检索结果-内蒙古大学图书馆

小型微型计算机系统 2009年第9期30卷 1890-1894页

作者：刘丹魏鹏谭杰李波王俊宇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 中国科学院自动化研究所北京100080

提出一种适用于射频识别(RFID)读写器的多标签碰撞检测方法,并进行了电路实现和测试验证.该方法通过读写器数字接收机解码模块检测接收信号是否违反数据编码规则,判断标签的返回信号是否发生了碰撞,生成碰撞指示信号.测试表明该方法的... 详细信息

提出一种适用于射频识别(RFID)读写器的多标签碰撞检测方法,并进行了电路实现和测试验证.该方法通过读写器数字接收机解码模块检测接收信号是否违反数据编码规则,判断标签的返回信号是否发生了碰撞,生成碰撞指示信号.测试表明该方法的正确率可达到99%,能为各种基于时隙ALHOA的随机型多标签防碰撞算法的实现提供有效支持.对几种常见的RFID多标签防碰撞算法的实测结果表明,应用碰撞检测技术后读写器的多标签识别速度提高了约30～40%.

关键词：碰撞检测射频识别防碰撞

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一种数模混合电路状态的波形分析方法

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电路与系统学报 2009年第3期14卷 92-97页

作者：黄植希陆伟成张鹏唐璞山曾璇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 英特尔技术开发(上海)有限公司快闪存储器上海事业部上海200131

本文针对数模混合电路仿真波形的特点,提出一种以开关事件为基础的状态序列数据结构,有效地压缩存储空间;同时,基于这种数据结构,本文还提出一种仿真波形比较方法,该方法根据仿真波形自动检测划分电路的状态,并能在考虑一定容限范围的... 详细信息

本文针对数模混合电路仿真波形的特点,提出一种以开关事件为基础的状态序列数据结构,有效地压缩存储空间;同时,基于这种数据结构,本文还提出一种仿真波形比较方法,该方法根据仿真波形自动检测划分电路的状态,并能在考虑一定容限范围的前提下实现波形比较,有效地提高了模拟信号以及数字信号完整性的验证效率。这种方法已成功运用到本文开发的数模混合时移波形比较软件系统中,并已在Intel技术开发(上海)公司内部推广使用。

关键词：数模混合电路状态划分波形比较

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沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响

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复旦学报（自然科学版） 2009年第4期48卷 506-510页

作者：张金英华光平纪新明周嘉黄宜平复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室微电子研究院上海200433 上海先进半导体制造股份有限公司上海200233

采用0．35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件，芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联，以获得高的击穿电压和大的工作电流．研究发现，沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响，且最终影... 详细信息

采用0．35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件，芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联，以获得高的击穿电压和大的工作电流．研究发现，沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响，且最终影响量产中的良率．实验表明，在相同的工艺条件下，沟槽深度为1．65μm（试验范围为1．60～1．95μm）时，Ф200mm晶片的良率可达98％以上，器件导通电阻约8．2mΩ，源漏击穿电压稳定在34V以上，正常工作电流可达5A，开启电压和漏电流也稳定在要求范围内．

关键词：高功率 U形多晶硅栅金属氧化物半导体沟槽深度击穿电压良率

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可扩展的低成本双域模乘模除器算法及其VLSI实现

可扩展的低成本双域模乘模除器算法及其VLSI实现

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第二届全国智能信息处理学术会议

作者：曹丹韩军陈媛曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

本文通过应用Booth编码技术和多比特移位技术,有效地改进了有限域模乘模除算法,不仅使素域模乘的运算速度提高了一倍,而且使素域模除运算所需的迭代次数减小了40％.在算法改良的基础上,本文提出一种可配置的有限域模乘模除器结构,实现... 详细信息

本文通过应用Booth编码技术和多比特移位技术,有效地改进了有限域模乘模除算法,不仅使素域模乘的运算速度提高了一倍,而且使素域模除运算所需的迭代次数减小了40％.在算法改良的基础上,本文提出一种可配置的有限域模乘模除器结构,实现了模乘与模除运算,及素域与多项式域算术的硬件复用,大幅度地降低了硬件成本.另外,本文提出的硬件结构使用以字为单位的运算单元,采用流水线结构,具有良好的扩展性.因此,本文的模乘模除器具有灵活性、安全性和低成本的综合优势,可以广泛应用于各种高性能、低成本的便携移动设备,为各种无线终端设备用户提供高性能的信息安全服务.

关键词：信息安全模乘模除器硬件可配置多比特移位有限域模

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应用于MB-OFDM的超宽带频率综合器

应用于MB-OFDM的超宽带频率综合器

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第七届中国通信集成电路技术与应用研讨会

作者：陈丹凤李巍叶凡李宁任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

本文设计了一个应用于MB-OFDM超宽带“频段1”的频率综合器。采用锁相环和单边带混频器构成的结构，在Jazz 0.18μm CMOS模拟/射频工艺下，实现小于2ns的频率切换时间，相位噪声为-104dBc/Hz@1MHz，杂散小于-38dB，整个芯片在1.8V源电... 详细信息

本文设计了一个应用于MB-OFDM超宽带“频段1”的频率综合器。采用锁相环和单边带混频器构成的结构，在Jazz 0.18μm CMOS模拟/射频工艺下，实现小于2ns的频率切换时间，相位噪声为-104dBc/Hz@1MHz，杂散小于-38dB，整个芯片在1.8V源电压下消耗电流36mA。

