检索结果-内蒙古大学图书馆

湘潭大学学报（自然科学版） 2019年第5期41卷 78-84页

作者：察明扬陈佩瑶陈琳朱颢孙清清张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室

在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势.该文制备了两种底电极的铪锆氧铁电隧... 详细信息

在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势.该文制备了两种底电极的铪锆氧铁电隧道结,测试其铁电特性和存储性能.其中采用铂为底电极的铪锆氧铁电隧道结不仅有较高的剩余极化强度和优秀的疲劳特性,并且在编程速度和响应时间上优于传统的铁电材料,展现出良好的应用前景.

关键词：存储器氧化铪铁电性铁电隧道结

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无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考

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电源学报 2020年第4期18卷 15-23页

作者：闫海东梁陪阶梅云辉冯志红桂林电子科技大学机电工程学院桂林541004 天津大学材料科学与工程学院天津300072 河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051 广西制造系统与先进制造技术重点实验室桂林541004

无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连... 详细信息

无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连接可靠性的典型风险和原因;(2)介绍了无压低温连接技术的最新发展;(3)基于Si基典型功率模块封装向高可靠SiC功率模块转变过程中在封装结构和材料方面的需求,阐述了无压低温银烧结技术在引线型、平面型和双面冷却功率模块封装方面的进展;(4)提出无压低温银烧结技术当前有待解决的技术难题。

关键词：纳米银焊膏无压低温银烧结技术双面冷却 SiC器件可靠性

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对FPGA配置码点软错误敏感性的细粒度研究（英文）

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复旦学报（自然科学版） 2019年第1期58卷 72-86页

作者：连彩江罗毅 ADRIAN Evans WEN Shijie 陈更生复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 IROC Technologies 法国格勒诺布尔38025 思科系统公司总部美国加利福尼亚圣何塞95134

本文对Xilinx的Virtex-4器件的配置存储器(Configuration RAM,CRAM)做了详尽的错误注入实验.并给出了适用于Virtex-4的逻辑资源与码流对应关系的详细信息,利用这些信息对实验结果进行分析可以找出对电路可靠性影响最大的配置码点.本文... 详细信息

本文对Xilinx的Virtex-4器件的配置存储器(Configuration RAM,CRAM)做了详尽的错误注入实验.并给出了适用于Virtex-4的逻辑资源与码流对应关系的详细信息,利用这些信息对实验结果进行分析可以找出对电路可靠性影响最大的配置码点.本文用了两种错误模型来评估电路的可靠性,一个模型用来评估持续存在的错误的影响,另一个模型用来评估瞬时错误对应用了重刷写技术的电路的影响.对实验结果的详尽分析为用于FPGA的容错技术的研究提供了新的数据支持.本文的主要贡献包括一个能够进行细粒度定位错误注入的平台、对CRAM中码点翻转造成的影响的详细分析、两个用于评估CRAM中码点翻转效应的指标以及对利用错误注入的数据进行容错技术加强的方法.

关键词：现场可编程门阵列错误注入单粒子翻转软错误

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一种应用于多通道模数转换器的串行输出接口设计

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复旦学报（自然科学版） 2018年第5期57卷 596-604页

作者：穆敏宏叶凡任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

本文设计了一款适用于高速多通道模数转换器的串行输出接口,包括扰码、并串转换、DLL与CML等模块,实现了3∶1并转串输出.相比于传统串行扰码发生器的结构,本文提出了一种新的并行扰码发生器设计方法,能缩短关键路径的延时.同时,文中还... 详细信息

本文设计了一款适用于高速多通道模数转换器的串行输出接口,包括扰码、并串转换、DLL与CML等模块,实现了3∶1并转串输出.相比于传统串行扰码发生器的结构,本文提出了一种新的并行扰码发生器设计方法,能缩短关键路径的延时.同时,文中还对串行输出接口进行了设计优化,降低了温度、电压波动带来的影响,面积、功耗等性能均有提升.串行输出接口采用65nm CMOS工艺设计,数字模块电路(扰码发生器、并串转换电路、DLL)的版图面积为72μm×97μm,CML输出电路的版图面积为85μm×53μm.版图后仿真显示单通道总功耗11.5mW,在不同输入相位下均能实现并行1.33Gb/s×3bits到串行4Gb/s×1bit的并串转换,满足模数转换器对输出接口的要求.

