检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2007年第2期56卷 1027-1031页

作者：曹萌吴惠桢刘成劳燕锋黄占超谢正生张军江山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室武汉邮电科学研究院武汉430074

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同... 详细信息

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同时使其内部微结构发生变化.采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特性的影响,得到干法刻蚀覆盖层20nm后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度提高1.8倍和1.2倍的结果.

关键词：干法刻蚀应变多量子阱光致发光谱损伤

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一种用于主动式毫米波图像的低复杂度隐匿物品检测方法（英文）

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红外与毫米波学报 2019年第1期38卷 32-38页

作者：王崇剑孙晓玮杨克虎西安电子科技大学综合业务网理论与关键技术国家重点实验室陕西西安710071 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室上海200050

主动式毫米波成像(AMWI)技术是检测隐藏在衣服下的危险物体的有效方法.但AMWI获取的图像通常很模糊,而且一些隐匿物体的尺寸较小,因此隐匿物品的自动检测和定位仍然是一个具有挑战性的问题.姚家雄等[1]首先使用卷积神经网络(CNNs)结合... 详细信息

主动式毫米波成像(AMWI)技术是检测隐藏在衣服下的危险物体的有效方法.但AMWI获取的图像通常很模糊,而且一些隐匿物体的尺寸较小,因此隐匿物品的自动检测和定位仍然是一个具有挑战性的问题.姚家雄等[1]首先使用卷积神经网络(CNNs)结合穷举滑动窗口方法来检测隐藏物体.做了两点改进:(1)使用上下文(背景)信息抑制干扰,(2)使用两步搜索方法代替穷举搜索来降低计算复杂度.首先在垂直方向上使用一个CNN来过滤干扰,得到隐藏物体的垂直位置,然后用另一个CNN来确定水平位置.为了充分利用上下文信息,使用IoG(交集和真值的比)代替IoU(交并比)来定义训练和测试过程中的正负样本.实验结果表明,该方法将计算时间减小到约30%,同时实现更好的检测性能.

关键词：主动式毫米波图像隐匿物品检测卷积神经网络上下文信息

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基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

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功能材料与器件学报 2011年第3期17卷 313-318页

作者：黄占喜吴亚明李四华中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中科院研究生院北京10003

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底... 详细信息

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜。该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Re-active Ion Etching,DR IE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺。

关键词： MEMS 光刻多掩膜体硅工艺

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一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究

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功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 526-532页

作者：王鹏刘勤蒋寻涯中科院上海微系统与信息技术研究所信息材料国家重点实验室上海市200050

拓扑绝缘体(TI)是近年来广受关注的一种新型材料,其表面的拓扑磁电效应是其拓扑性质的反应。我们在TI平板上下表面镀上很薄的铁磁层并同方向磁化,然后将其夹在一维光子晶体中作为缺陷来研究时,发现TI材料表面的磁电耦合效应引起透射谱... 详细信息

拓扑绝缘体(TI)是近年来广受关注的一种新型材料,其表面的拓扑磁电效应是其拓扑性质的反应。我们在TI平板上下表面镀上很薄的铁磁层并同方向磁化,然后将其夹在一维光子晶体中作为缺陷来研究时,发现TI材料表面的磁电耦合效应引起透射谱上一些新奇的变化。例如,当垂直入射一束线偏振光时,与一般的"单个透射率为1"的缺陷态共振峰不同,这时会出现"两个透射率为0.5"的缺陷态共振峰,并且两个透射峰频率处的透射光是圆偏振态,同时,我们还可以通过调节光子晶体的相关参数来调节这两个透射峰(双峰)的距离。反过来,我们可以通过这些新颖的变化来研究TI材料的表面性质,以及对精细结构常数进行精确测量。

关键词：光子晶体拓扑绝缘体传输矩阵表面态

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总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响

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物理学报 2013年第7期62卷 311-316页

作者：宁冰旭胡志远张正选毕大炜黄辉祥戴若凡张彦伟邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.

