检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2006年第3期35卷 514-517页

作者：高艳涛张晓丹朱锋魏长春孙建赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)

采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开... 详细信息

采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变。电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大。不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同。另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移。

关键词：甚高频等离子化学气相沉积微晶硅太阳电池硅烷浓度

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相变域硅薄膜材料的光稳定性

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物理学报 2006年第2期55卷 947-951页

作者：王岩韩晓艳任慧志侯国付郭群超朱锋张德坤孙建薛俊明赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室河北工业大学材料科学与工程学院天津300130

采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的... 详细信息

采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池.

关键词：射频等离子体增强化学气相沉积硅薄膜 Staebler—Wronski(SW)效应稳定性

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微晶硅薄膜晶体管稳定性研究

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物理学报 2006年第12期55卷 6612-6616页

作者：李娟吴春亚赵淑云刘建平孟志国熊绍珍张芳南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津301071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 科学技术部高技术研究发展中心北京100044

对有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅薄膜晶体管,测试其偏压衰退特性时,观察到一种“自恢复”的衰退现象.当栅和源漏同时施加10V的偏压时,测试其源-漏电流随时间的变化,发现源-漏电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采用栅压... 详细信息

对有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅薄膜晶体管,测试其偏压衰退特性时,观察到一种“自恢复”的衰退现象.当栅和源漏同时施加10V的偏压时,测试其源-漏电流随时间的变化,发现源-漏电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采用栅压为10V、源-漏之间施加零偏压的模式时,源-漏电流随时间呈先是几乎指数式下降、随之是衰退速度减缓的正常衰退趋势.就此现象进行了初步探讨.

关键词：过渡区硅材料微晶硅薄膜晶体管稳定性自恢复衰退

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温度对镍铁氧化物膜电极在碱液中析氧行为的影响

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人工晶体学报 2006年第3期35卷 536-538,535页

作者：宋红孙健张庆宝张德坤周作祥耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 南开大学新能源材料化学研究所天津300071

用直流磁控溅射设备制备的镍铁氧化物薄膜作为电解水的阳极材料在不同温度的1M KOH溶液中析氧活性不同。当电流密度为10mA／cm^2时，过电位由22℃时的299mV下降到60℃时的292mV。在低过电位区，Tafel斜率b为27～28mV／dec；高过电位区，... 详细信息

用直流磁控溅射设备制备的镍铁氧化物薄膜作为电解水的阳极材料在不同温度的1M KOH溶液中析氧活性不同。当电流密度为10mA／cm^2时，过电位由22℃时的299mV下降到60℃时的292mV。在低过电位区，Tafel斜率b为27～28mV／dec；高过电位区，Tafel斜率为130～150mV／dec，并未发现斜率的突变。说明在一定范围内温度的提高并未改变析氧的速控步骤，同时该过程的动力学数据还表明电极析氧反应的可逆性没有显著变化。

关键词：镍铁氧化物膜 Tafel斜率速控步骤

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金属Cr阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(In,Ga)Se_2太阳电池性能的影响

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Journal of Semiconductors 2006年第10期27卷 1781-1784页

作者：张力何青徐传明薛玉明王春婧施成营肖建平李长健孙云南开大学薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了Cr扩散阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)太阳电池性能的影响.XRD和SEM分析表明,Cr阻挡层能够部分阻挡Fe等杂质从不锈钢衬底热扩散进入CIGS吸收层中,同时可以显著降低CIGS吸收层的粗糙度,提高薄膜结晶质量.从衬底扩散... 详细信息

研究了Cr扩散阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)太阳电池性能的影响.XRD和SEM分析表明,Cr阻挡层能够部分阻挡Fe等杂质从不锈钢衬底热扩散进入CIGS吸收层中,同时可以显著降低CIGS吸收层的粗糙度,提高薄膜结晶质量.从衬底扩散进入吸收层中的Fe元素以FeInSe2的形式存在,并形成FeCu等深能级缺陷,钝化了器件的性能.相同工艺条件下,在玻璃、不锈钢以及不锈钢/Cr阻挡层上所制备电池的(有效面积0·87cm2)转换效率分别为10·7%,7·95%和8·58%,不锈钢衬底电池效率的提高归因于Cr阻挡层的作用.

