检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2002年第8期51卷 1784-1787页

作者：于冬亮杨绍光都有为南京大学物理系固体微结构国家重点实验室江苏教育学院物理系南京210013

利用纯度为 99 5 %的Al片进行阳极氧化 ,制成多孔氧化铝 ,通过两步纳米复合 ,制备了金属Co纳米孔洞模板 .分别用透射电子显微镜 (TEM)、X射线衍射仪 (XRD)和振动样品磁强计 (VSM)对样品进行了测试分析 TEM观察的结果显示 ,模板孔洞分... 详细信息

利用纯度为 99 5 %的Al片进行阳极氧化 ,制成多孔氧化铝 ,通过两步纳米复合 ,制备了金属Co纳米孔洞模板 .分别用透射电子显微镜 (TEM)、X射线衍射仪 (XRD)和振动样品磁强计 (VSM)对样品进行了测试分析 TEM观察的结果显示 ,模板孔洞分布均匀、局域有序 ,平均孔径为 30nm左右 ,孔心距约为 5 9nm ;XRD测试的结果表明 ,模板是Co的多晶 ,并且具有明显的 (0 0 2 )取向 ;VSM测得模板的矫顽力为 6 16 4× 10 4 A m 。

关键词： Co 制备磁性纳米孔洞模板电化学矫顽力钴纳米材料

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液态Al_(80)Fe_(20)合金的中程有序结构

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物理化学学报 2002年第1期18卷 39-44页

作者：丛红日边秀房李辉王丽山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室济南250061 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

利用分子动力学模拟(MD)与X射线衍射实验相结合的方法研究了Al80Fe20合金熔体的微观结构,发现在结构因子的小角部分(Q=17.5nm-1)出现了一个明显的预峰(FSDP),且模拟值与实验值吻合得很好,这被认为是熔体中存在中程有序(MRO)的标志.通过... 详细信息

利用分子动力学模拟(MD)与X射线衍射实验相结合的方法研究了Al80Fe20合金熔体的微观结构,发现在结构因子的小角部分(Q=17.5nm-1)出现了一个明显的预峰(FSDP),且模拟值与实验值吻合得很好,这被认为是熔体中存在中程有序(MRO)的标志.通过对化学短程序参数(CSRO)α及Bhatis-Thornton(BT)结构因子的分析计算,发现熔体中存在较强的化学序,并认为正是这种化学序导致了中程有序结构的产生.Faber-Ziman(FZ)偏结构因子的SFe-Fe(Q)和SAl-Fe(Q)在Q=17.5nm-1处分别存在最大值与最小值,也是熔体中存在着超结构的表征.给出了体系的配位数及代表中程有序的原子团簇的结构模型.

关键词： Al80Fe20合金熔体中程有序结构分子动力学模型结构因子预峰 X射线衍射铝铁合金微观结构

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液态Al_(80)Fe_(20)在快速冷却中的MD模拟

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物理化学学报 2002年第5期18卷 414-419页

作者：丛红日边秀房李喜珍李辉山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室济南250061 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

通过Tight-binding(TB)势的分子动力学模拟分析了Al80Fe20合金熔体的中程有序结构以及快速凝固过程中体系微观结构的演变规律,发现在倒空间,其结构因子的小角部分都出现了一个预峰.在平衡态(1450K),模拟结果得到了X射线衍射实验的进一... 详细信息

通过Tight-binding(TB)势的分子动力学模拟分析了Al80Fe20合金熔体的中程有序结构以及快速凝固过程中体系微观结构的演变规律,发现在倒空间,其结构因子的小角部分都出现了一个预峰.在平衡态(1450K),模拟结果得到了X射线衍射实验的进一步印证,这被认为是体系中存在中程有序的标志.随着温度的降低,预峰的高度逐渐增大,说明体系中原子团簇尺寸越来越大.通过运用键对分析技术和键取向序参数,发现体系中存在着大量的二十面体短程有序单元.在对平衡态化学短程序参数α的计算过程中,得到了负值的α,证实了熔体中存在着较强的化学序.在FZ偏结构因子中,SAl-Fe(Q)在400K的第二峰较之SAl-Al(Q)和SFe-Fe(Q)发生了更为明显的劈裂,表明在非晶形成能力方面,Al、Fe元素之间的轨道杂化作用比Al元素或Fe元素单独作用要强.从BT偏结构因子中我们也发现,表征化学序的SCC(Q)在17.5nm-1左右处出现了第一峰,而这个峰位恰是总结构因子中出现预峰的峰位.因此可推断,正是体系中的化学序导致了中程有序结构的产生.

