检索结果-内蒙古大学图书馆

稀有金属 2004年第3期28卷 533-535页

作者：高少文曹俊诚封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了一种新型的 ,基于金属 /半导体界面等离子体激元的波导结构 ,从理论上对激射波长在 17μm的GaAs AlGaAs量子级联激光器的波导层设计进行了讨论 ,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和等离子体激元波导设计。结果表明 ,利用表... 详细信息

研究了一种新型的 ,基于金属 /半导体界面等离子体激元的波导结构 ,从理论上对激射波长在 17μm的GaAs AlGaAs量子级联激光器的波导层设计进行了讨论 ,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和等离子体激元波导设计。结果表明 ,利用表面等离子体激元进行波导设计 ,可以降低波导层厚度和提高光场限制因子 ,从而为长波段 (如太赫兹频段 )激光器提供了一种有效的波导设计方法。

关键词：量子级联激光器波导表面等离子体激元

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外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性

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Journal of Semiconductors 2008年第7期29卷 1357-1359页

作者：王立敏曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.... 详细信息

外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐.

关键词：高电子迁移率晶体管太赫兹场磁场响应率

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多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 189-193页

作者：谢欣云刘卫丽门传玲林青沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .

关键词：绝缘埋层氮化硅薄膜 SOI结构多孔硅外延转移

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近红外波段光子晶体的微细加工方法研究进展

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功能材料 2003年第3期34卷 242-243,246页

作者：汪扬宋志棠章宁琳林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

　光子晶体及其在光电子领域的应用是目前国际上的研究热点之一,是一种新型的光电子功能材料。在近红外光通讯领域中,光子晶体(对应光子晶体晶格常数为亚微米)有非常重要的应用,可以制作许多以前所不能制作的高性能光学器件。如何制备... 详细信息

　光子晶体及其在光电子领域的应用是目前国际上的研究热点之一,是一种新型的光电子功能材料。在近红外光通讯领域中,光子晶体(对应光子晶体晶格常数为亚微米)有非常重要的应用,可以制作许多以前所不能制作的高性能光学器件。如何制备用于光通讯领域的光子晶体越来越引起广泛关注。本文综述了近红外波段光子晶体的微细加工制备方法的研究进展。

关键词：光子晶体微细加工光电子功能材料近红外波段光学器件研究进展

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射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光

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发光学报 2006年第6期27卷 971-975页

作者：隋妍萍于广辉孟胜雷本亮王笑龙王新中齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的... 详细信息

采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的自补偿效应以及重掺杂导致的晶体质量下降有关。

关键词：分子束外延 Ⅲ/V比 PL谱黄带发光

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GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 569-571页

作者：李爱珍李华李存才胡建唐雄心齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得... 详细信息

报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布。结果表明 ,用GSMBE生长的Φ5 0mm和Φ75mmIn0 .4 9Ga0 .51 P与GaAs衬底的失配度分别为 1× 10 - 4和 1× 10 - 5,组分波动Φ5 0mm沿x轴和y轴分别为± 0 .1%和± 0 .2 % ,Φ75mm <± 1%。表面缺陷密度在 1× 10～ 1× 10 2 cm- 2 。

关键词： InGaP 均匀性气态源分子束外延 X射线双晶衍射 InGaP/GaAs

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Monte Carlo Simulation of Impurity Scattering Effect in Resonant-Phonon-Assisted Terahertz Quantum-Cascade Lasers

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Journal of Semiconductors 2006年第2期27卷 304-308页

作者：曹俊诚吕京涛中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

We study the influence of ionized impurity scattering on the electron transport in resonant-phonon-assisted terahertz （THz） quantum-cascade lasers （QCLs）. We treat the ionized impurity scattering rates within the single subband static screening approximation. We find that the ionized impurity scattering supplies an additional current channel across the device,and affects the electrondistribution in different subbands. We conclude that the ionized impurity scattering should be taken into account in the study of the transport properties of resonant-phonon-assisted THz QCLs.

关键词： THz quantum-cascade laser Monte Carlo method

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室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器

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稀有金属 2004年第3期28卷 574-576页

作者：张雄李爱珍张永刚郑燕兰徐刚毅齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器。器件材料生长采用固态源分子束外延的方法 ,器件有源层采用应变补偿量子阱结构 ,激光器结构中引入了加宽波导的设计。制备的多量子阱激光器最高工作温... 详细信息

报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器。器件材料生长采用固态源分子束外延的方法 ,器件有源层采用应变补偿量子阱结构 ,激光器结构中引入了加宽波导的设计。制备的多量子阱激光器最高工作温度可达 60℃ ,激射波长2 0 8μm。室温下阈值电流为 3 5 0mA ,2 0～ 5 0℃范围内特征温度为 88K。

关键词：半导体激光器分子束外延

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InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 516-518页

作者：徐安怀邹璐陈晓杰齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格... 详细信息

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。

关键词：分子束外延异质结双极晶体管 InGaAs InP

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超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能

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Journal of Semiconductors 2003年第10期24卷 1099-1102页

作者：章宁琳宋志棠沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空... 详细信息

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2 等杂质 .扩展电阻法 (SRP)和剖面透射电镜 (XTEM)都表征出 6 0 0℃退火样品清晰的ZrO2 /topSi/BO/Sisub的结构 ,其中ZrO2 /topSi界面陡直 ,没有界面产物生成 .选区电子衍射显示薄膜在 6 0 0℃快速退火后仍基本呈非晶态 .研究了上述MOSOS结构的高频C V性能 ,得到ZrO2 薄膜的等效氧化物厚度EOT =9 3nm ,相对介电常数ε≈ 2 1,平带电位VFB=- 2 4 5 1eV .

关键词：超高真空电子束蒸发法全耗尽SOI MOSFET 高k栅介质 ZrO2

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