检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子．激光 2008年第9期19卷 1206-1209页

作者：段苓伟薛俊明杨瑞霞赵颖耿新华河北工业大学信息学院南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学

利用中频脉冲磁控溅射工艺制备了低阻高透过率的ZAO薄膜,用湿法腐蚀的方法将制备的平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间得到绒面ZAO薄膜。研究了氧流量对腐蚀后薄膜表面形貌的影响。结果表明,随着氧流量的增大腐蚀后薄膜的表面形... 详细信息

利用中频脉冲磁控溅射工艺制备了低阻高透过率的ZAO薄膜,用湿法腐蚀的方法将制备的平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间得到绒面ZAO薄膜。研究了氧流量对腐蚀后薄膜表面形貌的影响。结果表明,随着氧流量的增大腐蚀后薄膜的表面形貌由花瓣状逐渐为适合太阳电池的陨石坑状,在氧流量为3.6sc-cm时(氩流量为12sccm)得到最好的绒面ZAO薄膜,继续增加氧流量,薄膜开始变得粗糙,说明薄膜的表面形貌又变差。

关键词：中频溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜氧流量绒面结构湿法腐蚀

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二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用

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光电子．激光 2008年第2期19卷 208-212页

作者：张发荣张晓丹 Amanatides E Matras D 赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 希腊帕特雷大学等离子体技术实验室帕特雷26500

建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实... 详细信息

建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si:H薄膜的反应腔室建立的。模型是自适应的,建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上,包含87个气相反应和25个表面反应。将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较,结果发现,模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好。

关键词：甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCD) 微晶硅二维流体模型

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大面积VHF-PECVD用多点馈入平行板电极馈入点优化的数值研究

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真空科学与技术学报 2008年第4期28卷 281-285页

作者：葛洪张晓丹岳强张发荣赵影赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 天津新华职工大学天津300040

本文采用二维准平面电路模型,对大面积甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)用多点馈入平行板电极馈入点的优化进行了数值研究,讨论了不同的多点馈入模式对平行板电极间真空电势分布均匀性的影响。研究结果表明:对于给定激发频率... 详细信息

本文采用二维准平面电路模型,对大面积甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)用多点馈入平行板电极馈入点的优化进行了数值研究,讨论了不同的多点馈入模式对平行板电极间真空电势分布均匀性的影响。研究结果表明:对于给定激发频率和尺度的大面积平行板电极,功率馈入连接点位置分布和数量成为影响电极间电势分布均匀性的两个重要可控参量,通过优化功率馈入连接点数量和连接点位置分布,可以抑制电势驻波效应及功率馈入点对数奇点效应,很大程度上有效地改善了电极间电势分布的均匀性。本文数值计算结果在一定程度上为VHF-PECVD技术用平行板电极实现大面积薄膜均匀沉积的系统设计提供了理论指导。

关键词：多点功率馈入甚高频等离子体增强化学气相沉积电势驻波效应电报效应

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基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究

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光电子．激光 2008年第4期19卷 482-485页

作者：焦宝臣张晓丹赵颖魏长春孙建赵静杨瑞霞南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北工业大学信息学院天津300130 天津新华职工大学天津300040

利用超声雾化热分解法(USP),通过N-Al共掺的方法,制备出p型ZnO薄膜。利用霍尔测试、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜分析了不同生长时间ZnO薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化。结果表明:其它条件固定时,只有在合适的生长时间条... 详细信息

利用超声雾化热分解法(USP),通过N-Al共掺的方法,制备出p型ZnO薄膜。利用霍尔测试、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜分析了不同生长时间ZnO薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化。结果表明:其它条件固定时,只有在合适的生长时间条件下,才能得到电学性能较好的N-Al共掺p型ZnO薄膜(电阻率为46.8Ω.cm、迁移率为0.05cm2.V-1.s-1、载流子浓度是2.86×1018cm-3。

关键词：超声雾化热分解法 N-Al共掺ZnO p型ZnO

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LCoS显示芯片像素单元热分析

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光电子技术 2008年第4期28卷 237-240页

作者：代永平费旭峰杨树茂宋丹娜南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

热分析技术是LCoS芯片可靠性设计的关键所在,通过使用有限元分析软件AN SYS建立了LCoS芯片像素单元的有限元模型,严格模拟了LCoS显示芯片工作时像素单元内部的热场分布情况,实验结果为LCoS芯片及其应用系统的热设计提供了重要的数值依据。

关键词：硅基液晶显示有限元热分析

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P型微晶硅薄膜材料的制备与优化

P型微晶硅薄膜材料的制备与优化

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：许盛之张晓丹孙福河王光红岳强魏长春孙建张德坤胡增鑫赵庚申耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

利用VHF-PECVD（75MHz）技术,采用高氢稀释SiH、及BH掺杂的方法,在玻璃衬底上获得了厚度为50nm,电导率达到9.1S/cm,暗电导激活能小于0.035eV,拉曼晶化率超过40%的p层材料。单室工艺制备微晶硅单结电池中,用同样工艺条件沉积20nm厚的P层... 详细信息

利用VHF-PECVD（75MHz）技术,采用高氢稀释SiH、及BH掺杂的方法,在玻璃衬底上获得了厚度为50nm,电导率达到9.1S/cm,暗电导激活能小于0.035eV,拉曼晶化率超过40%的p层材料。单室工艺制备微晶硅单结电池中,用同样工艺条件沉积20nm厚的P层,获得了效率达到4.97%的电池。系列实验结果表明,随硼烷浓度的增加,材料的生长速度增加。薄膜的透过率在一定程度上受到有效硼掺杂的影响,低的有效掺杂,降低薄膜的透过率。

