检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2000年第9期21卷 914-917页

作者：孙剑吴嘉达应质峰施维凌浩周筑颖丁训民王康林李富铭复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学现代物理研究所上海200433 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,... 详细信息

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素。

关键词：氮化铝低温沉积薄膜

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分子束外延生长Fe/Fe_(50)Mn_(50)双层膜的交换偏置

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物理学报 2000年第10期49卷 2022-2026页

作者：敬超金晓峰董国胜龚小燕郁黎明郑卫民上海大学物理系上海200436 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室上海200083

利用表面磁光克尔效应和铁磁共振对分子束外延生长的Fe/Fe50 Mn50 双层膜的交换偏置场和矫顽力进行了研究 ,实验结果表明 ,当反铁磁层厚度小于 5 5nm时 ,不出现交换偏置 ,而当大于这一厚度时 ,出现交换偏置 ;大约在7nm时 ,达到极大值 ... 详细信息

利用表面磁光克尔效应和铁磁共振对分子束外延生长的Fe/Fe50 Mn50 双层膜的交换偏置场和矫顽力进行了研究 ,实验结果表明 ,当反铁磁层厚度小于 5 5nm时 ,不出现交换偏置 ,而当大于这一厚度时 ,出现交换偏置 ;大约在7nm时 ,达到极大值 .随着反铁磁层厚度的继续增大 ,偏置场和矫顽力随Fe50 Mn50 膜厚的增大而下降 .铁磁共振实验结果表明样品的磁性存在单向各向异性 .并对上述结果进行了讨论 .

关键词：分子束外延双层膜交换偏置

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ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化

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真空科学与技术 2000年第2期20卷 99-102页

作者：孙剑吴嘉达钟晓霞来冰丁训民李富铭复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 上海交通大学应用物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室

利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。

关键词：等离子体氮化氮化硅硅表面处理薄膜制备

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经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性

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Journal of Semiconductors 2000年第1期21卷 38-43页

作者：刘小兵熊祖洪史向华袁帅廖良生长沙电力学院物理系长沙410077 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

在一定偏压下用ＡｌＣｌ３＋Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋Ｈ２Ｏ混合液对多孔硅进行了后处理．经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比，其发光强且稳定．通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析，指出在后处理样品表面形成的Ａｌ２Ｏ３与ＳｉＯ... 详细信息

在一定偏压下用ＡｌＣｌ３＋Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋Ｈ２Ｏ混合液对多孔硅进行了后处理．经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比，其发光强且稳定．通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析，指出在后处理样品表面形成的Ａｌ２Ｏ３与ＳｉＯｘ结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因．

关键词：多孔硅光致发光钝化氧化铝氧化硅

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ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理

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Journal of Semiconductors 2000年第10期21卷 1019-1023页

作者：孙剑吴嘉达钟晓霞来冰丁训民李富铭复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室上海200433 上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .... 详细信息

利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 .

关键词：硅表面处理 ECR等离子体单晶硅

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Co_xAg_(1-x)纳米颗粒膜的磁光Kerr效应

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中国科学（A辑） 2000年第4期30卷 359-365页

作者：郑卫民王辉褚君浩陈良尧邓振波中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学物理系上海200433 复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433

通过离子束溅射制备了CoxAg1-x纳米颗粒膜系列样品 ,并分别在 1 0 0 ,2 5 0 ,40 0 ,5 0 0℃下进行了退火 .利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量 .结果发现 :对Co含... 详细信息

通过离子束溅射制备了CoxAg1-x纳米颗粒膜系列样品 ,并分别在 1 0 0 ,2 5 0 ,40 0 ,5 0 0℃下进行了退火 .利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量 .结果发现 :对Co含量较低的样品 ,随着退火温度的升高 ,磁光Kerr效应增强 ,并且在Ag的等离子振荡边附近出现了强的共振峰 ;峰的位置发生红移 .通过数据计算分析 ,这种共振磁光Kerr效应的增强是由于Ag陡峭的等离子振荡边作用结果 .

关键词：纳米磁性颗粒膜磁光Kerr效应钴-银颗粒膜

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NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 2000年第2期10卷 102-111页

作者：徐彭寿陆尔东张发培徐世红张新夷赵特秀方容川金晓峰中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 中国科学技术大学物理系合肥230026 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究... 详细信息

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究;半导体表面的磁性超薄膜研究;与Ⅱ—Ⅵ族半导体有关的异质结能带排列。

关键词：半导体表面界面同步辐射光电子能谱 NSRL

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SiO_x、Si/Si_(1-x)Ge_x的横向磁阻和迁移率的无接触测量

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固体电子学研究与进展 1999年第1期19卷 92-96页

作者：褚幼令盛篪王昕龚大卫王宗欣复旦大学物理系复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室复旦大学电子工程系

用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺铒（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层，用无接触法测量了它们的横向磁阻，并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。

关键词：无接触测量磁阻霍尔迁移率外延生长硅

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Co/Cu_(92)Mn_8/Co结构中的低场巨磁电阻研究

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物理学报 1999年第S1期48卷 144-150页

作者：王辉曹嵘郑卫民金庆原夏宇兴李富铭祝向荣沈鸿烈金晓峰复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433 上海交通大学应用物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对三明治结构的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ和Ｃｏ／Ｃｕ９２Ｍｎ８／Ｃｏ系列的巨磁电阻效应进行了研究，发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡，但是接近反相．作为与Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ系统的比较，发现若在Ｃｕ基中稀释Ｍｎ原子... 详细信息

对三明治结构的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ和Ｃｏ／Ｃｕ９２Ｍｎ８／Ｃｏ系列的巨磁电阻效应进行了研究，发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡，但是接近反相．作为与Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ系统的比较，发现若在Ｃｕ基中稀释Ｍｎ原子，巨磁电阻随外磁场变化的曲线会有非常大的改变，同时饱和场或开关场也有较大的下降，这意味着有可能为Ｃｏ／Ｃｕ金属多层膜的巨磁电阻的实用化研究开辟出一条新的思路．

关键词：巨磁电阻合金膜国家重点实验室 Co/Cu 金属多层膜开关场矫顽力交换耦合缓冲层第一峰值

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有机薄膜电致发光失效过程的多重分形谱研究

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物理学报 1999年第10期48卷 1911-1916页

作者：王晓平周翔何钧廖良生吴自勤中国科学技术大学物理系合肥230026 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学技术大学天文和应用物理系合肥230026

用多重分形谱描述了荧光显微镜原位观察到的有机薄膜电致发光的失效过程．实验观察表明：有机层／金属电极界面上气泡的产生是电致发光的失效的原因．多重分形谱的分析显示：随薄膜工作时间愈长或工作电压愈高，分形谱的宽度愈窄，表... 详细信息

用多重分形谱描述了荧光显微镜原位观察到的有机薄膜电致发光的失效过程．实验观察表明：有机层／金属电极界面上气泡的产生是电致发光的失效的原因．多重分形谱的分析显示：随薄膜工作时间愈长或工作电压愈高，分形谱的宽度愈窄，表明气泡的数量逐渐增加并愈加均匀地分布在界面上，这一结果和实验观察完全一致，因此多重分形谱可以很好地描述这种失效过程．

关键词：电致发光失效有机薄膜多重分形谱

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