检索结果-内蒙古大学图书馆

中国集成电路 2018年第11期27卷 72-76页

作者：王洪辉黄守坤孙海燕通富微电子股份有限公司江苏南通226006 南通大学专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

本文基于四方扁平封装模型,对其中重要的信号传输线的其进行了电磁兼容性问题的研究。通过对两种不同配置结构进行S参数和电磁辐射仿真。仿真结果对比表明,地-信号-地配置结构相对于地-信号配置结构在7.430GHz频率处提高了S21并降低了... 详细信息

本文基于四方扁平封装模型,对其中重要的信号传输线的其进行了电磁兼容性问题的研究。通过对两种不同配置结构进行S参数和电磁辐射仿真。仿真结果对比表明,地-信号-地配置结构相对于地-信号配置结构在7.430GHz频率处提高了S21并降低了电磁辐射,G-S-G配置结构更有利于降低电磁干扰。

关键词：电磁兼容电磁干扰 S21 四方扁平封装

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一种基于0.18 um工艺的高增益CMOS运算放大器

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工业技术与职业教育 2024年第6期22卷 11-14,66页

作者：戴雨涵施清炀王婷刘锡锋江苏信息职业技术学院江苏无锡214153 江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226000

高增益CMOS运算放大器在集成电路设计中扮演着重要角色。CMOS运算放大器具有高增益特性,能够放大微弱的信号,并在电路中提供稳定的放大功能。提出了一种新型高增益CMOS运算放大器的设计方案,由4个三端NMOS管和4个三端PMOS管共同构成,通... 详细信息

高增益CMOS运算放大器在集成电路设计中扮演着重要角色。CMOS运算放大器具有高增益特性,能够放大微弱的信号,并在电路中提供稳定的放大功能。提出了一种新型高增益CMOS运算放大器的设计方案,由4个三端NMOS管和4个三端PMOS管共同构成,通过优化电路结构和参数配置,结合了负反馈和级联放大器的优势,实现了较高的增益和性能指标。该运算放大器采用0.18 um CMOS工艺设计,仿真结果表明,在电压为1.8 V,负载电容为60 pF的环境下,该运算放大器的开环直流增益为81dB,增益带宽为110 M H z,相位裕度为72.9°,电源抑制比110 dB,电源总功耗仅为55 uW。大大提升了运放的增益,降低了电路的功耗并节省了面积。

关键词：高增益CMOS运算放大器集成电路设计增益放大

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EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用

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南通职业大学学报 2014年第1期28卷 80-83页

作者：彭艳军邢飞燕彭湃夏峻南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 南通职业大学电子信息工程学院江苏南通226007

EDA仿真是射频集成电路课程教学的重要教学手段。文章以设计一种应用于交通专用短程通信的5.8GHz射频功率放大器为例,对EDA工具在射频集成电路课程教学中的应用进行了探讨;通过EDA仿真,形象地演示出了电路性能的变化,加深了学生对有源... 详细信息

EDA仿真是射频集成电路课程教学的重要教学手段。文章以设计一种应用于交通专用短程通信的5.8GHz射频功率放大器为例,对EDA工具在射频集成电路课程教学中的应用进行了探讨;通过EDA仿真,形象地演示出了电路性能的变化,加深了学生对有源电感补偿的CMOS射频功放的理解和认识。

关键词： EDA 射频功放 CMOS 教学应用

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高性能多模可编程CMOS输出缓冲器的研究实现

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电子器件 2008年第5期31卷 1483-1486页

作者：陈子晏马和良陈磊杨华周灏谢传文赖宗声景为平华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

提出了一种应用于专用集成电路(ASIC)和FPGA高速IO接口的通用型数据输出缓冲器(Output Buffer)及其ESD(Electrostatic Discharge)保护电路。电路采用新型三组电源供电模式,通过编程点精确控制输出驱动能力,支持多达16种最常用的数据传... 详细信息

提出了一种应用于专用集成电路(ASIC)和FPGA高速IO接口的通用型数据输出缓冲器(Output Buffer)及其ESD(Electrostatic Discharge)保护电路。电路采用新型三组电源供电模式,通过编程点精确控制输出驱动能力,支持多达16种最常用的数据传输协议,电路采用SMIC0.18μm CMOS MM工艺实现。仿真结果表明:output buffer输出信号可满足所有协议的电气要求,支持的所有协议均至少可在250MHz频率下进行数据传输,传输延迟保持在660ps^1180ps之间。

关键词：输出缓冲器静电保护电路多协议支持

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一种基于多协议电流复用双频段压控振荡器的设计

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电子器件 2007年第3期30卷 874-878页

作者：李勇景一欧沈怿皓赖宗声景为平华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

.本文设计了一种基于IEEE802.11a/b/g和蓝牙多协议零中频收发机中双频段压控振荡器.该振荡器使用电流复用的方法,即将两个工作在不同频段的压控振荡器串联堆叠,达到了降低功耗的目的.通过Aglient ADS仿真,结果表明本文所设计的双频段压... 详细信息

.本文设计了一种基于IEEE802.11a/b/g和蓝牙多协议零中频收发机中双频段压控振荡器.该振荡器使用电流复用的方法,即将两个工作在不同频段的压控振荡器串联堆叠,达到了降低功耗的目的.通过Aglient ADS仿真,结果表明本文所设计的双频段压控振荡器功耗为12.22mW,2.44和5.23GHz载频处的相位噪声分别为-126.2和-120.1dBc/Hz@1MHz,其性能完全符合IEEE802.11a/b/g和蓝牙协议的要求.该振荡器将采用0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积为1.18mm×0.67mm.

