检索结果-内蒙古大学图书馆

光子技术 2006年第3期 135-139页

作者：许洪华徐征黄金昭袁广才孙小斌陈跃宁辽宁大学物理系沈阳110036 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史,描述了薄膜晶体管的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结... 详细信息

薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史,描述了薄膜晶体管的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展,并展望了薄膜晶体管的应用。

关键词：薄膜晶体管液晶显示 ZnO薄膜

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对不同制备方法下的ZnO基薄膜晶体管透过率的研究

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光子技术 2006年第3期 140-143页

作者：袁广才徐征张福俊王勇许洪华孙小斌北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 辽宁大学物理系沈阳110036

文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TFT器件,并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得... 详细信息

文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TFT器件,并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,其有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85%以上。并研究了退后处理对器件性能的影响,并发现快速热退火有利于薄膜的晶化,降低缺陷态密度。

关键词： ZnO—TFT 透过率快速热退火

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带有SiO2/ZnS复合电子加速层电致发光器件的研究

带有SiO2/ZnS复合电子加速层电致发光器件的研究

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2006中国平板显示学术会议

作者：李远徐征赵谡玲刘然宋林李成北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

由于在分层优化结构中,SiO2的电子加速能力优于ZnS,而ZnS的电子注入能力优于SiO2,因此,我们设计了SiO2和ZnS的复合加速层结构,并研究这种复合结构器件的亮度和发光效率,使其兼具SiO2良好的加速性能和ZnS良好的电子注入能力.这种复合结... 详细信息

由于在分层优化结构中,SiO2的电子加速能力优于ZnS,而ZnS的电子注入能力优于SiO2,因此,我们设计了SiO2和ZnS的复合加速层结构,并研究这种复合结构器件的亮度和发光效率,使其兼具SiO2良好的加速性能和ZnS良好的电子注入能力.这种复合结构尤其在随电压增强,亮度增强倍数具有最大值.

关键词：电致发光复合加速层过热电子

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有机场效应管研究进展

有机场效应管研究进展

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2006中国平板显示学术会议

作者：宋林徐征赵谡玲许洪华发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044

近年来,有机场效应晶体管因其广阔的应用前景越来越受到关注,在技术上获得了突飞猛进的发展,其性能已经可与非晶硅相比.本文在有机场效应管的有机半导体材料,以及制备技术方面作了概述,并扼要介绍了有机场效应晶体管的应用和发展前景.

关键词：有机场效应晶体管有机半导体材料液晶显示

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以L-半胱氨酸盐为稳定剂合成CdSe纳米晶

以L-半胱氨酸盐为稳定剂合成CdSe纳米晶

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第一届掺杂纳米材料发光性质学术会议

作者：封宾唐爱伟王琰侯延冰滕枫北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

近年来,Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶由于其具有的特殊的物理和化学特性,如吸收光谱连续,发射光谱窄而且对称,发射波长可通过所合成的纳米晶的尺寸进行调节,等,使其在生物标记和光电器件等领域展示了巨大潜力,引起了人们的广泛关注.其中,对CdSe... 详细信息

近年来,Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶由于其具有的特殊的物理和化学特性,如吸收光谱连续,发射光谱窄而且对称,发射波长可通过所合成的纳米晶的尺寸进行调节,等,使其在生物标记和光电器件等领域展示了巨大潜力,引起了人们的广泛关注.其中,对CdSe纳米晶的合成和光学性能的研究较为成熟,但大多数的合成方法都是在有机相TOPO/TOP中完成的,由于有机体系中使用的大多前躯体都是有毒的且不利于环保,操作复杂,成本较高,而且不适于在生物标记方面的应用.因而在水相中合成CdSe纳米晶就显得尤为重要.本文论述了采用L-半胱氨酸盐作为稳定剂,在水相中以Na2SeSO3和Cd(CH3COO)2作为Se和Cd的前驱物,在碱性环境中制备了CdSe纳米晶.用X射线粉末衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS),傅立叶变换红外光谱(FT-IR)以及透射电子显微镜(TEM)对其进行了表征.

关键词：合成纳米晶掺杂纳米材料半导体纳米晶

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不同的制备方法对ZnO-TTFT光学特性的影响

不同的制备方法对ZnO-TTFT光学特性的影响

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2006中国平板显示学术会议

作者：袁广才徐征张福俊王勇许洪华孙小斌北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 辽宁大学物理系

本论文主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TTFT(ZnO基薄膜晶体管)器件,并通过XRD和透射光谱来对两种不同制备方法下样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、... 详细信息

本论文主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TTFT(ZnO基薄膜晶体管)器件,并通过XRD和透射光谱来对两种不同制备方法下样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,制得器件的有源层有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85％以上.并研究了退火处理对器件性能的影响,并发现快速热退火有利于改善薄膜的晶化,降低缺陷态密度,提高器件的透光性.

关键词： ZnO薄膜透过率薄膜晶体管快速热退火

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ZnO-TFT研究进展

ZnO-TFT研究进展

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2006中国平板显示学术会议

作者：徐征许洪华陈跃宁黄金昭袁广才孙小斌北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 辽宁大学物理系沈阳110036

将ZnO材料作为活性应用到薄膜晶体管(TFT)中,做成的器件具有十分优异的性能,逐渐受到更多的研究和关注.本文论述了ZnO材料的基本性质、ZnO-TFT的结构与工作原理,并分析了ZnO-TFT的性能参数,指出了ZnO-TFT的性能优点与存在问题.

关键词：薄膜晶体管 ZnO薄膜迁移率

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