关键词：超宽带频率综合器锁相环相位噪声

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原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：徐岩刘晗陈琳孙清清丁士进张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的... 详细信息

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的升高而减小;薄膜禁带宽度随退火温度的增大而增大。没有退火的样品的禁带宽度为3.41 eV，当退火温度上升至800 °C时，其禁带宽度增大至3.81 eV。在800 °C退火后导致界面层的形成，其厚度达1.6 nm。这是由于在高温退火过程中，衬底的Si原子与Nb2O5介质发生反应，在界面处形成了Nb-Si-O组分。

关键词：原子层淀积光学特性禁带宽度介质薄膜

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CMOS器件中电荷泵过程的图解表示

CMOS器件中电荷泵过程的图解表示

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：黄新运沈忱黄大鸣李名复复旦大学微电子学系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子... 详细信息

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子和空穴的俘获截面不对称，并且测量到的电荷泵电流是由捕获截面较小的电子或者空穴陷阱决定，所以慢速陷阱的电荷泵测量中含有动态过程和稳态过程。

关键词：电荷泵浦界面态偏压温度不稳定性氧化层电荷几何效应空穴陷阱

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原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：陈琳孙清清刘晗徐岩王鹏飞张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电... 详细信息

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电容的高频C-V 特性曲线，利用Terman方法获得了Si 禁带中央附近的界面态密度为5×1011 cm-2eV-1 到1×1012 cm-2eV-1之间，并用Hill-Coleman 测量方法进行了验证。研究了1 kHz到100 kHz HfAlO3.5 高k栅介质的频率耗散特性，发现由于寄生电阻的关系，随着频率的上升，其MOS 电容密度从0.73 μF/cm2 下降到 0.71 μF/cm2。研究表明，利用原子层淀积方法制备的HfxAlyOz复合介质材料在CMOS栅介质中有良好的应用前景。

关键词：铪铝氧介质薄膜高k栅介质原子层淀积等效电学厚度频率耗散特性寄生电阻金属氧化物半导体

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PECVD新型低介电常数SiCONF介质薄膜

PECVD新型低介电常数SiCONF介质薄膜

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：钱可嘉丁士进张卫刘冉专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海 200433

以C2F6、SiH4和N2O为反应前驱体，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）制备了新型低介电常数SiCONF介质薄膜，并通过X射线光电子能谱（XPS）、电容－电压（C-V）和电流－电压（I-V）特性测试以及纳米压痕法对材料的组成、电学和力学... 详细信息

以C2F6、SiH4和N2O为反应前驱体，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）制备了新型低介电常数SiCONF介质薄膜，并通过X射线光电子能谱（XPS）、电容－电压（C-V）和电流－电压（I-V）特性测试以及纳米压痕法对材料的组成、电学和力学性质进行了表征。结果表明，随着C2F6流量的增加（同时保持其它气体流量不变），所淀积的薄膜中氟元素含量逐渐增加，氮元素含量逐渐降低，碳元素含量也表现出增加的趋势，薄膜的介电常数逐渐降低。当C2F6的流量为750sccm时，所淀积的SiCONF薄膜的介电常数为2.64，薄膜中氟的含量达到9.90％。该薄膜均具有良好的漏电特性，在1MV/cm的电场强度下，其泄漏电流密度小于3×10-8A/cm2。此外，薄膜的机械性能测试表明，所得薄膜均具有较好的机械性能，其硬度大于3GPa，杨氏模量大于84GPa，这可能与薄膜中氮元素的存在有关。另外，C、F两种元素的引入有利于降低薄膜的介电常数。

关键词：等离子体增强化学气相淀积低介电常数介质薄膜泄漏电流密度漏电特性机械性能杨氏模量

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基于SiO2/HfO2/A2lO3隧穿层的Co纳米晶存储电容研究

基于SiO2/HfO2/A2lO3隧穿层的Co纳米晶存储电容研究

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：黄玥苟鸿雁丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海 200433

本文根据隧穿层能带工程提出的“可变氧化层厚度”的概念，设计了SiO2/HfO2/A2lO3叠层作为纳米晶MOS电容的隧穿层。利用金属层夹在隧穿层和控制层中间再进行退火处理会限制原子流动的特性来形成Co纳米晶。SiO2/HfO2/A2lO3/Co纳米晶/Al2O... 详细信息

本文根据隧穿层能带工程提出的“可变氧化层厚度”的概念，设计了SiO2/HfO2/A2lO3叠层作为纳米晶MOS电容的隧穿层。利用金属层夹在隧穿层和控制层中间再进行退火处理会限制原子流动的特性来形成Co纳米晶。SiO2/HfO2/A2lO3/Co纳米晶/Al2O3构成的MOS电容在1 MHz频率±7 V的扫描电压范围下净C-V滞回窗口能够达到1.98 V;其平带电压随着编程和擦除电压的增大分别向正方向和负方向漂移，直到出现饱和。这种现象可由库仑阻塞效应引起的库仑充电能来解释。从编程和擦除操作对应的能带示意图上可以看出，不同偏置电压下电荷对应的能量势垒不同，即有效隧穿电学厚度是可变的，从而导致了电荷隧穿机制的不同。

关键词：纳米晶非挥发存储器能带工程库仑阻塞效应隧穿层可变氧化层厚度金属氧化物半导体

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