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Bi_2Sr_2CaCu_(2-x)Sn_xO_(8+δ)系列超导体的XRD和XPS研究

物理学报 2000年第10期49卷 2055-2058页

作者：李旗潘海斌祝传刚徐彭寿周映雪张新夷南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

实验研究了Bi2 Sr2 CaCu2 -xSnxO8+δ的X射线衍射 (XRD)和光电子能谱 (XPS) .实验发现随着掺杂 (Sn)量的增加 ,晶格参数a和c都有所变化 ,O1s和Cu2 p芯能级谱也发生了变化 .实验结果表明 :在低掺杂量时 ,Sn主要呈二价态 ;而在高掺杂浓度... 详细信息

实验研究了Bi2 Sr2 CaCu2 -xSnxO8+δ的X射线衍射 (XRD)和光电子能谱 (XPS) .实验发现随着掺杂 (Sn)量的增加 ,晶格参数a和c都有所变化 ,O1s和Cu2 p芯能级谱也发生了变化 .实验结果表明 :在低掺杂量时 ,Sn主要呈二价态 ;而在高掺杂浓度时呈四价态 ;掺Sn对超导电性的影响与其他元素的掺杂不同 .这些实验结果支持化学环境在高温超导样品的电子结构中起着重要作用的结论 .

关键词：铋系超导体掺杂超导电性 SRD XPS

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3种玻璃材料的介电弛豫谱

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金属学报 2003年第11期39卷 1201-1204页

作者：汪成聚黄以能何峻王业宁南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

对高分子玻璃材料poly(5-arcyloxymethyl-5-ethyl-1,3-dioxacyclohexane)PAMED,小分子玻璃材料ethanol和glycerol的频域介电弛豫谱进行了数据分析研究.基于两个经验公式的叠加和,把弛豫谱的α与β过程分解开来,给出了它们的参数,研究了... 详细信息

对高分子玻璃材料poly(5-arcyloxymethyl-5-ethyl-1,3-dioxacyclohexane)PAMED,小分子玻璃材料ethanol和glycerol的频域介电弛豫谱进行了数据分析研究.基于两个经验公式的叠加和,把弛豫谱的α与β过程分解开来,给出了它们的参数,研究了它们的相互关系.初步讨论了玻璃材料的脆性与结构的关系以及它们的物理机制.

关键词：玻璃材料介电弛豫谱脆性因子

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复合体材料CuFe_2O_4-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3的内耗和介电损耗

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金属学报 2003年第11期39卷 1197-1200页

作者：李伟宋春花包鹏马骏朱劲松王业宁南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

用传统的固相反应方法制备了CuFe2O4-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3复合体材料陶瓷.用X射线衍射确定了复合体材料中各相的存在.用双端振动簧法研究了样品在-200-400℃的音频内耗谱,在37.6℃发现一个很大的内耗峰P1,并伴随着约9％的模量的软化,表明... 详细信息

用传统的固相反应方法制备了CuFe2O4-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3复合体材料陶瓷.用X射线衍射确定了复合体材料中各相的存在.用双端振动簧法研究了样品在-200-400℃的音频内耗谱,在37.6℃发现一个很大的内耗峰P1,并伴随着约9％的模量的软化,表明了相变的存在.在室温下,测量了介电常数ε’和介电损耗tanδ随频率变化的关系;同时,测量了复合体材料的介电常数和介电损耗随温度的变化关系,进一步验证P1峰由立方到四方的相变引起.最后给出样品的磁滞回线.

关键词：磁电效应内耗介电常数

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非正分钙钛矿锰氧化物(La_(0.8)Sr_(0.2))_(1-x)MnO_3的电磁特性

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功能材料 2004年第3期35卷 283-285页

作者：余江应胡秀坤夏洪旭崔旭高张世远南京大学物理系固体微结构国家重点实验室江苏南京210093

　报道了A位缺位的钙钛矿锰氧化物(La0.8Sr0.2)1-xMnO3(0≤x≤0.30)多晶样品的相结构、磁性和磁电阻效应。实验表明,当x≥0.20时,化合物主要由磁性钙钛矿相和非磁性Mn3O4相所组成。它们的电阻率随温度的变化曲线均具有双峰特征,高温侧... 详细信息

　报道了A位缺位的钙钛矿锰氧化物(La0.8Sr0.2)1-xMnO3(0≤x≤0.30)多晶样品的相结构、磁性和磁电阻效应。实验表明,当x≥0.20时,化合物主要由磁性钙钛矿相和非磁性Mn3O4相所组成。它们的电阻率随温度的变化曲线均具有双峰特征,高温侧的电阻率峰出现在钙钛矿相的居里温度附近,低温侧的电阻率宽峰则是金属导电性的钙钛矿晶粒和高电阻率的半导体或绝缘体导电性的晶界或相界共同作用的结果。样品的零场电阻率ρo随着A位缺位量x的增大而增大。适当改变x值,可以改善磁电阻比的温度稳定性。当x=0.30时,化合物磁电阻比MR在一个相对宽的温度范围内(175～328K)基本上保持不变,即MR=(9.1±0.5)%。

关键词：钙钛矿锰化合物磁电阻比 A位缺位庞磁电阻(CMR)

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磁电复合材料CuFe_2O_4/PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3的内耗与介电损耗

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金属学报 2003年第11期39卷 1209-1211页

