOS工艺,设计并制造的以硅纳米线为导电沟道、同时具有正栅和背栅结构的双栅场效应管.笔者通过对不同栅压下该器件沟道电流变化的测量分析,深入研究了场效应管的电学性能,结果表明,该器件的沟道电流变化率与其... 详细信息

本文介绍了一种基于传统CMOS工艺,设计并制造的以硅纳米线为导电沟道、同时具有正栅和背栅结构的双栅场效应管.笔者通过对不同栅压下该器件沟道电流变化的测量分析,深入研究了场效应管的电学性能,结果表明,该器件的沟道电流变化率与其工作电压密切相关,可通过控制栅压增加此类器件传感器的灵敏度.

关键词：双栅场效应管硅纳米线互补金属氧化物半导体工艺电学性能

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Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内激子结合能研究

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量子电子学报 2015年第5期32卷 635-640页

作者：张金凤王海龙龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下采用变分法计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减... 详细信息

在有效质量近似下采用变分法计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势,而且随着Mn组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值,这与波函数向垒中的渗透有关;在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小,但电场强度较大时会破坏激子效应。计算结果可以为基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据。

关键词：光电子学结合能变分法激子 Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱

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InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响

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红外与毫米波学报 2022年第4期41卷 726-732页

作者：田方坤艾立鹍孙国玉徐安怀黄华龚谦齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电子工程中心北京100049 海南师范大学材料科学与光电工程研究中心海南海口571158

采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。... 详细信息

采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。结果表明,在300 K(77 K)时,电子迁移率和电子浓度分别为8570 cm^(2)/(Vs)^(-1)(23200 cm^(2)/(Vs)^(-1))3.255E12 cm^(-2)(2.732E12 cm^(-2))。当InAlAs线性渐变缓冲层厚度为50 nm时,材料的表面形貌得到了很好的改善,均方根粗糙度(RMS)为0.154 nm。本研究可以为HEMT器件性能的提高提供强有力的支持。

关键词： InyAl1-yAs线性渐变缓冲层磷化铟高电子迁移率场效应晶体管

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一种Ka波段小型化SIW准椭圆滤波器

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数字技术与应用 2024年第12期42卷 95-97页

作者：高一强陈尚徐波杭州芯影科技有限公司中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室

本文提出了一种Ka波段小型化基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide, SIW)准椭圆滤波器,该滤波器由2个工作在TE101模式的SIW腔体和1个工作在TE201模式的SIW腔体组成。利用一个新颖的三阶拓扑结构和交叉耦合,在滤波器的下阻带和... 详细信息

本文提出了一种Ka波段小型化基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide, SIW)准椭圆滤波器,该滤波器由2个工作在TE101模式的SIW腔体和1个工作在TE201模式的SIW腔体组成。利用一个新颖的三阶拓扑结构和交叉耦合,在滤波器的下阻带和上阻带各实现了一个传输零点,从而有效提高了频率选择性并且增强了带外抑制水平。

关键词：椭圆滤波器基片集成波导 Ka波段频率选择性阻带 SIW 传输零点交叉耦合

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利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管

利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：梁晨周玉修王文荣王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050

本文介绍了一种利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管的方法.自对准掩膜版由MEMS工艺制成.利用此硬掩膜版,可以避免在场效应管电极制备过程中的光刻,从而减小光刻胶对石墨烯的污染.测试表明,器件栅压对石墨烯电学性能有调制作用,器件... 详细信息

本文介绍了一种利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管的方法.自对准掩膜版由MEMS工艺制成.利用此硬掩膜版,可以避免在场效应管电极制备过程中的光刻,从而减小光刻胶对石墨烯的污染.测试表明,器件栅压对石墨烯电学性能有调制作用,器件中石墨烯呈现p型掺杂,迁移率为261 cm2/V*s.此器件制备方法工艺简单,成本低廉,有利于将来石墨烯电子器件的大规模应用.

关键词：场效应管石墨烯金属沉积工艺自对准硬掩膜版

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CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究

CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：高安然戴鹏飞鲁娜王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050

文中基于各向异性湿法腐蚀技术的硅纳米线加工技术,采用传统的光刻、刻蚀和沉积技术,利用Si(111)面的自停止腐蚀和硅纳米线的自限制氧化特性,成功地实现了硅纳米线的制造.该方法工艺简单,可控性强,特别适合批量制造的需要.制造的纳米结... 详细信息

文中基于各向异性湿法腐蚀技术的硅纳米线加工技术,采用传统的光刻、刻蚀和沉积技术,利用Si(111)面的自停止腐蚀和硅纳米线的自限制氧化特性,成功地实现了硅纳米线的制造.该方法工艺简单,可控性强,特别适合批量制造的需要.制造的纳米结构尺度均一,工艺重复性好,具有优异的调制特性,易于集成和制作硅纳米器件.在此基础上,研究了硅纳米线的光电响应特性,响应度与加载电压的关系表明,随源漏电压的增大,器件的响应度逐渐减小,当栅极偏压小于10V时,电流响应度近似于线性增长,而偏压高于10V时,响应度趋于饱和.

关键词：半导体材料硅纳米线制备工艺光电响应特性

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一种感应信号控制的改进方案及其仿真研究

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计算机工程与应用 2011年第26期47卷 222-224页

作者：赵显忠曹红兵王营冠刘海涛中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院无线传感网与通信重点实验室上海200050 无锡物联网产业研究院江苏无锡214135

提出一种改进的感应信号控制算法,并以交叉口平均车辆延误以及平均排队长度作为评价控制算法的指标,采用Paramics为仿真软件;将该算法与传统感应信号控制算法及Synchro 7优化的定时控制方案进行仿真对比。仿真结果表明提出的算法改进效... 详细信息

提出一种改进的感应信号控制算法,并以交叉口平均车辆延误以及平均排队长度作为评价控制算法的指标,采用Paramics为仿真软件;将该算法与传统感应信号控制算法及Synchro 7优化的定时控制方案进行仿真对比。仿真结果表明提出的算法改进效果十分显著,尤其是当交叉口交通流量较大、饱和度较高时,传统算法已经没有改进效果,而该算法改进效果依然显著。

关键词：感应信号控制 Paramics软件 Synchro 7 微观交通仿真单交叉口多相位

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