检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 141-145页

作者：张浩磊朱健黄镇南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

针对基于MEMS传感器的航姿参考系统精度不高、数据易漂移导致测量无人载体航姿数据不准确的问题,设计了基于四元数与自适应互补滤波相结合的改进自适应互补滤波算法。通过对MEMS加速度计与磁强计输出数据、MEMS陀螺仪的积分数据进行补... 详细信息

针对基于MEMS传感器的航姿参考系统精度不高、数据易漂移导致测量无人载体航姿数据不准确的问题,设计了基于四元数与自适应互补滤波相结合的改进自适应互补滤波算法。通过对MEMS加速度计与磁强计输出数据、MEMS陀螺仪的积分数据进行补偿、数据融合,减小积分漂移。仿真实验数据表明,该改进互补滤波算法可抑制外部噪声对输出数据准确性的影响,提高了姿态角输出数据准确性。

关键词：微机电系统航姿参考系统四元数自适应互补滤波

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Ka波段GaN单片低噪声放大器研制

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固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 81-84,94页

作者：吴少兵李建平李忠辉高建峰黄念宁南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其f... 详细信息

报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为95GHz及230GHz。采用该工艺制备的自偏压三级放大电路工作电压7V,在33~47GHz小信号增益大于20dB,噪声系数均值在2dB左右,单频点噪声系数可达1.6dB,噪声水平达到GaN器件在该频段的高水平。此外,该单片电路的功耗在560mW左右,带内连续波测试输出P-1>15dBm。

关键词： GaN高电子迁移率晶体管 Ka波段电子束直写低噪声放大器

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SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响

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固体电子学研究与进展 2018年第5期38卷 329-332,342页

作者：贾东铭张磊彭龙新林罡邹雷南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大... 详细信息

对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大器芯片在氢气氛围中的可靠工作寿命,这对于该类器件在组件中的实际应用具有重要意义。

关键词：氢效应砷化镓赝配型高电子迁移率晶体管氮化硅钝化层加速寿命试验

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Ku波段GaN MMIC高线性功率放大器设计

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固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 85-89页

作者：赵映红钱峰郑惟彬南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

设计了一款Ku波段工作频率为13.0~15.5GHz的GaN MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm GaN HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到... 详细信息

设计了一款Ku波段工作频率为13.0~15.5GHz的GaN MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm GaN HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到最佳功率附加效率(PAE)的末级匹配网络,一种则是匹配到最佳线性度的末级匹配网络(用最佳三阶交调产物与载波比值(IM3)来表示),级间和输入级匹配网络也尽量达到低损耗、高线性指标,从而提高整体电路的线性度,并尽量使得效率不恶化。测试结果表明,功率放大器的最大输出功率可以达到37.5dBm,匹配到最佳PAE的功率放大器功率附加效率均大于32%,最大可以达到36%,匹配到最佳IM3的功率放大器PAE低了2到4个百分点,线性度指标IM3则高了1到2个dBc。该测试结果表明,对于高线性功率放大器,末级匹配网络可以在最佳PAE点的基础上适当地向最佳IM3点靠近,以逼近更好的线性度指标,但若距离最佳IM3太近,PAE则会有较大的恶化。

关键词： GaN 微波单片集成电路高线性功率放大器

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GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究

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电子元件与材料 2018年第12期37卷 9-16页

作者：代鲲鹏张凯林罡南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

本文使用Sentaurus仿真工具对恒定掺杂和渐变掺杂两种典型掺杂的GaN太赫兹肖特基变容二极管进行了仿真研究。着重研究了两种掺杂方式下轻掺杂外延层掺杂浓度对变容二极管的C-V特性和倍频效率的影响。通过数字滤波求解输入频率300GHz幅... 详细信息

本文使用Sentaurus仿真工具对恒定掺杂和渐变掺杂两种典型掺杂的GaN太赫兹肖特基变容二极管进行了仿真研究。着重研究了两种掺杂方式下轻掺杂外延层掺杂浓度对变容二极管的C-V特性和倍频效率的影响。通过数字滤波求解输入频率300GHz幅值8V的正弦电压在偏置电压为-8V时产生的各频率分量,计算出具有不同掺杂浓度的GaN二极管的倍频效率。结果显示,在仿真掺杂浓度范围内并且不考虑外围电路影响的前提下,恒定掺杂的GaN变容二极管的二倍频效率最大值为32.5%,三倍频效率最大值为16.1%;而采用渐变掺杂方式能够显著提高二极管的倍频效率,在仿真的掺杂浓度范围内,二倍频与三倍频效率均最大能提高50%左右。通过理论推导和仿真结果的计算揭示了决定掺杂浓度与倍频效率之间的关系变化趋势的内在因素。本文的研究对GaN肖特基变容二极管的倍频效率进行了理论预测,并提出了渐变掺杂提高倍频效率的解决方案,这对后续的器件设计与制备具有指导意义。

关键词： GaN 肖特基变容二极管太赫兹恒定掺杂渐变掺杂倍频效率

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高电导率p型AlGaN材料

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固体电子学研究与进展 2019年第5期39卷 F0003-F0003页

作者：罗伟科李忠辉孔岑杨乾坤杨峰南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进... 详细信息

南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进行,既能保证晶体质量,又能提升受主杂质Mg的激活效率。

关键词：晶体质量受主杂质外延生长 MOCVD系统 AlGaN Mg掺杂高电导率效率提升

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高速InP基电光调制器和光电探测器

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固体电子学研究与进展 2019年第4期39卷 F0003-F0003页

作者：钱广李冠宇牛斌周奉杰顾晓文孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

南京电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,所研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)所示,带宽达40GHz[如图1(b)所示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)所示,带宽达40GHz以上... 详细信息

南京电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,所研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)所示,带宽达40GHz[如图1(b)所示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)所示,带宽达40GHz以上[如图2(b)所示],响应度为0.3A/W,暗电流为45nA。

关键词：光电探测器电光调制器 InP基南京电子器件研究所半波电压消光比响应度暗电流

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f_T=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管

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固体电子学研究与进展 2019年第6期39卷 F0003-F0003页

作者：牛斌范道雨代鲲鹏林罡王维波陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对... 详细信息

南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对比,本文报道的阳极直径1μm的InGaAs SBD势垒高度仅为0.15 V。由零偏结电容及总电容推算的器件截止频率达11.0 THz/7.7 THz。

关键词：检波二极管截止频率肖特基接触结电容太赫兹空气桥势垒高度 InGaAs

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超厚层4H-SiC同质外延材料

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固体电子学研究与进展 2019年第2期39卷 F0003-F0003页

作者：李赟李忠辉赵志飞王翼周平南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在所有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三... 详细信息

缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在所有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三角形缺陷密度至关重要。南京电子器件研究所追踪衬底/外延层界面处的缺陷转化信息,分析了三角形缺陷的主要成因,并通过优化衬底刻蚀时间及温度,有效消除由于衬底表面加工损伤引入的三角形成核几率。

关键词： 4H-SiC 外延材料厚层南京电子器件研究所缺陷控制三角形同质外延芯片性能

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GaN功率器件芯片级热管理技术研究进展

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固体电子学研究与进展 2018年第5期38卷 316-323页

作者：郭怀新孔月婵韩平陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 固体微结构物理国家实验室南京大学南京210093

详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理... 详细信息

详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理的技术现状和发展方向。

关键词： GaN器件芯片级热管理金刚石微流体

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