检索结果-内蒙古大学图书馆

光谱学与光谱分析 2013年第5期33卷 1411-1414页

作者：王涛何大伟王永生全雨王鹏飞尹泽霖北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

利用紫外光照射制作两组光纤布拉格光栅,使用高温炉对第一组光栅进行850℃退火处理,在擦除初始光栅后制备出高温再生光栅,该组再生光栅的布拉格波长的变化范围为0.22nm;平均透射率为2.57dB,折射率变化范围为0.52dB。对第二组光栅在850... 详细信息

利用紫外光照射制作两组光纤布拉格光栅,使用高温炉对第一组光栅进行850℃退火处理,在擦除初始光栅后制备出高温再生光栅,该组再生光栅的布拉格波长的变化范围为0.22nm;平均透射率为2.57dB,折射率变化范围为0.52dB。对第二组光栅在850℃退火处理后进行1 100℃后退火,该组的布拉格波长变化范围为0.41nm;平均透射率为0.69dB,折射率变化范围为0.16dB。后退火处理会放大再生光栅的波长差异,其原因是退火过程中各光栅固定拉力之间的微小差别。光纤布拉格光栅从擦除到再生是一个可控的过程,具有很好的重复性,通过高温退火法制备再生光栅的大规模生产是可行的。

关键词：光纤布拉格光栅再生光栅高温退火高温传感重复性光纤传感

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氮杂苯并菲类n-型有机半导体材料研究进展

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物理化学学报 2014年第6期30卷 1001-1016页

作者：吴楠何志群许敏肖维康北京交通大学光电子技术研究所教育部发光与光信息技术重点实验室北京100044

苯并菲盘状液晶是一类新型的有机电子学材料.该类材料多数以空穴传输功能为主,能传输电子的n-型材料较少.氮杂苯并菲是与苯并菲衍生物非常相似的一种杂环化合物,材料结构中引入了氮原子,吸电子能力得到增强,是潜在的n-型有机半导体材料... 详细信息

苯并菲盘状液晶是一类新型的有机电子学材料.该类材料多数以空穴传输功能为主,能传输电子的n-型材料较少.氮杂苯并菲是与苯并菲衍生物非常相似的一种杂环化合物,材料结构中引入了氮原子,吸电子能力得到增强,是潜在的n-型有机半导体材料,具有重要的应用价值.本文系统回顾了氮杂苯并菲类盘状液晶材料的研究进展,分类讨论了材料的分子结构,其中包括二、四、六氮杂苯并菲,以及它们的合成方法和物理化学性能,论述了材料在光电子领域的最新使用进展,并在此基础上,对该类液晶材料作为n-型有机半导体在光电子器件领域的应用前景进行了展望.

关键词：盘状液晶苯并菲氮杂材料 n-型有机半导体光伏器件

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Si基CeO2/Tb4O7超晶格薄膜发光特性的研究

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光谱学与光谱分析 2011年第8期31卷 2067-2070页

作者：王申伟衣立新丁甲成高靖欣郭逦达王永生北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜样品在488,544,588以及623nm左右出现Tb3+的四个典型发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明,CeO2薄膜在高温下失氧,... 详细信息

利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜样品在488,544,588以及623nm左右出现Tb3+的四个典型发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明,CeO2薄膜在高温下失氧,发生Ce4+→Ce3+转变,Ce3+吸收紫外光后,Ce3+与Tb3+发生能量传递,产生发光。通过改变Tb4O7薄膜厚度,研究了Tb4O7层厚对超晶格发光的影响,结果显示在Tb4O7层厚为0.5nm时,发光强度最大;Tb4O7层厚大于0.5nm时,由于Tb3+间的能量传递,产生浓度猝灭。同时,对超晶格样品在900～1 200℃之间进行了不同温度、不同时间的退火,结果显示在1 200℃下进行2h的退火,薄膜发光强度达到最大。研究认为,Ce3+的浓度、氧空位缺陷以及Ce3+与Tb3+间距的变化是导致这一结果的主要原因。

关键词：超晶格光致发光能量传递浓度猝灭

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利用瞬态电致发光方法研究有机电致发光器件内部电荷行为

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光谱学与光谱分析 2016年第10期36卷 3134-3137页