关键词：三步共蒸发工艺 Cu(InxGa1-x)Se2 柔性不锈钢衬底 Cr阻挡层 FeInSe2

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p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响

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人工晶体学报 2006年第4期35卷 739-742页

作者：范红兵张晓丹赵颖孙建魏长春谷士彬张存善河北工业大学信息学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学) 天津300071

本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和... 详细信息

本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳。

关键词： ZnO p型传导超声喷雾热分解衬底温度

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ZnO-TCO薄膜及其在太阳电池中的应用

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材料导报 2006年第5期20卷 22-25页

作者：陈新亮薛俊明赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

概括地阐述了ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)的特性及其在薄膜太阳电池中的应用,介绍了ZnO薄膜在薄膜太阳电池中的应用背景,阐明了它在其中的作用及ZnO-TCO薄膜的主流生长方法,并给出了近年来ZnO-_ TCO薄膜的主要研究结果,最后展望了其应用... 详细信息

概括地阐述了ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)的特性及其在薄膜太阳电池中的应用,介绍了ZnO薄膜在薄膜太阳电池中的应用背景,阐明了它在其中的作用及ZnO-TCO薄膜的主流生长方法,并给出了近年来ZnO-_ TCO薄膜的主要研究结果,最后展望了其应用和发展趋势。

关键词： ZnO薄膜透明导电氧化物陷光作用太阳电池

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溅射腔气压对电极材料析氢活性的影响

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人工晶体学报 2006年第6期35卷 1291-1295页

作者：宋红张庆宝魏长春耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学) 天津300071

采用直流磁控溅射法制备了析氢反应的电极材料-N iFe,CoMo,研究了在1.0Pa^4.0Pa的范围内,不同溅射腔气压条件下制备的电极材料的晶粒尺寸、析氢反应的过电位与气压的关系,结果显示过电位随气压升高而降低,而且在2.0Pa处,过电位变化的程... 详细信息

采用直流磁控溅射法制备了析氢反应的电极材料-N iFe,CoMo,研究了在1.0Pa^4.0Pa的范围内,不同溅射腔气压条件下制备的电极材料的晶粒尺寸、析氢反应的过电位与气压的关系,结果显示过电位随气压升高而降低,而且在2.0Pa处,过电位变化的程度和Tafel斜率均发生突变,表明不同溅射气压下制备的材料晶粒尺寸的变化,引起了析氢反应控制步骤的改变。

关键词：析氢电极材料气压过电位晶粒尺寸

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太阳电池制氢的催化电极材料和结构的研究

太阳电池制氢的催化电极材料和结构的研究

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：张庆宝薛俊明宋红耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文研究了对靶直流磁控溅射设备制备的阳极催化薄膜和阴极催化薄膜的过电位,以及太阳电池制氢的结构.制备出析氧过电位小且电阻率较小的阳极催化薄膜和析氢过电位小的阴极催化薄膜,并用三节串联非晶硅电池实现太阳电池制氢.

关键词：对靶磁控溅射太阳电池制氢过电位阳极催化薄膜阴极催化薄膜

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气体总流量对高速沉积的微晶硅薄膜的性能影响

气体总流量对高速沉积的微晶硅薄膜的性能影响

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：郭群超耿新华韩晓艳王辉孙建魏长春南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.本文采用超高频等离子体增强化学气相沉积技术,实现了微晶硅薄膜的高速沉积,并考察了气体总流量在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率、光电特性和结构特性的影... 详细信息

实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.本文采用超高频等离子体增强化学气相沉积技术,实现了微晶硅薄膜的高速沉积,并考察了气体总流量在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率、光电特性和结构特性的影响,获得了沉积速率达到12(A)/s的器件质量级微晶硅薄膜材料.采用沉积速率12(A)/s的微晶硅材料制备微晶硅电池,在未优化的情况下电池效率达到了5.3﹪.

关键词：气体总流量高速沉积微晶硅薄膜薄膜太阳电池化学气相沉积

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