关键词：多协议电流复用压控振荡器

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背面钝化的开槽图形对单晶硅太阳能电池性能的影响

背面钝化的开槽图形对单晶硅太阳能电池性能的影响

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第十三届全国固体薄膜学术会议

作者：戴珊珊张高洁翟宪振罗向东南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室 226019江苏南通韩华新能源有限公司江苏启东中国

太阳能电池发电成本相较于现有的传统发电方式成本较高，发电成本是太阳能电池未来发展的瓶颈。而硅片的减薄是降低生产成本的手段之一。而随着硅片的减薄，丝网印刷铝浆烧结工艺存在着局限性。在烧结时，浆料和衬底的热膨胀系数不匹配...

太阳能电池发电成本相较于现有的传统发电方式成本较高，发电成本是太阳能电池未来发展的瓶颈。而硅片的减薄是降低生产成本的手段之一。而随着硅片的减薄，丝网印刷铝浆烧结工艺存在着局限性。在烧结时，浆料和衬底的热膨胀系数不匹配使得制备成的电池片出现严重弯曲，从而导致在制备电池组件时容易碎片，生产成本未减反升。

关键词：

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解决电子不停车收费系统干扰问题的信息融合方法

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计算机应用 2012年第9期32卷 2660-2663页

作者：王亮鲁华祥景为平陈天翔中国科学院半导体研究所北京100083 江苏省集成电路设计重点实验室(南通大学) 江苏南通226019 厦门理工学院电子与电气工程系福建厦门361005

针对传统方法对于电子不停车收费(ETC)跟车干扰与邻道干扰的解决效率低、成本高,并且分别处理的问题,提出一种基于信息融合的统一解决ETC干扰问题的方法。该方法以系统获得的车辆信息为已知信息,用车辆图像对应的图形特征对其进行验证,... 详细信息

针对传统方法对于电子不停车收费(ETC)跟车干扰与邻道干扰的解决效率低、成本高,并且分别处理的问题,提出一种基于信息融合的统一解决ETC干扰问题的方法。该方法以系统获得的车辆信息为已知信息,用车辆图像对应的图形特征对其进行验证,再通过D-S证据理论融合验证结果,判断待交易车辆是否为当前车辆。同时,改进了D-S证据使其在验证结果冲突时依然有效。实验结果表明,该方法能可靠地检查出非法车辆,对同时解决跟车干扰与邻道干扰切实有效。

关键词：信息融合 D-S证据理论电子不停车收费系统跟车干扰邻道干扰

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键合线弧高度对键合拉力的影响分析

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电子与封装 2010年第1期10卷 1-3页

作者：沈海军刘新宁景为平孙海燕东南大学南京210096 南通富士通微电子股份有限公司南通226006 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019

在集成电路封装的质量控制中,键合拉力的地位非常重要。作为键合质量好坏的主要判定基准之一,影响键合拉力的因素有很多,包括键合工艺参数、焊线材料类型、拉力测试吊钩的测试位置、焊线线径以及线弧的长度和高度等。主要讨论在键合线... 详细信息

在集成电路封装的质量控制中,键合拉力的地位非常重要。作为键合质量好坏的主要判定基准之一,影响键合拉力的因素有很多,包括键合工艺参数、焊线材料类型、拉力测试吊钩的测试位置、焊线线径以及线弧的长度和高度等。主要讨论在键合线弧投影长度不变的情况下,线弧高度的变化对键合拉力产生的影响。通过对不同线弧高度条件下测得的拉力数据进行整理分析,结果表明:键合线弧越高,拉力就越大;反之,拉力则越小。这为集成电路组装的正常量产过程中,工程技术人员对于键合线弧整体高度的合理有效控制及键合拉力规范的合理定义提供了参考依据。

关键词：集成电路封装键合拉力线弧高度键合

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多层封装基板中同步开关噪声研究

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电子与封装 2012年第12期12卷 1-4,43页

作者：王洪辉孙海燕南通富士通微电子股份有限公司江苏南通226006 南通大学专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

文章以栅格阵列封装(land grid array,LGA)模型为研究对象,分析了多层封装基板中的同步开关噪声(simultaneous switching noise,SSN)问题。首先利用频域仿真工具PowerSI得到了键合线和信号布线的S参数模型。然后通过在电路仿真工具HSPIC... 详细信息

文章以栅格阵列封装(land grid array,LGA)模型为研究对象,分析了多层封装基板中的同步开关噪声(simultaneous switching noise,SSN)问题。首先利用频域仿真工具PowerSI得到了键合线和信号布线的S参数模型。然后通过在电路仿真工具HSPICE中加载封装结构的S参数模型和驱动器模型来仿真同步开关噪声。最后在设计中选取在多层基板上添加去耦电容的方式来减小同步开关噪声。仿真结果表明,通过在本LGA多层基板设计中添加110pF容值的去耦电容,可以较好地减少同步开关噪声,满足设计要求。

关键词：集成电路封装栅格阵列封装电磁建模同步开关噪声

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BGA通孔建模及优化设计

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科技创新导报 2018年第22期15卷 108-108,110页

作者：王洪辉黄守坤孙海燕南通富士通微电子股份有限公司江苏南通226006 南通大学专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

通孔主要是实现内部互连或安装定位元件,本文对BGA通孔设计进行了研究,通过对通孔半径、Pad、Antipad的优化设计,在4GHz处通孔的S21由-4.81dB提高到-1.75dB,S11由-2.25dB降低到-6.12dB,提高了BGA通孔的性能指标。

关键词：通孔优化 S参数

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