检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学进展 2009年第4期29卷 325-351页

作者：金国钧冯端南京大学固体微结构国家重点实验室和物理系南京210093

本文综述凝聚态物理学中的量子相变和量子临界现象,首先考察了相变中存在量子效应的可能性,通过横磁场Ising模型介绍了量子相变的基本特征;接下来对照热临界现象,引入了量子标度和量子重正化的基本概念和操作方式;然后利用量子临界现象... 详细信息

本文综述凝聚态物理学中的量子相变和量子临界现象,首先考察了相变中存在量子效应的可能性,通过横磁场Ising模型介绍了量子相变的基本特征;接下来对照热临界现象,引入了量子标度和量子重正化的基本概念和操作方式;然后利用量子临界现象的方案,分析了密度驱动、无序驱动和关联驱动的金属-绝缘体相变;继续利用量子临界性的概念探讨如重电子化合物、铜氧化物和巡游铁磁体这类复杂的相互作用多粒子系统;最后选择量子点、碳纳米管和单层石墨为例,介绍了量子临界性在低维和纳米系统研究中的作用。

关键词：量子相变量子临界性标度重正化金属-绝缘体相变关联电子系统

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

NiTi形状记忆薄膜的溅射制备及晶化热处理工艺

引用

材料热处理学报 2001年第4期22卷 40-42页

作者：宫峰飞沈惠敏王业宁华东师范大学物理系上海200062 南京大学固体微结构国家重点实验室江苏南京210008

用磁控溅射法制备了NiTi非晶薄膜。薄膜无形状记忆效应。研究了经不同晶化热处理后的形状记忆效应 ,获得的最佳晶化热处理条件为 5 0 0～ 70 0℃范围内晶化 0 5h。

关键词： NiTi 形状记忆薄膜溅射制备晶化热处理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

引用

Journal of Semiconductors 2000年第2期21卷 127-131页

作者：吴晓华鲍希茂李宁生廖良生郑祥钦南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京210093

单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ时，可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射，而... 详细信息

单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ时，可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射，而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较。

关键词：碳化硅薄膜电致发光发光机理硅基

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

从动力学驰豫的测量结果推导临界电流密度Jc0（T,Be）的直接方法

引用

低温物理学报 1997年第3期19卷 2-6页

作者：姚希贤,覃孟军,于杨南京大学物理系固体微结构国家重点实验室

本文给出了一种从高温超导体动力学驰豫的测量结果推导其临界电流密度Ｊｃ０（Ｔ，Ｂｅ）的直接方法．这种方法与ＧＩＳ相比，避免了ＧＩＳ中所涉及的复杂的讨论和处理，使问题变得直接和明朗．同时，用这种方法还可以从动力学弛豫的测... 详细信息

本文给出了一种从高温超导体动力学驰豫的测量结果推导其临界电流密度Ｊｃ０（Ｔ，Ｂｅ）的直接方法．这种方法与ＧＩＳ相比，避免了ＧＩＳ中所涉及的复杂的讨论和处理，使问题变得直接和明朗．同时，用这种方法还可以从动力学弛豫的测量中求出μ和Ｕｃ随温度和磁场的依赖关系μ（Ｔ，Ｂｅ）、Ｕｃ（Ｔ，Ｂｅ）．

关键词：直接方法临界电流密度驰豫 c0 T,B_e 测量结果动力学

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

引用

中国科学（A辑） 2002年第10期32卷 895-899页

作者：毕朝霞张荣李卫平王栩生顾书林沈波施毅刘治国郑有炓南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京210093

利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的（111）... 详细信息

利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的（111）择优取向.同时扫描电子显微镜（SEM）照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构,然后再变为突起的线状结构.另外,XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定.在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜.XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶,单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°.结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核,从而提高了GaN的晶体质量.

关键词： ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底制备 GaN薄膜 MOCVD X射线衍射谱半导体材料两步生长工艺氮化钙

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米Si/SiO_2多层膜的结构表征及发光特性

引用

发光学报 2008年第1期29卷 161-165页

作者：韦德远陈德媛韩培高马忠元徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO2多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅。利用Raman、TEM等手段对薄膜结构进行了系统表征,在室温下观测... 详细信息

采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO2多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅。利用Raman、TEM等手段对薄膜结构进行了系统表征,在室温下观测到了光致发光信号,其发光峰峰位在750nm附近。进而在样品上下表面蒸镀电极,构建了电致发光原型器件并观测到了室温下的电致发光谱,开启电压约为6V,有两个明显的发光带,分别位于在650nm和520nm处。初步探讨了纳米硅及纳米硅/二氧化硅界面态对发光特性的影响。

关键词：纳米硅结构光致发光(PL) 电致发光(EL)

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiO_2薄膜注Si^+后的蓝光发射

引用

科学通报 1996年第1期41卷 94-95页

作者：廖良生鲍希茂郑祥钦李宁生闵乃本南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京210093

由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2... 详细信息

由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si^+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在～2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在～2.7eV的蓝光发射.

关键词：二氧化硅薄膜硅注入蓝光发射半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性

引用

发光学报 2008年第3期29卷 573-577页

作者：周江李卫张贤高徐骏徐岭李伟陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093

利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性。为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅... 详细信息

利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性。为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜。与单晶纳米硅柱阵列相比,覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善,表现在场发射的开启电场下降,同时场发射增强因子得到增加。结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒,从而增强了场电子发射特性。

关键词：纳米硅阵列场发射非晶碳

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单晶GdBa2Cu3O6+δ顺磁性和超导性的研究

引用

低温物理学报 2005年第S1期27卷 524-529页

作者：吴高建刘胜利徐锡斌吴坚邵惠民南京210093 南京大学物理系南京大学物理系南京大学固体微结构国家重点实验室

掺杂有顺磁性稀土元素离子的高温超导体的磁滞回线因包含有顺磁的贡献而变宽,使根据Bean模型得到的临界电流密度偏离了其真实的值.本文对描述其中顺磁性磁化强度贡献的扩展Brillouin函数进行了修正,并将该种描述方法应用于单晶GdBa2Cu3... 详细信息

掺杂有顺磁性稀土元素离子的高温超导体的磁滞回线因包含有顺磁的贡献而变宽,使根据Bean模型得到的临界电流密度偏离了其真实的值.本文对描述其中顺磁性磁化强度贡献的扩展Brillouin函数进行了修正,并将该种描述方法应用于单晶GdBa2Cu3O6+δ样品.外场低于临界场HC1时,顺磁性对总的磁化强度没有贡献;外场高于HC1的磁场下,磁场增加和磁场降低时顺磁性的磁化贡献并不相等.由此验证了在GdBa2Cu3O6+δ的晶体结构中,超导电流沿Cu-O面流动,对位于两层Cu-O面间的顺磁性离子产生屏蔽作用.GdBa2Cu3O6+δ中超导性和顺磁性相互独立共存,超导性通过电流的屏蔽作用间接的影响了顺磁性的贡献.

关键词：顺磁性(paramagnetism) 磁滞回线(hysteresis loop) GdBa2Cu3O6+δ

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变

引用

核技术 2002年第10期25卷 799-804页

作者：谭伟石沙昊沈波蔡宏灵吴小山蒋树声郑文莉贾全杰姜晓明南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093 中国科学院高能物理研究所北京100039

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,... 详细信息

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2

关键词：调制掺杂微应变 AlxGa1-x/GaN 异质结构高分辨X射线衍射微结构驰豫线模型半导体材料氮化镓铝

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：