关键词：多通道模数转换器串行输出接口延迟锁定环电流模逻辑

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基于A*算法优化的片上网络源路由算法

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复旦学报（自然科学版） 2018年第5期57卷 605-610页

作者：来耀荆明娥复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

片上网络的路由算法目前大多都采用分布式算法,其实现较为容易但缺少路由策略的全局性.而源路由算法虽然实现较为复杂,但其路由策略能综合考虑整个片上网络的链路状态,具有高度的全局性,在宏观的计算机网络的路由策略中有广泛的应用.随... 详细信息

片上网络的路由算法目前大多都采用分布式算法,其实现较为容易但缺少路由策略的全局性.而源路由算法虽然实现较为复杂,但其路由策略能综合考虑整个片上网络的链路状态,具有高度的全局性,在宏观的计算机网络的路由策略中有广泛的应用.随着片上网络的发展,源路由算法将逐渐运用到片上网络上.本文基于A*寻路算法,提出了一种优化片上网络的源路由算法.该算法将寻路问题与路由策略相结合,为片上网络路由算法的设计提供了一种新的思路.根据测试结果可以看出该算法在效率和占用空间方面均有着明显的提升.

关键词：片上网络路由算法 A＊算法源路由

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一种基于CLB内部共享线网的高效的通用打包方法

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复旦学报（自然科学版） 2018年第1期57卷 100-106页

作者：杨钊杨萌来金梅复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了适应现代FPGA中的可编程逻辑单元日益复杂化的结构,已有的CAD工具中的打包阶段的处理过程预留了很大的灵活性,然而这引起了打包阶段运行时间的显著增长.本文提出一种考虑可编程逻辑单元中共享线网的打包方法 S-AAPack.该方法先记录... 详细信息

为了适应现代FPGA中的可编程逻辑单元日益复杂化的结构,已有的CAD工具中的打包阶段的处理过程预留了很大的灵活性,然而这引起了打包阶段运行时间的显著增长.本文提出一种考虑可编程逻辑单元中共享线网的打包方法 S-AAPack.该方法先记录可编程逻辑单元中与当前打包处理相关的共享线网的信息,然后利用该记录的共享线网信息快速判断出不合法的映射,达到减少整体运行时间的目的.实验结果表明,与最新的VTR7.0相比,S-AAPack使打包阶段在运行时间方面实现了1.83倍的加速,同时不改变其输出结果在时序、面积等方面的质量.

关键词：现场可编程逻辑门阵列打包运行时间优化共享线网

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一款应用于超高频射频识别标签的低功耗电流模无源混频器

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复旦学报（自然科学版） 2018年第2期57卷 228-235,242页

作者：余运勇谈熙闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

本文设计了一款应用于超高频射频识别标签的分裂低噪声跨导放大器的电流模无源混频器.这款电流模无源混频器的功耗低至2.2mW,包含跨阻放大器.在利用50%占空比本振信号的电流模无源混频器中,分裂的低噪声跨导放大器能够解决I/Q 2路镜像... 详细信息

本文设计了一款应用于超高频射频识别标签的分裂低噪声跨导放大器的电流模无源混频器.这款电流模无源混频器的功耗低至2.2mW,包含跨阻放大器.在利用50%占空比本振信号的电流模无源混频器中,分裂的低噪声跨导放大器能够解决I/Q 2路镜像信号相互串扰的问题.因此,本文设计的电流模无源混频器能够继续利用50%占空比的本振信号,而不需要利用额外的电路将本振信号的占空比从50%变成25%,这样能够节省大量的功耗和面积.无源混频器前的阻抗匹配网络具有额外的电压增益,额外的电压增益能够抑制后级电路的噪声贡献,这有助于进一步节省无源混频器的功耗.这款无源混频器在SMIC 130nm CMOS工艺下流片.测试结果表明,无源混频器的电压转换增益为32.1dB,噪声系数为7.7dB,带内输入3阶交调点为-9.1dBm,功耗为2.2mW.芯片面积为0.32mm2.