作者：杨照坤赵谡玲徐征黄清雨北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

利用自主搭建的瞬态电致发光测量系统,连续施加两个电压相同的矩形脉冲作为器件驱动电压并且两个矩形脉冲之间存在一定的时间间隔,通过测量器件的瞬态EL和瞬态电流,从而分析研究器件内部电荷存储行为和发光过程。之前的研究发现了m-MTD... 详细信息

利用自主搭建的瞬态电致发光测量系统,连续施加两个电压相同的矩形脉冲作为器件驱动电压并且两个矩形脉冲之间存在一定的时间间隔,通过测量器件的瞬态EL和瞬态电流,从而分析研究器件内部电荷存储行为和发光过程。之前的研究发现了m-MTDATA∶3TPYMB混合发光层是激基复合物的发光,并且发现了其较长延迟发光是因为空穴传输层和电子传输层内储存的电荷再复合造成的。制备了以m-MTDATA∶3TPYMB(1∶1)混合层作为发光层、m-MTDATA作为空穴传输层、3TPYMB作为电子传输层的一组器件,通过对器件瞬态EL的分析,发现在第二个脉冲驱动下器件的EL强度稳定值比第一驱动驱动下的EL强度稳定值大,且第二脉冲的EL强度稳定值与第一脉冲EL强度稳定值的比值随通过器件的电流增大而减小,实验还发现第二脉冲撤销时的延迟发光衰减速度要比第一脉冲撤销时的快,这是由于第二脉冲撤销时发光层内极化子(电荷)对激子的猝灭(TPQ)比较严重。

关键词： OLED 瞬态电致发光 TPQ

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电子俘获光存储材料BaLiF_3:Eu^(2+)的光激励发光及光存储性质研究

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光谱学与光谱分析 2006年第3期26卷 399-402页

作者：王欣姿王永生孙力徐征发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044

利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3Eu2+样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410nm处,属于Eu2+的5d—4f跃迁发光。光激励峰位于660nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量... 详细信息

利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3Eu2+样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410nm处,属于Eu2+的5d—4f跃迁发光。光激励峰位于660nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量了该材料光激励发光衰减性能,结果表明BaLiF3Eu2+存储的信息可以方便地擦除掉。该材料具有优良的光激励发光特性,是一类很有发展前途的电子俘获光存储材料。

关键词：电子俘获光激励发光光存储

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MAl_2B_2O_7:Re(M=Ca，Sr，Ba；Re=Eu^(3+)，Tb^(3+))在VUV激发下的发光性能

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稀有金属材料与工程 2007年第A02期36卷 422-425页

作者：侯涛何大伟李鑫王永生北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

采用高温固相法合成了MAl_2B_2O_7:Re(M=St,Ba,Ca;Re=Eu^(3+),Tb^(3+))系列样品。BaAl_2B_2O_7:Eu^(3+)在130～170 nm和200～250nm区域有两个很强的吸收带;130～170nm的宽带是硼氧和铝氧基团的吸收,位于200～250nm附近的吸收带主要是Eu^(3+)-O^(2-)电荷转移态的吸收;MAl_2B_2O_7:Eu^(3+)(M=Sr,Ba)中Eu^(3+)占据更多的是非对称格位,以~5D_0→~7F_2跃迁为主,对应613nm处的发射强度最大。MAl_2B_2O_7:Re(M=Sr,Ba;Re=Tb^(3+))在120～200nm和200～300nm光谱区有两个较强的吸收带。位于120～200nm的宽谱带对应于基质吸收。这包括硼氧和铝氧基团在真空紫外的吸收,基质吸收主要是硼酸根的吸收;而位于160～270nm左右的一组谱峰对应于Tb^(3+)的4f^8-4f^75d跃迁;在172nm的激发下,发射峰由492 nm,546nm,592nm和624nm组成,分别对应Tb^(3+)的~5D_4→~7F_J(J=6,5,4,3)跃迁发射,其中546nm是主发峰。

关键词：发光 VUV PDP 稀土

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Si_3N_4做电子加速层的聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑]固态阴极射线发光

