检索结果-内蒙古大学图书馆

太阳能学报 2007年第12期28卷 1304-1307页

作者：张晓丹赵颖魏长春孙建赵静耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 天津新华职工大学

主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶... 详细信息

主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶化率约50%。进行了制备电池的开路电压和表观带隙之间关系的研究。

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积高效率微晶硅薄膜太阳电池表观带隙

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

生长速率对反应蒸发制备ITO薄膜光电性能的影响

引用

光电子．激光 2007年第1期18卷 24-26,29页

作者：李林娜孙建薛俊明李养贤赵颖耿新华河北工业大学材料科学与工程学院南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

用电阻加热反应蒸发的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,测试了膜的电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论生长速率对薄膜光电性能的影响。并在衬底温度为160℃、反应压强为1.4×10-1Pa的条件下,制得可见光范围平均透过率为93%... 详细信息

用电阻加热反应蒸发的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,测试了膜的电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论生长速率对薄膜光电性能的影响。并在衬底温度为160℃、反应压强为1.4×10-1Pa的条件下,制得可见光范围平均透过率为93%、电阻率为4.7×10-4Ω.cm的ITO透明导电薄膜。

关键词：氧化铟锡(ITO)薄膜电阻率载流子浓度迁移率透过率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用

引用

Journal of Semiconductors 2007年第7期28卷 1072-1077页

作者：陈新亮薛俊明孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有（110）峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~1... 详细信息

研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有（110）峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/（V.s）的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UtypeSnO2作前电极的电池具有同等效果.

关键词： MOCVD 绒面ZnO薄膜 B掺杂前电极太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究

引用

光电子．激光 2007年第5期18卷 511-514页

作者：王锐薛俊明俞远高侯国付李林娜孙建张德坤杨瑞霞赵颖耿新华河北工业大学信息工程学院南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学材料科学与工程学院

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-SiH)/I(a-SiH)/P(cryst-SiH)/ITO/Al。为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-SiH)/I(a-SiH)/P(cryst-SiH)/ITO/Al。为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法。通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5min,N层沉积12min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%。通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。

关键词：非晶硅(a-Si) 太阳能电池 I/P界面 NIP电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnO:Al绒面透明导电薄膜的制备及分析

引用

太阳能学报 2007年第7期28卷 701-705页

作者：薛俊明黄宇熊强马铁华孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北省信息产业厅唐山无线电管理分局唐山063000 仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子工程系太原030051

利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄... 详细信息

利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄膜的结构特性以及衬底温度、溅射功率和腐蚀时间对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在的应用前景。

关键词：中频脉冲磁控溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜绒面结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

绒面结构ZnO薄膜及其湿法刻蚀处理

绒面结构ZnO薄膜及其湿法刻蚀处理

引用

第十届全国MOCVD学术会议

作者：陈新亮薛俊明张德坤赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

制备出应用于Si基薄膜电池的绒面MOCVD-ZnO薄膜,并尝试相应的CHCOOH湿法刻蚀表面处理。结果表明,处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于... 详细信息

制备出应用于Si基薄膜电池的绒面MOCVD-ZnO薄膜,并尝试相应的CH<,3>COOH湿法刻蚀表面处理。结果表明,处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。

关键词： ZnO薄膜湿法刻蚀太阳能电池绒面结构 Si基薄膜电池表面处理微观结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响

引用

人工晶体学报 2006年第1期35卷 81-84页

作者：朱锋赵颖魏长春任慧智薛俊明张晓丹高艳涛张德坤孙建耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率... 详细信息

本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253 cm2。

关键词：非晶/微晶叠层电池微晶硅 N/P隧穿结

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

溅射气压对镍铁氧化物催化薄膜在碱性溶液中析氧特性影响的研究

引用

人工晶体学报 2006年第6期35卷 1301-1306页

作者：张庆宝薛俊明宋红孙建耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学) 天津300071

采用对靶直流磁控溅射设备制备镍铁氧化物催化薄膜,研究了溅射气压与催化薄膜的结构、表面形貌、过电位、电阻率及生长速率之间的关系。实验结果显示在溅射气压从0.5Pa到4.0Pa的范围内变化时,随溅射气压升高,材料晶化率降低,生长速率下... 详细信息

采用对靶直流磁控溅射设备制备镍铁氧化物催化薄膜,研究了溅射气压与催化薄膜的结构、表面形貌、过电位、电阻率及生长速率之间的关系。实验结果显示在溅射气压从0.5Pa到4.0Pa的范围内变化时,随溅射气压升高,材料晶化率降低,生长速率下降,过电位和电阻率都是先减小再增大;对用不同铁含量的镍铁合金靶制备的催化薄膜的极化特性比较发现,靶材中铁的含量越多过电位越小。

关键词：镍铁氧化物对靶磁控溅射溅射气压过电位

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

引用

人工晶体学报 2006年第6期35卷 1313-1317页

作者：陈新亮薛俊明孙建任慧志张德坤赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津30071 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学) 天津300071

本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的Zn... 详细信息

本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜；Hall测量表明，较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性，可归于晶粒长大和晶体质量提高。40min沉积时间（膜厚为1250m）制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构，其晶粒尺寸为300-500m，电阻率为7．9×10^-3Q·cm，迁移率为26．8cm^2／Vs。

关键词： MOCVD ZnO薄膜透明导电氧化物太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

引用

人工晶体学报 2006年第1期35卷 170-172,169页

作者：张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度... 详细信息

本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。

关键词：微晶硅薄膜太阳电池气体流量硅烷浓度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：