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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：梁晨周玉修王文荣王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050

本文介绍了一种利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管的方法.自对准掩膜版由MEMS工艺制成.利用此硬掩膜版,可以避免在场效应管电极制备过程中的光刻,从而减小光刻胶对石墨烯的污染.测试表明,器件栅压对石墨烯电学性能有调制作用,器件... 详细信息

本文介绍了一种利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管的方法.自对准掩膜版由MEMS工艺制成.利用此硬掩膜版,可以避免在场效应管电极制备过程中的光刻,从而减小光刻胶对石墨烯的污染.测试表明,器件栅压对石墨烯电学性能有调制作用,器件中石墨烯呈现p型掺杂,迁移率为261 cm2/V*s.此器件制备方法工艺简单,成本低廉,有利于将来石墨烯电子器件的大规模应用.

关键词：场效应管石墨烯金属沉积工艺自对准硬掩膜版

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CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究

CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：高安然戴鹏飞鲁娜王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050

文中基于各向异性湿法腐蚀技术的硅纳米线加工技术,采用传统的光刻、刻蚀和沉积技术,利用Si(111)面的自停止腐蚀和硅纳米线的自限制氧化特性,成功地实现了硅纳米线的制造.该方法工艺简单,可控性强,特别适合批量制造的需要.制造的纳米结... 详细信息

文中基于各向异性湿法腐蚀技术的硅纳米线加工技术,采用传统的光刻、刻蚀和沉积技术,利用Si(111)面的自停止腐蚀和硅纳米线的自限制氧化特性,成功地实现了硅纳米线的制造.该方法工艺简单,可控性强,特别适合批量制造的需要.制造的纳米结构尺度均一,工艺重复性好,具有优异的调制特性,易于集成和制作硅纳米器件.在此基础上,研究了硅纳米线的光电响应特性,响应度与加载电压的关系表明,随源漏电压的增大,器件的响应度逐渐减小,当栅极偏压小于10V时,电流响应度近似于线性增长,而偏压高于10V时,响应度趋于饱和.

关键词：半导体材料硅纳米线制备工艺光电响应特性

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分布反馈量子级联激光器的光栅制备

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功能材料与器件学报 2009年第5期15卷 471-476页

作者：李耀耀徐刚毅张永刚李爱珍魏林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市200050 中国科学院研究生院

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性... 详细信息

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB。

关键词：分布反馈激光器全息曝光光栅制备

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浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展

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功能材料与器件学报 2010年第5期16卷 407-412页

作者：刘张李邹世昌张正选毕大炜胡志远俞文杰陈明王茹中国科学院上海微系统与信息技术研究所/信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可... 详细信息

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。

关键词：控制电路存储单元单粒子效应电荷损失

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一种微梁直拉直压高灵敏度高带宽微机械压阻式加速度传感器

一种微梁直拉直压高灵敏度高带宽微机械压阻式加速度传感器

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第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：黄树森李昕欣戈肖鸿解健芳陈士清王跃林传感器国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所

本文提出了一种新型的微梁直拉直压微机械压阻式加速度传感器.理论模型和有限元模拟分析了一种特殊的三梁结构,此结构能极大的提高传感器的灵敏度,同时具有较高的自由振动频率.基于该传感器的设计规则,设计了各种量程的传感器.给出了使... 详细信息

本文提出了一种新型的微梁直拉直压微机械压阻式加速度传感器.理论模型和有限元模拟分析了一种特殊的三梁结构,此结构能极大的提高传感器的灵敏度,同时具有较高的自由振动频率.基于该传感器的设计规则,设计了各种量程的传感器.给出了使用SOI硅片制作传感器的制造工艺.工艺过程包括一次反应离子刻蚀和一次深反应离子刻蚀(DRIE).本文最后给出了器件的封装和特性测试结果.

关键词：微梁直拉直压压阻加速度传感器有限元模拟深反应离子刻蚀(DRIE)

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采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较

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材料科学与工程学报 2014年第6期32卷 787-791,802页

作者：周海飞龚谦王凯康传振严进一王庶民中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 查尔姆斯理工大学微米技术和纳米科学系瑞典哥德堡41296

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可... 详细信息

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%。通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响。通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用。

关键词：分子束外延 InGaP InAlP 张应变Ge

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中红外量子级联激光器中光栅的设计与制备

中红外量子级联激光器中光栅的设计与制备

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐刚毅张雄李爱珍信息功能材料国家重点实验室中科院微系统与信息技术研究所(上海)

本文针对InP基InGaAs/InAlAs量子级联激光器的有源层和波导结构,计算了不同激光波长所对应的分布反馈光栅的周期,并且计算了光栅的不同结构参数对光栅耦合作用的影响.

关键词：量子级联激光器光栅设计光栅制备

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GaSbBi薄膜的分子束外延生长

GaSbBi薄膜的分子束外延生长

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：岳丽张焱超陈熙仁张凡朱忠赟珅王利娟邵军王庶民中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海科技大学中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室瑞典查尔姆斯理工大学

将少量的Bi原子凝入GaSb中,能够使价带顶升高,降低导带底,使禁带宽度变窄,拓展发光波长,在2-5μm中红外波段有很大的应用潜力,为GaSb基激光器能带结构的设计提供了一种新的解决途径.由于Sb和Bi是Ⅴ族中紧相邻的两种元素,在GaSbBi薄膜的... 详细信息

将少量的Bi原子凝入GaSb中,能够使价带顶升高,降低导带底,使禁带宽度变窄,拓展发光波长,在2-5μm中红外波段有很大的应用潜力,为GaSb基激光器能带结构的设计提供了一种新的解决途径.由于Sb和Bi是Ⅴ族中紧相邻的两种元素,在GaSbBi薄膜的合成过程中,Sb与Bi竞争十分激烈,生长高Bi组分的GaSbBi薄膜一直是一项世界难题.现在对于GaSbBi的生长研究还没有像GaAsBi的那样多.目前,已经报道的提高Bi组分的方法有降低生长温度、降低生长速率和增加Bi的束流,但对Sb压对Bi组分的影响还没有人研究过.我们采用DCA P600固态分子束外延设备生长了GaSbBi材料。首先将n型GaSb衬底在660 oC 脱氧，然后生长200nm 的GaSb 缓冲层，然后降低衬底温度，再生长280nm厚的GaSbBi外延层。我们研究了降低生长温度、增加Bi的束流，以及降低 Sb 压来提高Bi组分，成功获得最大Bi组分达 13 ％的GaSbBi，室温发光波长达到3.0μm，对GaSbBi的生长规律、晶体结构、表面形貌和发光特性进行系统研究了。

关键词：锑化镓薄膜分子束外延生长晶体结构表面形貌发光特性

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1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究

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半导体技术 2009年第6期34卷 543-545页

作者：唐道远李晓良中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到42... 详细信息

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作。

关键词：应变补偿多量子阱超辐射发光管台面湿法腐蚀感应耦合等离子体

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ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤

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Journal of Semiconductors 2006年第1期27卷 178-182页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋黄占超刘成张军江山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院北京100039 武汉邮电科学研究院

为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深... 详细信息

为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿.

关键词：干法刻蚀应变量子阱光致发光谱损伤

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