关键词：快速冷却 MD模拟 Al80Fe20合金熔体铝铁合金快速凝固分子动力学中程有序结构因子

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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变

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核技术 2002年第10期25卷 799-804页

作者：谭伟石沙昊沈波蔡宏灵吴小山蒋树声郑文莉贾全杰姜晓明南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093 中国科学院高能物理研究所北京100039

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,... 详细信息

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2

关键词：调制掺杂微应变 AlxGa1-x/GaN 异质结构高分辨X射线衍射微结构驰豫线模型半导体材料氮化镓铝

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单分子膜系统中二维生长过程的研究(英文)

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人工晶体学报 2002年第3期31卷 182-191页

作者：闵乃本王牧李大伟南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093

当处于气液界面的类脂类化合物的单分子膜被压缩时 ,随着分子间距的缩小 ,单分子膜将经历一系列相变过程。通过荧光显微术可以观测到新相的成核和生长过程。由于单分子膜的二维特性 ,该系统中的实验观测对于检验和发展二维界面生长理论... 详细信息

当处于气液界面的类脂类化合物的单分子膜被压缩时 ,随着分子间距的缩小 ,单分子膜将经历一系列相变过程。通过荧光显微术可以观测到新相的成核和生长过程。由于单分子膜的二维特性 ,该系统中的实验观测对于检验和发展二维界面生长理论尤为重要。本文总结了近年来本课题组与相关单位合作 ,在单分子膜系统中发现的实验现象以及对其生长机制的系列研究。内容包括对单分子膜系统中的成核、界面稳定性、枝晶生长、形态演变等的观测和分析。

关键词：单分子膜系统二维生长过程研究界面生长成核支晶生长形态演变

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Cu_3Au合金熔体的中程有序结构

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无机化学学报 2002年第5期18卷 455-459页

作者：丛红日边秀房李辉山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室济南250061 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

采用紧束缚(Tight-binding,简称TB)原子间相互作用势,利用分子动力学模拟(MolecularDynamics,简称MD)的方法研究了Cu3Au合金熔体的微观结构,发现Cu3Au合金体系在高于熔点以上的400K～500K的温度范围内,结构因子上存在预峰,且在此范围内... 详细信息

采用紧束缚(Tight-binding,简称TB)原子间相互作用势,利用分子动力学模拟(MolecularDynamics,简称MD)的方法研究了Cu3Au合金熔体的微观结构,发现Cu3Au合金体系在高于熔点以上的400K～500K的温度范围内,结构因子上存在预峰,且在此范围内,随着温度的升高,预峰的强度逐渐降低。当温度超过1764K时,预峰开始消失。通过Lorentzian近似和Scherrer公式,可得预峰所对应的原子团簇尺寸位于1.35nm～1.85nm之间,属于中程有序结构范畴。Bhatia-Thornton(BT)偏结构因子表明,预峰的起源应归咎于体系中存在的化学序与拓扑序。BT形式的双体分布函数也证实,体系中存在着较强的化学序,且团簇中原子间的配位倾向于同类原子的配位。

关键词：铜金合金 Cu3Au合金熔体结构因子中程有序结构微观结构分子动力学模拟

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金属-铁电体-GaN结构研究

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Journal of Semiconductors 2002年第1期23卷 30-33页

作者：毕朝霞张荣李卫平殷江沈波周玉刚陈鹏陈志忠顾书林施毅刘治国郑有炓南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

以铁电体 Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7) O3取代传统绝缘栅氧化物制备了 Ga N基金属 -绝缘层 -半导体 (MIS)结构 .由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数 ,Ga N基金属 -铁电体 -半导体 (MFS)结构的电容 -电压特性与其他 Ga N基MIS结构相比较... 详细信息

以铁电体 Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7) O3取代传统绝缘栅氧化物制备了 Ga N基金属 -绝缘层 -半导体 (MIS)结构 .由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数 ,Ga N基金属 -铁电体 -半导体 (MFS)结构的电容 -电压特性与其他 Ga N基MIS结构相比较得到了显著的提高 .Ga N基 MFS结构中 Ga N激活层达到反型时的偏压小于 5 V ,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致 ,而且结果表明 Ga N层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级 .因此 ,Ga N基 MFS结构对于 Ga

关键词：半导体氮化镓铁电体金属

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等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射

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固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 454-457页

作者：马忠元王立陈坤基李伟张林鲍云王晓伟徐俊黄信凡冯端南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 210093

报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出... 详细信息

报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试。

关键词：等离子体氧化纳米硅光致发光硅/二氧化硅多层膜

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由扁平超导体表面磁场反演二维体电流密度分布的一种有效方案

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低温物理学报 2002年第4期24卷 260-263页

作者：徐小农卢定伟金新南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室固体微结构物理国家重点实验室南京210093

本文介绍一种由扁平超导样品表面垂直磁场分布反演体电流密度分布的有效方案 .依据二维情形超导样品表面的磁光测量获得的局域垂直场分布 ,借助于磁偶极矩与磁偶极矩激发磁场的关系 ,利用物理问题的对称性 ,由求解线性方程组的共轭梯度... 详细信息

本文介绍一种由扁平超导样品表面垂直磁场分布反演体电流密度分布的有效方案 .依据二维情形超导样品表面的磁光测量获得的局域垂直场分布 ,借助于磁偶极矩与磁偶极矩激发磁场的关系 ,利用物理问题的对称性 ,由求解线性方程组的共轭梯度数学方法 ,反演二维情形下的电流密度分布

关键词：超导体反演磁场线性方程组共轭梯度数学电磁场电流密度磁化强度矩阵数学分析磁偶极矩二维

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ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

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中国科学（A辑） 2002年第10期32卷 895-899页

作者：毕朝霞张荣李卫平王栩生顾书林沈波施毅刘治国郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京210093

利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的（111）... 详细信息

利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的（111）择优取向.同时扫描电子显微镜（SEM）照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构,然后再变为突起的线状结构.另外,XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定.在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜.XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶,单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°.结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核,从而提高了GaN的晶体质量.

关键词： ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底制备 GaN薄膜 MOCVD X射线衍射谱半导体材料两步生长工艺氮化钙

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