关键词：总剂量效应(TID) 浅沟槽隔离(STI) 氧化层陷阱正电荷 SOI MOSFET

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晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)

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红外与毫米波学报 2010年第2期29卷 81-86页

作者：顾溢李成王凯李好斯白音李耀耀张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、... 详细信息

利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、X射线衍射、光致发光和器件特性测试对样品进行了表征。结果显示该晶格失配度达2.6%的探测器结构具有较好的表面形貌、较大的晶格弛豫度和理想的光学特性。器件室温截止波长约为2.9μm,直径为300μm的器件室温下在反向偏压10mV时的暗电流为2.56μA。

关键词：光电探测器缓冲层 InGaAs 晶格失配

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微机电光学电流传感器的设计

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电子元件与材料 2006年第12期25卷 27-30页

作者：赵本刚徐静高翔刘玉菲吴亚明中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理，结合工艺条件给出了器件的设计要求，并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明，器件可以测... 详细信息

提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理，结合工艺条件给出了器件的设计要求，并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明，器件可以测试1～7．2kA的交流电，大电流下的灵敏度可达到0．01dB／A以上。

关键词：电子技术微机电系统光学电流传感器扭转微镜双光纤准直器

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MEMS压力传感器技术最新进展

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功能材料与器件学报 2013年第4期19卷 172-176页

作者：李昕昕中科院上海微系统与信息技术研究所传感器技术国家重点实验室

笔者在刚刚于西班牙巴塞罗那结束的国际固态传感器大会Transducers 2013上担任了压力传感器Session的主席,对现场七个口头报告有了最直接的接触,据此可以体会到MEMS压力传感器技术对全球最新进展,于下面顺序介绍。台湾的Asia Pacific Mi... 详细信息

笔者在刚刚于西班牙巴塞罗那结束的国际固态传感器大会Transducers 2013上担任了压力传感器Session的主席,对现场七个口头报告有了最直接的接触,据此可以体会到MEMS压力传感器技术对全球最新进展,于下面顺序介绍。台湾的Asia Pacific Microsystems公司与台湾清华大学合作研发了汽车TPMS传感器(论文题目:NOVEL TPMS SENSING CHIP WITH PRESSURE SENSOR EMBEDDED IN ACCELEROMETER)。如图1所示,为了减小芯片尺寸,将压力传感器部分制作在压阻加速度传感器的质量块中。采用CavitySOI工艺并结合硅/玻璃键合,该复合集成传感器显示了如表1所示的性能指标。

关键词：压力传感器 MEMS 固态传感器压阻式芯片尺寸 TPMS 台湾清华大学口头报告绝压传感器性能指标

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熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的电子比热

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低温物理学报 2005年第S1期27卷 580-585页

作者：白忠王智河李配军聂阳邱里丁世英张宏南京大学固体微结构国家重点实验室 2. 中科院上海微系统与信息技术研究所

采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的比热.零场下,2~180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁场下... 详细信息

采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的比热.零场下,2~180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁场下的电子比热,并将实验结果与London模型的计算结果进行对比,发现London模型能够很好地模拟出我们的实验结果.

关键词：高温超导体比热

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芯片级多轴集成微陀螺方案对比与发展趋势分析

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中国惯性技术学报 2023年第9期31卷 932-939,954页

作者：魏雯强鲁征浩陈方申冲石云波曹慧亮中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 苏州大学微纳传感技术研究中心苏州215006 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

微机械陀螺仪作为检测载体角速率信息的器件,在姿态控制平台和惯性导航领域有着广泛应用。首先结合国内外发展动态及研究成果,分析了三类芯片级多轴集成微机械陀螺集成方法:三单轴陀螺正交集成法、单片单结构三轴陀螺法及单片多结构陀... 详细信息

微机械陀螺仪作为检测载体角速率信息的器件,在姿态控制平台和惯性导航领域有着广泛应用。首先结合国内外发展动态及研究成果,分析了三类芯片级多轴集成微机械陀螺集成方法:三单轴陀螺正交集成法、单片单结构三轴陀螺法及单片多结构陀螺阵列法。其次,通过对当前方案的总结与分析,比较了各方案的优缺点,设计了一种频差小、抗冲击能力强的单片三轴轮环式陀螺结构。仿真实验表明该结构能承受20000 g冲击,轮结构频差为180.3 Hz,环结构频差为3 Hz。最后,分析了未来芯片级多轴集成微陀螺仪的改良方向。

关键词：微机械陀螺仪敏感结构单结构三轴正交集成陀螺阵列

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