检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子．激光 2009年第5期20卷 637-641页

作者：王光红张晓丹孙福河许盛之岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

为获得单室沉积高效微晶硅(μc-Si)太阳电池,首先采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征μc-Si薄膜。通过对材料的结构和电学输运特性的研究,借鉴分室沉积的器件质量级μc-Si材料的经验,选取合... 详细信息

为获得单室沉积高效微晶硅(μc-Si)太阳电池,首先采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征μc-Si薄膜。通过对材料的结构和电学输运特性的研究,借鉴分室沉积的器件质量级μc-Si材料的经验,选取合适的本征层和p种子层处理B污染的技术,在单室中制备出光电转换效率为6.23%(1cm2)的单结μc-Si电池。

关键词：单室甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 本征微晶硅(μc-Si) 太阳电池

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电子束沉积生长高迁移率IMO透明导电薄膜的研究

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光电子．激光 2009年第12期20卷 1599-1601页

作者：陈新亮韩东港孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长... 详细信息

研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长速率至0.04nm/s,高速率生长IMO薄膜,薄膜厚度约50nm。典型薄膜电阻率ρ约为2.5×10-4Ωcm,方块电阻Rs约为22.5Ω,载流子浓度n～5.8×1020cm-3,电子迁移率μ约为47.1cm2V-1s-1,可见光和近红外区域平均透过率约为80%。获得的IMO薄膜光电性能和直接利用低速率生长的薄膜特性相当或更好,并且极大地降低了薄膜生长时间。

关键词：电子束蒸发技术 In2O3:Mo(IMO)薄膜高迁移率太阳电池

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过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用

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光电子．激光 2009年第3期20卷 333-336页

作者：李贵君侯国付韩晓艳魏长春孙建戴志华赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/... 详细信息

研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 过渡区p层非晶硅 P-a-SiC:H

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退火及掺杂对空穴传输层PEDOT:PSS电学特性的影响

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光电子．激光 2009年第10期20卷 1327-1331页

作者：张亚萍张建军耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用匀胶机旋转涂成膜的方法,在手套箱中制备PEDOT聚对苯乙烯磺酸(PSS)薄膜。详细研究了退火和掺杂对薄膜电学特性的影响,结果发现,在本实验范围内,薄膜的电导率随退火的温度和时间增加均呈现出最大值,这与薄膜的表面形貌是密切相关的;... 详细信息

采用匀胶机旋转涂成膜的方法,在手套箱中制备PEDOT聚对苯乙烯磺酸(PSS)薄膜。详细研究了退火和掺杂对薄膜电学特性的影响,结果发现,在本实验范围内,薄膜的电导率随退火的温度和时间增加均呈现出最大值,这与薄膜的表面形貌是密切相关的;并且,由于材料的亲水性,导致真空下比N2和空气条件下退火薄膜的电导率要高;通过掺杂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和乙二醇,使薄膜的电导率提高了近3个量级。

关键词： PEDOT聚对苯乙烯磺酸(PSS) 退火掺杂电导率形貌

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氧分压对低温反应热蒸发制备ITO薄膜性能的影响

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光电子．激光 2009年第1期20卷 44-48页

作者：曹丽冉陈新亮薛俊明张德坤孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃... 详细信息

采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃)获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm,但是,当更多的氧进入薄膜后一方面填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O"i,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大,同时在近红外区域的透过率增大。

关键词： ITO薄膜反应热蒸发氧分压散射机制

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基于CPLD的LCOS场序彩色视频控制器设计

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液晶与显示 2009年第4期24卷 541-546页

作者：宋丹娜代永平刘艳艳商广辉南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学) 天津300071

针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓操作思想协调两片外部静态随机存取存储器(SRAM)对信号进行读写,对数据进行了串并转换,将并行输入的... 详细信息

针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓操作思想协调两片外部静态随机存取存储器(SRAM)对信号进行读写,对数据进行了串并转换,将并行输入的红、绿、蓝视频数据转换为红、绿、蓝子场数据,从而实现场序彩色显示。设计中采用了降低刷新频率的技术,降低了系统功耗。最后运用EDA工具进行了综合仿真。

关键词：场序彩色显示复杂可编程逻辑器件静态随机存取存储器乒乓操作

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LCOS微显示技术

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液晶与显示 2009年第4期24卷 471-477页

作者：代永平南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学) 天津300071

硅上液晶(LCOS)显示技术是一种反射式液晶显示技术,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上,并以该晶片为基底封装液晶盒,因而拥有了小尺寸和高显示分辨率的双重特性。文章介绍了LCOS显示器的原理、制造技术和应用领域,... 详细信息

硅上液晶(LCOS)显示技术是一种反射式液晶显示技术,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上,并以该晶片为基底封装液晶盒,因而拥有了小尺寸和高显示分辨率的双重特性。文章介绍了LCOS显示器的原理、制造技术和应用领域,对其发展前景进行了展望。

关键词： LCOS屏反射式微投影光机

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硅基液晶显示器液晶盒贴合工艺研究

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液晶与显示 2009年第3期24卷 350-355页

作者：代永平宋丹娜刘艳艳南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学) 天津300071

研究制备了LCOS显示器,重点研究了LCOS液晶屏的贴合工艺,基于实际测量数据给出了获得所需液晶盒厚度与施加在基板上的压力关系曲线,并展示出实际LCOS液晶盒厚截面的扫描电镜照片。

关键词：硅基液晶贴合工艺盒厚对位标志

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LCOS接口专用集成电路的设计

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液晶与显示 2009年第5期24卷 670-674页

作者：宋丹娜代永平刘艳艳南开大学光电子薄膜器件与技术研究所；天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室；光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学) 天津300071

根据LCOS显示以及各种输入视频信号的特点,总结了LCOS接口电路的功能特点。以场序彩色显示LCOS接口控制电路的设计实现为例,详细介绍了接口专用集成电路的设计方法。

关键词： LCOS接口电路场序彩色 ASIC

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用超声喷雾热分解法制备p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜

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光电子．激光 2009年第2期20卷 196-199页

作者：边楠张晓丹张霞赵颖杨瑞霞河北工业大学信息学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

利用超声喷雾热分解(USP)技术,采用N-Al共掺法,在eagle2000衬底上制备出了电学特性较好的p型Zn0.93Mg0.07O薄膜:电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.362 cm2/(V.s)、载流子浓度为1.24×1018cm-3。系统分析了前驱溶液中Al掺杂量或Mg掺杂... 详细信息

利用超声喷雾热分解(USP)技术,采用N-Al共掺法,在eagle2000衬底上制备出了电学特性较好的p型Zn0.93Mg0.07O薄膜:电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.362 cm2/(V.s)、载流子浓度为1.24×1018cm-3。系统分析了前驱溶液中Al掺杂量或Mg掺杂量变化时对p型Zn1-xMgxO薄膜电学特性和结构特性的影响。紫外可见光透射测试表明:Zn1-xMgxO薄膜在紫外-可见光范围内的透过率达到了80%。

关键词：超声喷雾热分解(USP) N-Al共掺 p型Zn1-xMgxO薄膜透过率

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