检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2017年第4期37卷 229-233页

作者：李忠辉李传皓彭大青张东国罗伟科李亮潘磊杨乾坤董逊南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超... 详细信息

采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1 620cm^2/(V·s),方块电阻217.2Ω/。

关键词：金属有机物化学气相沉积 InAlGaN 异质结迁移率

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表贴式MMIC高密度封装外壳微波特性设计

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固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 152-156,196页

作者：徐利曹坤李思其王子良南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵... 详细信息

基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵列接地过孔以消除高密度引脚间的耦合。对制作的外壳进行了微波性能测试,在C波段内的插入损耗小于0.5dB,驻波比小于1.3,隔离度大于30dB。该小型化表贴陶瓷外壳适用于C波段的微波单片集成电路(MMIC)的高品质气密封装,且便于批量化生产。

关键词：高温共烧陶瓷方形扁平无引线封装微波外壳高密度封装微波单片集成电路

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GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成的研究

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固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 377-381页

作者：吴立枢赵岩沈宏昌张有涛陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS... 详细信息

基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片电路的工艺加工。研制的GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片数字控制开关电路与传统的GaAs pHEMT单片电路相比,芯片面积减小15%。

关键词：转移键合 GaAs赝配高电子迁移率晶体管 Si互补金属氧化物半导体异质互联

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SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管直流性能的影响

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固体电子学研究与进展 2015年第6期35卷 597-601页

作者：谢俊领程伟王元常龙牛斌陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅... 详细信息

研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅烷(SiH_4)取代常用的氨气(NH_3)和硅烷(SiH_4)作为淀积SiN薄膜的反应气体,显著地减少了器件发射结(B-E)和集电结(B-C)泄漏电流。另外,与未钝化器件的直流性能相比,钝化后器件的电流增益增加,基区表面复合电流大幅减小,这对提高器件的可靠性至关重要。

关键词：氮化硅钝化磷化铟双异质结双极性晶体管

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InGaAs的荧光性质与生长温度的关系研究

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固体电子学研究与进展 2021年第4期41卷 309-312页

作者：高汉超王伟于海龙马奔尹志军李忠辉微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

研究了InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性。InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增加而降低。由于存在载流子局域势,荧光峰位偏移与温度依赖关系呈现典型的S形。使用两个激活能Ea和Eb来拟... 详细信息

研究了InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性。InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增加而降低。由于存在载流子局域势,荧光峰位偏移与温度依赖关系呈现典型的S形。使用两个激活能Ea和Eb来拟合荧光的积分强度,Ea可能与局域能Eloc有关,Eb与缺陷引导的非辐射复合过程有关。当生长温度低于490℃时,Eb随生长温度而增加,并在490~520℃之间保持稳定。本实验对生长高质量的InGaAs材料有指导意义。

关键词：化合物半导体分子束外延荧光

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基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片

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固体电子学研究与进展 2022年第6期42卷 429-434,472页

作者：孔令峥彭龙新陶洪琪张亦斌闫俊达王维波韩方彬南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开... 详细信息

研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开关使用0.15μm高压高功率工艺。低噪声放大器采用电流复用结构以降低功耗,功率放大器采用三级电抗式匹配网络以提高芯片输出功率。测试结果表明,在14~18 GHz频带内,发射通道线性增益≥30 dB,饱和输出功率≥40.5 dBm,功率附加效率典型值为23%;接收通道线性增益为24 dB(±0.2 dB),噪声系数典型值为2.3 dB,功耗仅为140 mW(5 V/28 mA)。芯片面积为4.0 mm×3.0 mm。

关键词：多功能芯片氮化镓双栅长单片微波集成电路收发 Ku波段

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91～98GHz集成单刀单掷开关设计

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固体电子学研究与进展 2015年第6期35卷 513-517,544页

作者：姚常飞罗运生周明赵博南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开... 详细信息

为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开关插损典型值1.0dB,不一致性小于0.45dB;91~98GHz测得开关隔离典型值25dB,不一致性小于5dB,92.5~94.5GHz隔离典型值32dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18、20、10和18ns;开关尺寸2.8mm×2.6mm。其作为接收保护开关和发射调制开关可集成应用于W波段收发组件中。

关键词： W波段单刀单掷开关 PIN二极管插损隔离度

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基于0.25μm InP DHBT工艺的340 GHz放大器

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固体电子学研究与进展 2022年第2期42卷 104-108,162页

作者：李茂孙岩陆海燕周浩程伟戴姜平王学鹏陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

基于南京电子器件研究所0.25μm InP DHBT工艺设计并实现了一款340 GHz放大器,采用多层金属堆栈互联的薄膜微带传输线结构,实现了太赫兹低损耗传输线和MIM电容。放大器为六级共发射极拓扑,采用整体匹配方法,通过降低损耗的方式提高增益... 详细信息

基于南京电子器件研究所0.25μm InP DHBT工艺设计并实现了一款340 GHz放大器,采用多层金属堆栈互联的薄膜微带传输线结构,实现了太赫兹低损耗传输线和MIM电容。放大器为六级共发射极拓扑,采用整体匹配方法,通过降低损耗的方式提高增益。通过在片小信号测试系统和功率测试系统测试芯片,测量结果表明该放大器在340 GHz的小信号增益达到10.43 dB,300~340 GHz频率范围内的小信号增益大于10 dB,在340 GHz的输出功率为3.24 dBm。

关键词：太赫兹放大器 InP DHBT 金属堆栈互联

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1400 V/240 mΩ增强型硅基p-GaN栅结构AlGaN/GaN HEMT器件

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固体电子学研究与进展 2023年第1期43卷 11-15,45页

作者：潘传奇王登贵周建军胡壮壮郁鑫鑫李忠辉陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

基于硅基p-GaN/AlGaN/GaN异质结材料结构,研制了一款横向结构的高压增强型GaN高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件。通过采用自对准栅刻蚀与损伤修复技术以及低温无金欧姆合金工艺实现了较低的导通电阻,并借助于叠层介质钝化和多场板峰值... 详细信息

基于硅基p-GaN/AlGaN/GaN异质结材料结构,研制了一款横向结构的高压增强型GaN高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件。通过采用自对准栅刻蚀与损伤修复技术以及低温无金欧姆合金工艺实现了较低的导通电阻,并借助于叠层介质钝化和多场板峰值抑制技术提升了器件的击穿特性。测试结果表明,所研制GaN器件的阈值电压为1.95 V(V_(GS)=V_(DS),IDS=0.01 mA/mm),导通电阻为240 mΩ(V_(GS)=6 V,V_(DS)=0.5 V),击穿电压高于1400 V(V_(GS)=0 V,IDS=1μA/mm),彰显了硅基p-GaN栅结构AlGaN/GaN HEMT器件在1200 V等级高压应用领域的潜力。

关键词： GaN HEMT 增强型 p-GaN栅击穿电压导通电阻

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Si基GaN材料寄生导电层的研究

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固体电子学研究与进展 2013年第4期33卷 312-316页

作者：倪金玉李忠辉孔岑周建军陈堂胜郁鑫鑫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得... 详细信息

通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。

关键词：硅基氮化镓寄生导电层氮化镓高电子迁移率晶体管

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