关键词：硼掺杂微晶硅薄膜

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溶液法铝诱导非晶硅晶化机理初探

溶液法铝诱导非晶硅晶化机理初探

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：王烁罗翀孟志国赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

本文采用铝的化学盐溶液作为金属诱导源,实现了对LPCVD制备非晶硅薄膜的晶化。将实验条件对晶化效果的影响与XPS的测试结果结合,对溶液法化学源铝诱导晶化的机理进行了初步的探讨,得到的结论是在退火过程中,薄膜表面反应物中的Al原子首... 详细信息

本文采用铝的化学盐溶液作为金属诱导源,实现了对LPCVD制备非晶硅薄膜的晶化。将实验条件对晶化效果的影响与XPS的测试结果结合,对溶液法化学源铝诱导晶化的机理进行了初步的探讨,得到的结论是在退火过程中,薄膜表面反应物中的Al原子首先被薄膜表面Si原子替换出来,并进入非晶硅薄膜内部与Si形成Al/Si固溶体,进而发生诱导晶化。晶化后的薄膜经过优化,可以用于多晶硅薄膜电池的制备,具有良好的应用前景。

关键词：铝诱导晶化化学源溶液法多晶硅薄膜

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直流磁控溅射法制备新型窄带隙光伏材料β-FeSi2研究

直流磁控溅射法制备新型窄带隙光伏材料β-FeSi2研究

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：郁操侯国付薛俊明孙健赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

本实验采用室温对靶直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火,在单晶Si（100）上生长β-FeSi薄膜。主要研究了退火时间、升温速率和退火温度等因素对材料结构和电学特性的影响,结果表明:退火温度和时间的控制是获得单一相β-F... 详细信息

本实验采用室温对靶直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火,在单晶Si（100）上生长β-FeSi薄膜。主要研究了退火时间、升温速率和退火温度等因素对材料结构和电学特性的影响,结果表明:退火温度和时间的控制是获得单一相β-FeSi薄膜的关键因素,升温速率在一定程度上可以调控薄膜电学特性。本实验得到的P型β-FeSi薄膜的载流子浓度5.75×10cm,空穴迁移率168cm/Vs,禁带宽度0.879eV,吸收系数在光子能量1.0eV时达到了1.42×10～5cm。基于以上优异的光电性能,该β-FeSi薄膜可望用作太阳电池的吸收层。

关键词： β-FeSi2薄膜直流磁控溅射 Fe-Si组合靶太阳电池

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退火对聚合物太阳电池空穴传输层和光敏层性能的影响

退火对聚合物太阳电池空穴传输层和光敏层性能的影响

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：张亚萍张建军耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

本文以glass/ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/LiF/Al作为基本电池结构,对其中的PEDOT:PSS空穴传输层和P3HT:PCBM光敏层分别进行了研究。对于PEDOT:PSS层,研究并分析了空气、氮气以及真空不同氛围下退火对薄膜电导、透过率以及表面形貌的影响... 详细信息

本文以glass/ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/LiF/Al作为基本电池结构,对其中的PEDOT:PSS空穴传输层和P3HT:PCBM光敏层分别进行了研究。对于PEDOT:PSS层,研究并分析了空气、氮气以及真空不同氛围下退火对薄膜电导、透过率以及表面形貌的影响。对于P3HT:PCBM光敏层结合XRD测试研究其结构特性,吸收谱测试研究其光学特性。结果发现退火后薄膜出现不同程度的晶化,而且随着晶化程度的提高薄膜的吸收不断增强,表明经加热退火后主要是P3HT发生了部分晶化,引起薄膜性能的改善。利用上述两层研究中得到的较好实验条件制备了太阳电池,电池结构为:glass/ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al,初步获得效率1.04% (Voc=0.325V,Jsc=7.2mA/cm,FF=44.7%)。

关键词：聚合物太阳电池 PEDOT:PSS P3HT:PCBM 退火

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高速沉积高效微晶硅太阳电池的研究

高速沉积高效微晶硅太阳电池的研究

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：耿新华侯国付张晓丹韩晓艳郭群超高艳涛薛俊明魏长春孙建陈新亮张德坤赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

微晶硅太阳电池是硅基薄膜太阳电池的新一代技术。如何提高微晶硅太阳电池的沉积速率是降低其制造成本的关键技术。本文研究了提高微晶硅薄膜沉积速率的方法,并研究了在高速沉积条件下影响微晶硅薄膜质量、进而影响电池性能的关键因素,... 详细信息

微晶硅太阳电池是硅基薄膜太阳电池的新一代技术。如何提高微晶硅太阳电池的沉积速率是降低其制造成本的关键技术。本文研究了提高微晶硅薄膜沉积速率的方法,并研究了在高速沉积条件下影响微晶硅薄膜质量、进而影响电池性能的关键因素,提出了高速沉积优质微晶硅薄膜和高效微晶硅电池的有效途径。在微晶硅薄膜的沉积速率12(?)/s时,单结微晶硅电池效率达到9.36%,非晶硅/微晶硅叠层电池效率11.3%。

关键词：微晶硅电池高速沉积非晶硅/微晶硅叠层电池

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