关键词：射频识别跨导放大器电流模无源混频器

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一款12位5 kS/s逐次逼近型模数转换器的设计

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固体电子学研究与进展 2018年第1期38卷 75-79页

作者：王克柔洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200120

提出了一种模拟域的前台校准技术,据此设计了一款12位精度的模数转换器(ADC)。芯片采用全定制叉指电容来实现电容阵列,并在TSMC 65nm工艺下进行了流片验证。芯片的内核面积仅为0.2 mm2,测试数据显示,在5kHz转换速率时信噪失真比(SNDR)为... 详细信息

提出了一种模拟域的前台校准技术,据此设计了一款12位精度的模数转换器(ADC)。芯片采用全定制叉指电容来实现电容阵列,并在TSMC 65nm工艺下进行了流片验证。芯片的内核面积仅为0.2 mm2,测试数据显示,在5kHz转换速率时信噪失真比(SNDR)为62dB,无杂散动态范围(SFDR)为76dB,在1.2V电源电压下功耗仅为112nW。

关键词：逐次逼近型模数转换器超低功耗设计模拟域前台校准

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一种高摆率低功耗无片外电容的LDO设计

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复旦学报（自然科学版） 2018年第1期57卷 79-84页

作者：徐晨辉叶凡任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

本文介绍了一种低功耗的无片外电容快速响应的低压差线性稳压器(LDO),用于数字电路供电.该LDO采用电流型跨导运算放大器,克服了传统运算放大器摆率和静态电流之间的矛盾.提出了一种瞬态增强电路,既可以动态地调整误差放大器偏置,同时也... 详细信息

本文介绍了一种低功耗的无片外电容快速响应的低压差线性稳压器(LDO),用于数字电路供电.该LDO采用电流型跨导运算放大器,克服了传统运算放大器摆率和静态电流之间的矛盾.提出了一种瞬态增强电路,既可以动态地调整误差放大器偏置,同时也能够直接对调整管栅极电压进行调节,增强了负载瞬态响应性能.该LDO基于28nm CMOS工艺,面积为55×42μm2.输入1.1V,压差约为100mV,最大负载电流50mA.静态电流为5μA,在负载电流变化率为49.9mA/μs的情况下,恢复时间为2.5μs,过冲电压和下冲电压均小于100mV.

关键词：低压差线性稳压器无片外电容高摆率瞬态增强低功耗

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基于OMP的SRAM成品率分析的分组建模方法

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太赫兹科学与电子信息学报 2020年第1期18卷 155-159页

作者：梁堃张龙赵振国杨帆中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心四川成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621999 中国工程物理研究院高性能数值模拟软件中心北京100088 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

静态随机存取存储器(SRAM)电路的失效是极小概率事件,并且不同电路条件下的失效区域边界可能相距很远。因此,为了更高效地获得更精准的SRAM成品率预测结果,提出一种基于正交匹配追踪(OMP)算法的SRAM性能分组建模方法,并应用于典型SRAM... 详细信息

静态随机存取存储器(SRAM)电路的失效是极小概率事件,并且不同电路条件下的失效区域边界可能相距很远。因此,为了更高效地获得更精准的SRAM成品率预测结果,提出一种基于正交匹配追踪(OMP)算法的SRAM性能分组建模方法,并应用于典型SRAM电路成品率的预测。此方法主要根据不同SRAM电路条件下失效区域边界距离的差异将仿真数据划分为多组,之后利用OMP算法对不同组的数据分别建立多项式模型,该模型可用于对SRAM电路的成品率进行快速分析预测。与标准蒙特卡洛统计算法及基于OMP的单一建模方法相比,基于OMP的分组建模方法不仅可以缩短建模时间,提高建模准确度,还能够获得更加精确的SRAM成品率预测结果。

关键词：分组建模正交匹配追踪重要性采样静态随机存取存储器成品率预测

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