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作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是111-120 订阅
排序:
f_T=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管
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固体电子研究与进展 2019年 第6期39卷 F0003-F0003页
作者: 牛斌 范道雨 代鲲鹏 林罡 王维波 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对... 详细信息
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超厚层4H-SiC同质外延材料
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固体电子研究与进展 2019年 第2期39卷 F0003-F0003页
作者: 李赟 李忠辉 赵志飞 王翼 周平 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三... 详细信息
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金属有机物化学气相沉积同质外延GaN薄膜表面形貌的改善
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物理学报 2017年 第10期66卷 229-234页
作者: 李忠辉 罗伟科 杨乾坤 李亮 周建军 董逊 彭大青 张东国 潘磊 李传皓 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
为了获得高质量的GaN薄膜材料,研究了金属有机物气相沉积系统中GaN插入层对GaN衬底同质外延层表面宏观缺陷和晶体质量的影响.研究发现,插入层生长温度是影响GaN同质外延膜表面形貌和晶体质量的关键因素.由于生长模式与插入层生长温度相... 详细信息
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氧化物功能薄膜材料在柔性传感器件中的应用
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中国科学:信息科学 2018年 第6期48卷 635-649页
作者: 潘泰松 廖非易 姚光 王宇轩 高敏 林媛 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器... 详细信息
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面向100 GHz+数模混合电路的0.5 μm InP DHBT工艺(英文)
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红外与毫米波学报 2017年 第2期36卷 167-172页
作者: 程伟 张有涛 王元 牛斌 陆海燕 常龙 谢俊领 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频... 详细信息
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柔性热管的研究进展与展望
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中国材料进展 2018年 第12期37卷 1025-1032,1047页
作者: 陶鹏 常超 郭怀新 陈寰贝 尚文 邓涛 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室 上海200240 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子器件以及可折叠电... 详细信息
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太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究
太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究
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2019年全国微波毫米波会议
作者: 陈亚培 张勇 孙岩 陆海燕 程伟 徐锐敏 极高频复杂系统重点学科实验室电子科技大学 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所
随着微波毫米波技术的发展,对于高精度电路仿真技术的要求越来越严格,而准确的太赫兹晶体管模型非常缺乏。本文针对这一问题,提出了一种新型双内电阻太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号模型,该模型针对0.5um*5um发射极晶体管实现了良好... 详细信息
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大功率器件及材料的热特性表征技术研究进展
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中国材料进展 2018年 第12期37卷 1017-1023,1047页
作者: 郭怀新 黄语恒 黄宇龙 陶鹏 孔月婵 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室 上海200240
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表... 详细信息
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一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型
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半导体技术 2018年 第1期43卷 42-47页
作者: 朱袁科 李文钧 陆海燕 刘军 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成电路和模块电路重点实验室 南京210016
提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用(o... 详细信息
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片上集成三通道MEMS开关滤波技术
片上集成三通道MEMS开关滤波技术
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2018年全国微波毫米波会议
作者: 侯芳 王文岩 刘梓枫 朱健 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
本文主要介绍了一种小型化的基于MEMS技术的片上集成开关滤波技术,该芯片由3个分别工作在6.1-7.9GHz、7.9-9.9GHz、9.9-11.9GHz的滤波器和2个PIN单刀四掷开关组成。测试结果表明:开关滤波器导通后中心插损最大约4.7dB,带边1GHz处带外抑... 详细信息
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