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  • 27 篇 中文
检索条件"机构=哈尔滨工业大学微电子技术教研室"
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可见光量子阱半导体激光器的研制
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半导体技术 1997年 第1期13卷 29-30页
作者： 宋珂 张福厚 郝修田 山东工业大学电子工程系微电子技术教研室
研制出的波长为７７８ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温脉冲激射平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
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具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制
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中国激光 1997年 第2期24卷 97-99页
作者： 张福厚 宋珂 邢建平 郝修田 曾一平 山东工业大学电子工程系微电子技术教研室 中国科学院半导体研究所
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），波长为７７８ｎｍ，最低阈值电流为３０ｍＡ，阈值电流密... 详细信息
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热释电体流量传感器的研究
热释电体流量传感器的研究
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第五届全国敏感元件与传感器学术会议
作者： 陈伟平 王东红 滨工业大学 微电子技术教研室
该文介绍了新型热释电流量传感器的特点、结构、性能和初步实验结果。
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分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
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光电子．激光 1997年 第3期8卷 175-177页
作者： 宋珂 张福厚 邢建平 曾一平 山东工业大学电子工程系微电子技术教研室 中国科学院半导体研究所
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈... 详细信息
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碲镉汞合金组分分布的描述方法
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激光与红外 1996年 第1期26卷 57-58页
作者： 蓝慕杰 赵显峰 周士仁 哈尔滨工业大学微电子技术教研室
介绍了一种利用ＥＤＸ和自动数据处理程序相结合，用于ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的描述方法。实际使用结果表明，该方法满足ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的要求，具有快速直观的特点，对指导工艺调整有重要意义。该法可用于其它半... 详细信息
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一个新的经济型状态化简软件
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哈尔滨工业大学学报 1996年 第2期28卷 80-83页
作者： 陈昕 喻明艳 叶以正 哈尔滨工业大学微电子技术教研室
介绍以隐含最大相容类集为基础的经济型状态化简新算法。该算法是从最大隐含相容类集得出最小闭覆盖的初始候选集，通过对初始候选集的不断调整，得到化简结果。通过与一个具有代表性的经济型算法软件的比较发现，用该算法实现的软件，... 详细信息
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钾双原子分子21∑＋u─x1∑＋g跃迁连续谱带研究
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光学学报 1996年 第8期16卷 1092-1095页
作者： 吕志伟 刘莉 何伟明 王骐 马祖光 李路 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 哈尔滨医科大学数学教研室
理论计算了钾双原子分子２１∑＋ｕ─ｘ１∑＋ｇ跃迁所得到的扩散带荧光谱，并与Ｇｏｎｄａｌ等［４］和Ｌｕｈ等［５］以及Ｍｉｌｏｓｅｖｉｃ等［６］的实验结果进行了比较。计算结果与Ｌｕｈ等和Ｍｉｌｏｓｅｖｉｃ等的实验结果符合... 详细信息
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HWZ-201 IC卡芯片的VHDL行为级建模
HWZ-201 IC卡芯片的VHDL行为级建模
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全国首届VHDL语言及其应用学术会议--第六届全国逻辑设计自动化学术会议
作者： 肖立伊 毛志刚 滨工业大学微电子技术教研室
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780nm可见光量子阱半导体激光器
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山东科学 1996年 第4期9卷 15-16,20页
作者： 宋珂 张福厚 郝修田 山东工业大学电子工程系微电子技术教研室
研制出的波长为７８０±２ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
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Ta2O5敏感膜H^＋—ISFET研究
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哈尔滨工业大学学报 1994年 第4期26卷 46-49页
作者： 武世香 陈士芳 王东红 王喜莲 孙淑芳 哈尔滨工业大学微电子技术教研室
在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度、线性范围、线性度、响应时间、滞后、时漂和选择性等方面... 详细信息
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