作者：戴玉蓉包鹏朱劲松沈惠敏刘俊明王业宁南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

制备了组分为xCuFe2O4-(1-x)PbZr0.53Ti0.47O3(其中z=0.1,0.2,0.3,1.0)的磁电复合材料.XRD实验表明,样品中只存在着CuFe2O4和PbZr0.53Ti0.47O3相.利用多功能摆测量了样品在低频下(0.1-6.4Hz)的内耗,同时利用HP 4194A阻抗分析仪测量了样... 详细信息

关键词：内耗磁电效应介电损耗

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PZT陶瓷材料低温相变的内耗测量

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金属学报 2003年第11期39卷 1167-1169页

作者：戴玉蓉包鹏沈惠敏朱劲松王业宁南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

通过差热分析(DSC)、内耗以及Young’s模量等测量了PZT铁电陶瓷材料的相变行为.结果表明,在261和225 K各出现一个内耗峰.前者与DSC探测到的峰温一致,对应于从四方到单斜的一级相变;后者峰形不对称,对应的Young’s模量有突变,但在DSC上... 详细信息

通过差热分析(DSC)、内耗以及Young’s模量等测量了PZT铁电陶瓷材料的相变行为.结果表明,在261和225 K各出现一个内耗峰.前者与DSC探测到的峰温一致,对应于从四方到单斜的一级相变;后者峰形不对称,对应的Young’s模量有突变,但在DSC上无反映,这可能与界面的运动有关,即与相变的稳态内耗有关.

关键词：铁电体相变内耗 Young’s模量差热分析

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稀土锰氧化物La_(1-x)Na_xMnO_3室温磁电阻效应研究

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功能材料 2001年第2期32卷 147-148页

作者：许恒毅曹庆琪唐涛张世远南京大学物理系固体微结构国家重点实验室江苏南京210093

采用固态烧结的方法制备了一系列稀土锰氧化物Ｌａ１－ｘＮａｘＭｎＯ３多晶样品，研究了不同成分样品的微结构，磁电阻和居里温度等性质，并对实验结果进行了定性讨论。

关键词：钙钛矿巨磁电阻双交换作用铁磁性稀土锰氧化物

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位错对n型GaN光助电化学腐蚀的中止作用

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高技术通讯 2001年第4期11卷 94-95,98页

作者：陈克林张荣王国鹏俞慧强顾书林沈波施毅王慧田郑有 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

对用氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的n型GaN进行光助电化学 (PEC)腐蚀研究 ,发现了位错中止腐蚀的直接证据 ,并对其机理作了探讨。

关键词：氢化物气相外延光助电化学腐蚀位错中止腐蚀氮化镓

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氮氢混合气氛对SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜和粉末性能的影响

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无机材料学报 2009年第4期24卷 737-740页

作者：王东生于涛胡安吴迪李爱东刘治国南京航空航天大学应用物理系南京210016 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093

用金属有机物分解法分别制备了SrBi2Ta2O9(SBT)薄膜和粉末样品.XRD和SEM结果显示SBT粉末经历氮氢混合气氛400℃退火处理后发生了还原反应,金属Bi和δ-Bi2O3析出,成针状结构聚集在表面,晶体结构没有被破坏.SBT薄膜在500℃退火处理时,表... 详细信息

用金属有机物分解法分别制备了SrBi2Ta2O9(SBT)薄膜和粉末样品.XRD和SEM结果显示SBT粉末经历氮氢混合气氛400℃退火处理后发生了还原反应,金属Bi和δ-Bi2O3析出,成针状结构聚集在表面,晶体结构没有被破坏.SBT薄膜在500℃退火处理时,表面出现Bi的球形及针状结构聚集体,相对于薄膜结构,SBT粉末中的Bi元素在较低温度时更容易被还原.Bi的大量缺失严重影响薄膜的铁电性能,当退火时间为5.5min时,SBT薄膜剩余极化强度Pr下降了约43%,但是在109极化反转后仍然保持了良好的抗疲劳特性;退火时间超过8.5min时,薄膜被击穿,铁电性能消失.

关键词： SBT铁电薄膜氮氢混合气氛还原退化

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扫描透射电子显微镜(STEM)在新一代高K栅介质材料的应用

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无机材料学报 2014年第12期29卷 1233-1240页

作者：朱信华李爱东刘治国南京大学物理学院、固体微结构物理国家重点实验室南京210093 南京大学材料科学与工程系南京210093

扫描透射电子显微镜(STEM)原子序数衬度像(Z-衬度像)具有分辨率高(可直接"观察"到晶体中原子的真实位置)、对化学组成敏感以及图像直观易解释等优点,成为原子尺度研究材料微结构的强有力工具。本文介绍了STEM Z-衬度像成像原... 详细信息

扫描透射电子显微镜(STEM)原子序数衬度像(Z-衬度像)具有分辨率高(可直接"观察"到晶体中原子的真实位置)、对化学组成敏感以及图像直观易解释等优点,成为原子尺度研究材料微结构的强有力工具。本文介绍了STEM Z-衬度像成像原理、方法及技术特点,并结合具体的高K栅介质材料(如铪基金属氧化物、稀土金属氧化物和钙钛矿结构外延氧化物薄膜)对STEM在新一代高K栅介质材料研究中的应用进行了评述。目前球差校正STEM Z-衬度的像空间分辨率已达亚埃级,该技术在高K柵介质与半导体之间的界面微结构表征方面具有十分重要的应用。对此,本文亦进行了介绍。

关键词：扫描透射电子显微镜 Z-衬度STEM像高K柵介质材料界面微结构综述

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