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  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是81-90 订阅
排序:
InP DHBT Ka波段四通道发射芯片
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固体电子研究与进展 2020年 第5期40卷 F0003-F0003页
作者: 潘晓枫 刘尧 张宇辰 徐波 程伟 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分... 详细信息
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基于InP HBT工艺的50 Gb/s 1:4量化降速电路
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电子技术应用 2020年 第6期46卷 45-50页
作者: 周浩 张有涛 南京电子器件研究所 江苏南京210016 南京国博电子有限公司 江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
基于电子器件研究所的0.7μm InP HBT工艺设计了一种数据转换速率达到50 Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中,能够直接一次性实现对2~18 GHz带宽的模拟输入信号的可靠接收和... 详细信息
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GaN HFET沟道中的强场峰和场效应管能带
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固体电子研究与进展 2018年 第3期38卷 157-167,177页
作者: 薛舫时 孔月婵 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
引入新的解析函数来描绘GaN HFET沟道中的电势、电场强度和电场梯度。自洽解二维泊松方程和薛定谔方程计算了沟道强场峰中的场效应管能带。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带,计算出强场峰中的局域电子气势垒。详细计算了强场峰... 详细信息
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GaN HFET中的能带峰耗尽
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固体电子研究与进展 2018年 第6期38卷 389-397,402页
作者: 薛舫时 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
考虑强场峰和耗尽电势随栅压的变化后,使用新编的场效应管能带计算软件计算了GaN HFET在不同栅、漏电压下的场效应管能带和漂移及局域电子气密度,发现了强场峰中耗尽区内外漂移电子气的耗尽台阶和能带峰台阶以及耗尽区外的局域电子气峰... 详细信息
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K波段2.5 W GaN功率MMIC设计
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固体电子研究与进展 2018年 第1期38卷 6-11页
作者: 郭润楠 张斌 陶洪琪 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款采用0.15μm GaN功率MMIC工艺研制的功率放大器芯片。芯片工作在5G毫米波候选频段24.75~27.50GHz,采用三级放大结构。结合小信号参数和带有预匹配的Load-pull进行设计,末级匹配电路使用宽带匹配拓扑,在满足输出功率的条件下,... 详细信息
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基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器
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固体电子研究与进展 2019年 第2期39卷 97-101页
作者: 李晓鹏 王志功 张有涛 张敏 程伟 张翼 陈新宇 东南大学 南京210096 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京邮电大学微电子学院 南京210046
介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率... 详细信息
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T形阳极太赫兹GaAs肖特基二极管的设计与制备
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固体电子研究与进展 2018年 第1期38卷 40-44页
作者: 范道雨 林罡 牛斌 吴少兵 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
通过对平面形太赫兹肖特基二极管的结构与寄生参数的分析优化,设计并研制了适用于太赫兹频段的不同阳极直径的管芯。管芯为小尺寸设计,采用双层胶电子束直写技术制作T形阳极,阳极剥离后采用100nm的SiO_2介质进行钝化保护,比传统工艺约50... 详细信息
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具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
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固体电子研究与进展 2018年 第1期38卷 36-39,44页
作者: 江丽红 杨扬 霍帅 曹正义 孔月婵 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触... 详细信息
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55~115GHz宽带GaN功率放大器MMIC
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固体电子研究与进展 2018年 第6期38卷 398-402页
作者: 戈勤 徐波 王维波 陶洪琪 吴少兵 薛伟韬 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
研制了一款基于NEDI 50nm GaN功率MMIC工艺的3mm波段高增益、宽频带功率放大器芯片。芯片采用平衡放大器结构,结合多节微带线阻抗匹配方式实现宽带放大器。由于该频段器件增益较低,通过合理选择输出阻抗点,使放大器实现较高的增益和较... 详细信息
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谐波控制在射频功率放大器设计中的应用
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固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 101-105页
作者: 王嘉文 陶洪琪 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
分析了谐波控制理论提高功放效率的原理。对电子器件研究所的GaN HEMT器件进行了负载牵引测试。根据测试结果发现,通过谐波控制可以有效提升该器件的效率,在8GHz时能获得10%的效率提升。应用谐波控制理论设计了一款X波段单级MMIC功... 详细信息
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