检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2017年第9期42卷 696-700,716页

作者：朱邵歆陈翔闫建昌张韵王军喜李晋闽中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所北京100846 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083 中国科学院大学北京100049 北京市第三代半导体材料及应用技术工程中心北京100083 半导体照明联合创新国家重点实验室北京100083

采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀... 详细信息

采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的Al N纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径分别为1μm和535 nm。研究结果表明,高晶体质量的Al N材料以及基于AZ400K溶液的湿法腐蚀工艺是制备无腐蚀坑且侧壁光滑的垂直Al N纳米柱阵列的关键。Al N纳米柱阵列的制备为深紫外纳米柱发光器件的研究奠定了基础。

关键词：氮化铝纳米柱纳米压印光刻湿法腐蚀自上而下法

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具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）

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发光学报 2016年第6期37卷 720-724页

作者：赵勇兵张韵程哲黄宇亮张连刘志强伊晓燕王国宏李晋闽中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心半导体照明联合创新国家重点实验室北京市第三代半导体材料及应用技术工程中心中国科学院大学

介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积（ALD）方法实现Al;O;栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长（Lg）为2μm,栅宽（Wg）为0.9 mm（0.45 mm&#... 详细信息

介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积（ALD）方法实现Al;O;栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长（Lg）为2μm,栅宽（Wg）为0.9 mm（0.45 mm×2）,栅极和源极（Lgs）之间的距离为5μm,栅极和漏极（Lgd）之间的距离为10μm。在栅压为-20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电仅为0.65 nA。在栅压为+12 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电为225 nA。器件的栅压摆幅为-20;12V。在栅压V;=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT电流和饱和电流密度分别达到了98 mA和108 mA/mm（Wg=0.9 mm）,特征导通电阻为4 mΩ·cm2。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.6 V,开启与关断电流比达到了5×108。当V;=7 V时,器件的峰值跨导为42 mS/mm(Wg=0.9 mm,V;=+10 V)。在V;=0 V时,栅漏间距为10μm的槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为450 V,关断泄露电流为0.025 mA/mm。

关键词： AlGaN/GaN 高阈值电压大栅压摆幅常关型特征导通电阻

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具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文)

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发光学报 2016年第5期37卷 578-582页

采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al2O3为栅介质的高性能AlG aN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2 V时,Schottky-gate HEM... 详细信息

采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al2O3为栅介质的高性能AlG aN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2 V时,Schottky-gate HEMT的栅漏电为191μA;在栅压为+20 V时,MOS-HEMT的栅漏电仅为23.6 nA,比同样尺寸的Schottky-gate HEMT的栅漏电低将近7个数量级。AlG aN/GaN MOSHEMT的栅压摆幅达到了±20 V。在栅压Vgs=0 V时,MOS-HEMT的饱和电流密度达到了646 mA/mm,相比Schottky-gate HEMT的饱和电流密度(277 mA/mm)提高了133%。栅漏间距为10μm的AlG aN/GaN MOSHEMT器件在栅压为+3 V时的最大饱和输出电流达到680 mA/mm,特征导通电阻为1.47 mΩ·cm2。Schottky-gate HEMT的开启与关断电流比仅为105,MOS-HEMT的开启与关断电流比超过了109,超出了Schottkygate HEMT器件4个数量级,原因是栅漏电的降低提高了MOS-HEMT的开启与关断电流比。在Vgs=-14 V时,栅漏间距为10μm的AlG aN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为640 V,关断泄露电流为27μA/mm。

关键词： AlGaN/GaN 三氧化二铝高击穿电压金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

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