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第13届全国MOCVD学术会议

作者：罗伟科李亮李忠辉董逊彭大青张东国周建军许晓军南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对于这些器...

近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对于这些器件性能的进一步提高,同质外延技术的研究显得尤为重要[3]。本文研究了在MOCVD系统中高温原位刻蚀技术对GaN同质外延生长的影响。在高温条件下,H2+NH3混合气体对GaN有较强的刻蚀效果,随着NH3在混合气体中的比例的增加,刻蚀速率降低,GaN表面分解形成的金属Ga滴逐渐减少至完全消失,最终在GaN表面有大量规则的六角微结构形成,如图(a)所示。

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GaN HFET中的陷阱和电子在强场下的输运行为

GaN HFET中的陷阱和电子在强场下的输运行为

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：薛舫时南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016

宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用...

宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用禁带中的束缚能级和俘获截面来表征.虽然许多作者使用各种测试方法进行了深入的研究,但是用不同方法测得不同器件中的陷阱能级相差1～2eV,俘获截面相差3个量级.而且测试结果依赖于器件所加的电场环境.始终没有找到合理的微观陷阱模型.

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含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究

含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：倪金玉郁鑫鑫潘磊董逊孔岑周建军李忠辉孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

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微米级线宽双台面套准精度的研究

微米级线宽双台面套准精度的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：王雯陈刚陈谷然李理南京电子器件研究所南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 210016

在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。... 详细信息

在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。由于台面线宽在微米量级，因此套准精度控制不好就会造成SiC器件的短路问题。本论文通过对厚层介质掩膜下小台面与其上大台面光刻套准精度的研究，得到了优化后的光刻条件，使大台面与小台面之间的图形转移偏移量由lOOnm降至20nm以内，刻蚀后形成的SiC大台面与小台面套准良好，用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。

关键词：碳化硅半导体器件制造线宽双台面光刻工艺套准精度厚层介质

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fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 F0003-F0003页

作者：程伟赵岩王元陆海燕高汉超陈辰杨乃彬南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南... 详细信息

数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76．2mm圆片工艺，研制出fmax达325GHz的四指共基极InPDHBT器件，击穿电压大于10V。

关键词： InGaAs 共基极毫米波单片集成电路南京电子器件研究所数模混合电路 1/f噪声 HBT器件通信系统

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76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

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固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 F0003-F0003页

作者：倪金玉孔岑周建军李忠辉陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所采用含有双AIGaN过渡层的材料结构在76．2mm（3英寸）Si绀底上外延生长了厚度超过2μm的AIGaN／GaNHEMT材料（图1），材料表而光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条件优化，

关键词： Si基南京电子器件研究所材料结构外延生长条件优化过渡层材料表

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导热金刚石同大尺寸芯片的低温烧结银连接工艺

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固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 65-68页

作者：赵柯臣赵继文代兵张旭郭怀新孙华锐朱嘉琦哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国防科技重点实验室哈尔滨150080 哈尔滨工业大学工业和信息化部微纳光电信息系统重点实验室深圳518055 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算... 详细信息

通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算得到孔隙率约为9.88%,中间烧结银层等效热阻约为1.38×10^(-5)m^(2)·K/W。

关键词：低温烧结银芯片散热金刚石大尺寸连接

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0．15μm栅长Ka波段GaN功率HEMT器件

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固体电子学研究与进展 2012年第1期32卷 F0003-F0003页

作者：周建军董逊孔岑孔月婵李忠辉陈堂胜陈辰南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质，是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN／GaNHEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性，使其在获得和GaAsPH... 详细信息

宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质，是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN／GaNHEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性，使其在获得和GaAsPHEMT同样频率特性的基础下可以获得更高的输出功率密度，

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件功率密度 Ka波段电子迁移率频率特性毫米波器件二维电子气

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一种二阶互补滤波与卡尔曼滤波的姿态解算方法设计

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电子工艺技术 2018年第3期39卷 168-170,178页

作者：黄镇张浩磊刘梅朱健南京电子器件研究所江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

AHRS系统中通常采用针对MEMS加速度计与磁强计融合姿态角和陀螺仪输出数据进行Kalman滤波的方法,但是这种方法中MEMS加速度计与磁强计基于MARG方法融合要求载体处于静态状态,否则会出现线加速度带来误差。提出一种互补滤波与卡尔曼滤波... 详细信息

AHRS系统中通常采用针对MEMS加速度计与磁强计融合姿态角和陀螺仪输出数据进行Kalman滤波的方法,但是这种方法中MEMS加速度计与磁强计基于MARG方法融合要求载体处于静态状态,否则会出现线加速度带来误差。提出一种互补滤波与卡尔曼滤波结合的方法对航姿参考系统进行姿态解算,用自制AHRS硬件平台进行静态与动态测试。实验表明:这种方法在静态条件下可有效抑制漂移噪声,在动态条件下可提高姿态角解算精度。

关键词：卡尔曼滤波二阶互补滤波姿态估计航姿参考系统

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MOCVD方法制备p型AlGaN材料

MOCVD方法制备p型AlGaN材料

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：李亮罗伟科李忠辉董逊彭大青张东国李传皓南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

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