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物理学报 2008年第12期57卷 7891-7895页

作者：孔超徐征赵谡玲张福俊黄金英闫光厉军明北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

用Si3N4作为电子加速层制备了固态阴极射线发光器件,其中发光层为聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV).在交流电压的驱动下,实现了MEH-PPV的固态阴极射线发光.与SiO2做电子加速层的器件进行了对比研究,两种器件在... 详细信息

用Si3N4作为电子加速层制备了固态阴极射线发光器件,其中发光层为聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV).在交流电压的驱动下,实现了MEH-PPV的固态阴极射线发光.与SiO2做电子加速层的器件进行了对比研究,两种器件在交流电场的驱动下都得到了波峰位于417nm的短波长发光峰,它来自有机物中电子从最低未占分子轨道到最高占据分子轨道的直接复合发光,这进一步证明了固态阴极射线理论的正确性.在交流高场下比较了Si3N4和SiO2的电子加速能力,发现SiO2的电子加速能力要优于Si3N4的电子加速能力.

关键词：固态阴极射线发光 Si3 N4 电子加速层电致发光

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基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件

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物理学报 2006年第9期55卷 4860-4864页

作者：姜燕杨盛谊张秀龙滕枫徐征侯延冰北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

以电子束蒸发的方法制备硒化锌(ZnSe)薄膜,研究了基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件.在双层器件ITO/ZnSe(50nm)/Alq3(12nm)/Al中看到了峰值位于578nm的ZnSe电致发光,却很难得到单层器件ITO/ZnSe(50—120nm)/Al的电致发光;在此基础... 详细信息

以电子束蒸发的方法制备硒化锌(ZnSe)薄膜,研究了基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件.在双层器件ITO/ZnSe(50nm)/Alq3(12nm)/Al中看到了峰值位于578nm的ZnSe电致发光,却很难得到单层器件ITO/ZnSe(50—120nm)/Al的电致发光;在此基础上进一步引入有机空穴传输层(HTL),通过改变器件的结构,讨论了ZnSe对有机-无机异质结器件ITO/HTL/ZnSe/Alq3/Al电致发光特性的影响.其电致发光光谱的研究结果证实了ZnSe在器件中的作用ZnSe既起传输电子的作用,也起到传输空穴的作用,还作为发光层.并对ZnSe的发光机理进行了讨论.

关键词：硒化锌有机-无机异质结电致发光空穴传输层

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纳米ZnO镶嵌SiO_2薄膜的磁控溅射制备和发光性质的研究

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光谱学与光谱分析 2006年第3期26卷 415-417页

作者：商红凯张希清姚志刚腾小瑛王永生黄世华发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044

采用射频磁控反应溅射方法在Si O2衬底上制备了纳米ZnO镶嵌Si O2薄膜。在室温下利用吸收光谱和光致发光光谱研究了样品的光学性质。发现吸收光谱随纳米ZnO尺寸的减小发生了明显的蓝移,表明随着ZnO尺寸的减小,量子尺寸效应增强,导致带隙... 详细信息

采用射频磁控反应溅射方法在Si O2衬底上制备了纳米ZnO镶嵌Si O2薄膜。在室温下利用吸收光谱和光致发光光谱研究了样品的光学性质。发现吸收光谱随纳米ZnO尺寸的减小发生了明显的蓝移,表明随着ZnO尺寸的减小,量子尺寸效应增强,导致带隙展宽,吸收峰蓝移。光致发光光谱在387和441nm附近出现了两个发光带,分析认为紫外发光来源于自由激子的辐射复合,而蓝色发光带来自于氧空位的电子到价带的跃迁,并用时间分辨光谱和发光衰减证实了上述观点。

关键词：纳米ZnO 磁控溅射吸收光致发光

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磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析

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光谱学与光谱分析 2009年第5期29卷 1260-1263页

作者：邬洋衣立新王申伟杜玙璠黄圣冀国蕊王永生北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其... 详细信息

利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si3,Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si—N—Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,Si—N—Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。

关键词： SiN_x非晶薄膜磁控溅射傅里叶变换红外光谱

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