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  • 4 篇 电子文献
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  • 4 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 光学工程
    • 1 篇 仪器科学与技术
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学
    • 1 篇 化学

主题

  • 2 篇 gan/algan超晶格
  • 1 篇 透射电镜
  • 1 篇 透射电镜分析
  • 1 篇 激光剥离
  • 1 篇 电子阻挡层
  • 1 篇 掺杂浓度
  • 1 篇 半导体激光器
  • 1 篇 线缺陷
  • 1 篇 algan
  • 1 篇 p 型 gan
  • 1 篇 自补偿
  • 1 篇 mocvd
  • 1 篇 gan

机构

  • 2 篇 北京大学
  • 2 篇 北京大学人工微结...

作者

  • 4 篇 胡晓东
  • 3 篇 张国义
  • 3 篇 杨志坚
  • 3 篇 陈伟华
  • 2 篇 章蓓
  • 2 篇 陆敏
  • 2 篇 黎子兰
  • 2 篇 陆羽
  • 2 篇 王琦
  • 2 篇 潘尧波
  • 2 篇 胡成余
  • 1 篇 潘华璞
  • 1 篇 徐科
  • 1 篇 张晓敏
  • 1 篇 王彦杰
  • 1 篇 廖辉
  • 1 篇 李倜

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"机构=北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所"
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Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响
Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响
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第十六届全国半导体物理学术会议
作者： 张晓敏 王彦杰 陈伟华 廖辉 杨志坚 张国义 胡晓东 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所
本文通过优化 Mg 流量提高了 p 型 GaN 的电学性能。Hall 测量结果表明 Mg 流量从1.4umol/min 降到0.28umol/min时,p 型 GaN 的电阻率降低了一个数量级,在室温下达到了1ohmcm。这种高掺杂情况下空穴浓度随 Mg 流量的增加而降低的现象可... 详细信息
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GaN基激光器电子阻挡层的优化分析
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Journal of Semiconductors 2006年 第8期27卷 1458-1462页
作者： 李倜 潘华璞 徐科 胡晓东 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所北京100871
从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al组分减小.
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GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
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Journal of Semiconductors 2005年 第z1期26卷 28-31页
作者： 陈伟华 胡晓东 章蓓 黎子兰 潘尧波 胡成余 王琦 陆羽 陆敏 杨志坚 张国义 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所北京100871
用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看... 详细信息
来源： 评论
GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈伟华 胡晓东 章蓓 黎子兰 潘尧波 胡成余 王琦 陆羽 陆敏 杨志坚 张国义 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所(北京)
用MOCVD生长了120周期GaN/AlGaN超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜... 详细信息
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