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检索条件"机构=中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
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干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
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物理学报 2007年 第2期56卷 1027-1031页
作者: 曹萌 吴惠桢 刘成 劳燕锋 黄占超 谢正生 张军 江山 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 武汉邮电科学研究院 武汉430074
采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同... 详细信息
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一种用于主动式毫米波图像的低复杂度隐匿物品检测方法(英文)
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红外与毫米波学报 2019年 第1期38卷 32-38页
作者: 王崇剑 孙晓玮 杨克虎 西安电子科技大学综合业务网理论与关键技术国家重点实验室 陕西西安710071 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室 上海200050
主动式毫米波成像(AMWI)技术是检测隐藏在衣服下的危险物体的有效方法.但AMWI获取的图像通常很模糊,而且一些隐匿物体的尺寸较小,因此隐匿物品的自动检测和定位仍然是一个具有挑战性的问题.姚家雄等[1]首先使用卷积神经网络(CNNs)结合... 详细信息
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基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工
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功能材料与器件学报 2011年 第3期17卷 313-318页
作者: 黄占喜 吴亚明 李四华 中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室 上海200050 中科院研究生院 北京10003
本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底... 详细信息
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一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究
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功能材料与器件学报 2011年 第5期17卷 526-532页
作者: 王鹏 刘勤 蒋寻涯 中科院上海微系统与信息技术研究所信息材料国家重点实验室 上海市200050
拓扑绝缘体(TI)是近年来广受关注的一种新型材料,其表面的拓扑磁电效应是其拓扑性质的反应。我们在TI平板上下表面镀上很薄的铁磁层并同方向磁化,然后将其夹在一维光子晶体中作为缺陷来研究时,发现TI材料表面的磁电耦合效应引起透射谱... 详细信息
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总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响
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物理学报 2013年 第7期62卷 311-316页
作者: 宁冰旭 胡志远 张正选 毕大炜 黄辉祥 戴若凡 张彦伟 邹世昌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电... 详细信息
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晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)
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红外与毫米波学报 2010年 第2期29卷 81-86页
作者: 顾溢 李成 王凯 李好斯白音 李耀耀 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、... 详细信息
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微机电光学电流传感器的设计
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电子元件与材料 2006年 第12期25卷 27-30页
作者: 赵本刚 徐静 高翔 刘玉菲 吴亚明 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理,结合工艺条件给出了器件的设计要求,并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明,器件可以测... 详细信息
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MEMS压力传感器技术最新进展
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功能材料与器件学报 2013年 第4期19卷 172-176页
作者: 李昕昕 中科院上海微系统与信息技术研究所 传感器技术国家重点实验室
笔者在刚刚于西班牙巴塞罗那结束的国际固态传感器大会Transducers 2013上担任了压力传感器Session的主席,对现场七个口头报告有了最直接的接触,据此可以体会到MEMS压力传感器技术对全球最新进展,于下面顺序介绍。台湾的Asia Pacific Mi... 详细信息
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熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的电子比热
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低温物理学报 2005年 第S1期27卷 580-585页
作者: 白忠 王智河 李配军 聂阳 邱里 丁世英 张宏 南京大学固体微结构国家重点实验室  2. 中科院上海微系统与信息技术研究所
采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的比热.零场下,2~180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁场下... 详细信息
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芯片级多轴集成微陀螺方案对比与发展趋势分析
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中国惯性技术学报 2023年 第9期31卷 932-939,954页
作者: 魏雯强 鲁征浩 陈方 申冲 石云波 曹慧亮 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室 太原030051 苏州大学微纳传感技术研究中心 苏州215006 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
微机械陀螺仪作为检测载体角速率信息的器件,在姿态控制平台和惯性导航领域有着广泛应用。首先结合国内外发展动态及研究成果,分析了三类芯片级多轴集成微机械陀螺集成方法:三单轴陀螺正交集成法、单片单结构三轴陀螺法及单片多结构陀... 详细信息
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