检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2020年第7期69卷 114-120页

作者：朱存远李朝刚方泉汪茂胜彭雪城黄万霞安徽师范大学物理与电子信息学院芜湖241002 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

尽管耦合模理论在过去几十年内已经被广泛研究,但它的理论来源还是困扰着广大研究者.在这里,基于久期微扰理论,将经典弹簧振子模型退化为耦合模理论,并将该理论用于解释音叉耦合的实验现象.研究表明这种方法将耦合模理论中每一项的系数... 详细信息

尽管耦合模理论在过去几十年内已经被广泛研究,但它的理论来源还是困扰着广大研究者.在这里,基于久期微扰理论,将经典弹簧振子模型退化为耦合模理论,并将该理论用于解释音叉耦合的实验现象.研究表明这种方法将耦合模理论中每一项的系数都与经典力学中的相关物理量建立关联,且理论和实验结果符合得很好.该研究为耦合模理论中每一项的来源提供了一种较严谨的推导方法,在线性耦合体系的理论研究方面有一定的指导意义.

关键词：线性耦合体系弹簧振子模型耦合模理论久期微扰理论

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Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 411-414页

作者：朱燕艳徐闰陈圣方泽波薛菲樊永良蒋最敏上海电力学院上海200090 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O... 详细信息

利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.

关键词： Er2O3 异质结晶体生长

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Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 144-147页

作者：杨鸿斌樊永良复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变... 详细信息

利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变弛豫的影响.结果表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的形成和传播,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异.

关键词： SiGe 应变弛豫位错

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自组织SiGe量子环的生长与形貌维持

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 148-150页

作者：李防化蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变.从应变的角度解释了量子环的形成机制.研究发现在350℃以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的维持.从动力学的角度解释了低温下覆盖SiGe量子环时其形貌得到维持的原因.

关键词：量子点量子环 SiGe MBE

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GeSi/Si集成光对称定向耦合器

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复旦学报（自然科学版） 1999年第4期38卷 405-409页

作者：李宝军复旦大学应用表面物理国家重点实验室

研究了一种适用于光纤通信的Ｓｉ基ＧｅＳｉ集成光波导定向耦合器．基于耦合模理论，对其功率传输特性进行了分析，得到了定向耦合器的耦合间距和耦合长度．其结果表明，在所得到的最佳耦合长度处，这种耦合器可将光从其输入波导一... 详细信息

研究了一种适用于光纤通信的Ｓｉ基ＧｅＳｉ集成光波导定向耦合器．基于耦合模理论，对其功率传输特性进行了分析，得到了定向耦合器的耦合间距和耦合长度．其结果表明，在所得到的最佳耦合长度处，这种耦合器可将光从其输入波导一端１００％地耦合至另一波导并输出．同时得到，当耦合器的耦合长度为１００％耦合长度的一半时，可作为３ｄ

关键词：定向耦合器光波导集成光学锗硅合金硅

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离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除

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Journal of Semiconductors 1994年第11期15卷 790-794页

作者：卢学坤侯晓远丁训民王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用．本文采用低能电子衍射、Ｘ光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对ＧａＰ极性表面经Ａｒ离子溅射后的损伤情况进行了研究．主要探讨表面损伤及其消除、表面能带弯曲等问题．

关键词：磷化镓离子溅射极性半导体表面损伤消除

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C_（60）分子间的相互作用

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复旦学报（自然科学版） 1996年第1期35卷 1-5页

作者：叶令复旦大学应用表面物理国家重点实验室

采用定域密度泛函分子集团方法研究了两个Ｃ６０分子之间的相互作用性质，在平衡位置附近，两分子间的相互作用势可以用一个简单的解析形式──Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势来描述．Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势中的参数为ε＝３．６... 详细信息

采用定域密度泛函分子集团方法研究了两个Ｃ６０分子之间的相互作用性质，在平衡位置附近，两分子间的相互作用势可以用一个简单的解析形式──Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势来描述．Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势中的参数为ε＝３．６２０ｅＶ，σ＝８．６１５Ａ．还计算了电子结构随分子中心之间的距离ｒ的变化关系．ｒ＝９．６７时达到平衡．ｒ减小时，最高占有态和最低非占有态之间的能隙减小；ｒ减到约为平衡距离的８８％时，能隙为０．

关键词：定域密度泛函碳60 分子相互作用

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Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究

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Journal of Semiconductors 1999年第7期20卷 554-558页

作者：裴成文秦捷刘晓晗胡冬枝张翔九黄大鸣蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室

利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献... 详细信息

利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献上认为的线性关系在较大应变处有很大的偏离，本文对此进行了分析和讨论．

关键词：硅外延生长锗实验

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ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

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Journal of Semiconductors 1999年第6期20卷 492-496页

作者：魏彦锋黄大鸣王兴军俞根才诸长生王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自... 详细信息

在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．

关键词：半导体量子阱双激子发光谱分子束外延生长

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μSR实验进展与缪子源发展趋势

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物理学报 2024年第19期73卷 58-64页

作者：王颖殳蕾复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室上海200433 上海量子科学研究中心上海201315

缪子自旋弛豫/旋转技术(muon spin relaxation/rotation,μSR)是一种高度灵敏的原子尺度磁性探测手段.随着μSR技术的不断发展,其在凝聚态物理研究中愈加重要.本文简要介绍μSR技术的优越性和独特性,概述近期μSR技术在凝聚态领域的几... 详细信息

缪子自旋弛豫/旋转技术(muon spin relaxation/rotation,μSR)是一种高度灵敏的原子尺度磁性探测手段.随着μSR技术的不断发展,其在凝聚态物理研究中愈加重要.本文简要介绍μSR技术的优越性和独特性,概述近期μSR技术在凝聚态领域的几项重要进展和挑战,包括镍基超导体La_(3)Ni_(2)O_(7)和(R,Sr)NiO_(2)的磁性基态研究、笼目晶格超导体AV_(3)Sb_(5) (A=K,Rb)的电荷密度波研究、NaYbSe_(2)量子自旋液体“海洋”中沉浸的自旋“磁滴”和Cr_(2)O_(3)磁电表面附近磁单极子的研究,并简单阐述了国际上缪子源的建设情况和升级进展.

关键词：缪子自旋弛豫/旋转磁性超导量子自旋液体

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