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作者

  • 60 篇 陈堂胜
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  • 31 篇 周建军
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  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 张有涛
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  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 郁元卫
  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是91-100 订阅
排序:
基于AHRS的改进自适应互补滤波算法研究
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固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 141-145页
作者: 张浩磊 朱健 黄镇 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
针对基于MEMS传感器的航姿参考系统精度不高、数据易漂移导致测量无人载体航姿数据不准确的问题,设计了基于四元数与自适应互补滤波相结合的改进自适应互补滤波算法。通过对MEMS加速度计与磁强计输出数据、MEMS陀螺仪的积分数据进行补... 详细信息
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Ka波段GaN单片低噪声放大器研制
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固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 81-84,94页
作者: 吴少兵 李建平 李忠辉 高建峰 黄念宁 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其f... 详细信息
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SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响
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固体电子研究与进展 2018年 第5期38卷 329-332,342页
作者: 贾东铭 张磊 彭龙新 林罡 邹雷 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大... 详细信息
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Ku波段GaN MMIC高线性功率放大器设计
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固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 85-89页
作者: 赵映红 钱峰 郑惟彬 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一款Ku波段工作频率为13.0~15.5GHz的GaN MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm GaN HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到... 详细信息
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GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究
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电子元件与材料 2018年 第12期37卷 9-16页
作者: 代鲲鹏 张凯 林罡 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
本文使用Sentaurus仿真工具对恒定掺杂和渐变掺杂两种典型掺杂的GaN太赫兹肖特基变容二极管进行了仿真研究。着重研究了两种掺杂方式下轻掺杂外延层掺杂浓度对变容二极管的C-V特性和倍频效率的影响。通过数字滤波解输入频率300GHz幅... 详细信息
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高电导率p型AlGaN材料
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固体电子研究与进展 2019年 第5期39卷 F0003-F0003页
作者: 罗伟科 李忠辉 孔岑 杨乾坤 杨峰 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进... 详细信息
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高速InP基电光调制器和光电探测器
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固体电子研究与进展 2019年 第4期39卷 F0003-F0003页
作者: 钱广 李冠宇 牛斌 周奉杰 顾晓文 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)示,带宽达40GHz[如图1(b)示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)示,带宽达40GHz以上... 详细信息
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f_T=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管
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固体电子研究与进展 2019年 第6期39卷 F0003-F0003页
作者: 牛斌 范道雨 代鲲鹏 林罡 王维波 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对... 详细信息
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超厚层4H-SiC同质外延材料
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固体电子研究与进展 2019年 第2期39卷 F0003-F0003页
作者: 李赟 李忠辉 赵志飞 王翼 周平 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三... 详细信息
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GaN功率器件芯片级热管理技术研究进展
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固体电子研究与进展 2018年 第5期38卷 316-323页
作者: 郭怀新 孔月婵 韩平 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016 固体微结构物理国家实验室南京大学 南京210093
详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理... 详细信息
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