检索结果-内蒙古大学图书馆

采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明,成核层生长时间为300 s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。

关键词：氮化镓氮极性成核层金属有机物化学气相沉积

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基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器

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固体电子学研究与进展 2014年第6期34卷 F0003-F0003页

作者：程伟张有涛王元陆海燕赵岩杨乃彬微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态... 详细信息

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～60GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～92GHz范围内实现二分频。

关键词：动态分频器 HBT工艺静态分频器超高速 InP 南京电子器件研究所异质结双极型晶体管电路应用

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基于间接跃迁模型的p^+-GaAsSb费米能级研究

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发光学报 2013年第8期34卷 1057-1060页

作者：高汉超尹志军程伟王元许晓军李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级... 详细信息

重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。

关键词： GaAsSb HBT 费米能级

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基于巴特沃斯低通滤波器的毫米波宽带低插损限幅器研究

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电子学报 2013年第9期41卷 1809-1814页

作者：姚常飞周明罗运生吴刚许从海南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型，研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型，分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感，提取相应的S参数，以设计限幅器的阻抗匹配网络，研制出了Ka波... 详细信息

基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型，研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型，分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感，提取相应的S参数，以设计限幅器的阻抗匹配网络，研制出了Ka波段全频段低插损限幅器．在26～40GHz，测得限幅器小信号插损小于4．3dB，最小插损2．2dB，驻波比小于1．95：1；当输入的连续波功率为0．5W时，限幅输出功率小于10．5dBm；整个限幅器尺寸为20×12×6mm3，限幅器性能达到国外同类产品水平．

关键词：毫米波等效电路模型巴特沃斯低通滤波器限幅器

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基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制

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电子学报 2013年第3期41卷 438-443页

作者：姚常飞周明罗运生许从海寇亚男陈以钢南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率... 详细信息

本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率的倍频源和高灵敏度的检测器(检波器和谐波混频器).0.15THz检波器测得最高检波电压灵敏度1600mV/mW,在0.11～0.17THz灵敏度典型值为600mV/mW,切线灵敏度优于-29dBm.0.15THz二倍频器测得最高倍频效率7.5%,在0.1474～0.152THz效率典型值为6.0%.0.18THz二倍频器测得最高倍频效率14.8%,在0.15～0.2THz效率典型值为8.0%.0.15THz谐波混频器测得最低变频损耗10.7dB,在0.135～0.165THz变频损耗典型值为12.5dB.0.18THz谐波混频器测得最低变频损耗5.8dB,在0.165～0.2THz变频损耗典型值为13.5dB,在0.21～0.24THz变频损耗典型值为11.5dB.

关键词：太赫兹倍频器检波器谐波混频器

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GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性研究

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固体电子学研究与进展 2013年第6期33卷 509-513,521页

作者：刘涛刘昊周建军孔岑陆海燕董逊张有涛孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D... 详细信息

基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论,研究了GaN E/D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN E/D器件存在的问题进行了分析讨论。

关键词：铝镓氮氮化镓氮化镓增强型耗尽型高电子迁移率晶体管直接耦合场效应管逻辑逻辑门结构阈值电压漂移

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GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌(续)

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固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 305-311页

作者：薛舫时南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气密度,造成漏电流下降。这些耗尽模型较好地解释了实验中观察到的栅延迟、漏延迟等各类瞬态电流现象,但是... 详细信息

3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气密度,造成漏电流下降。这些耗尽模型较好地解释了实验中观察到的栅延迟、漏延迟等各类瞬态电流现象,但是在解释射频电流崩塌时,既然射频输出功率低于直流伏安特性算出的预期功率,就必须证明外沟道的射频电阻大于直流电阻，因为外沟道势垒表面没有电极，所以内沟道夹断时外沟道电子只能靠陷阱俘获电子来耗尽。沟道电子从强电场中获取能量成为高能热电子，再跃迁到表面陷阱，是一个很复杂的过程，实验测量表明需要秒量级的弛豫时间，跟不上射频周期变化，这样外沟道中的射频电阻就不可能低于直流电阻，也就不会产生很强的射频电流崩塌。

关键词：电流崩塌电子态沟道射频 HFET GaN 表面陷阱直流电阻

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退火时间对SiC热解法制备石墨烯薄膜的影响

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固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 276-279页

作者：李赟尹志军赵志飞朱志明陆东赛李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除... 详细信息

利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30min之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。

关键词：石墨烯碳化硅衬底硅面拉曼图谱

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