检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2020年第7期69卷 114-120页

作者：朱存远李朝刚方泉汪茂胜彭雪城黄万霞安徽师范大学物理与电子信息学院芜湖241002 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

尽管耦合模理论在过去几十年内已经被广泛研究,但它的理论来源还是困扰着广大研究者.在这里,基于久期微扰理论,将经典弹簧振子模型退化为耦合模理论,并将该理论用于解释音叉耦合的实验现象.研究表明这种方法将耦合模理论中每一项的系数... 详细信息

尽管耦合模理论在过去几十年内已经被广泛研究,但它的理论来源还是困扰着广大研究者.在这里,基于久期微扰理论,将经典弹簧振子模型退化为耦合模理论,并将该理论用于解释音叉耦合的实验现象.研究表明这种方法将耦合模理论中每一项的系数都与经典力学中的相关物理量建立关联,且理论和实验结果符合得很好.该研究为耦合模理论中每一项的来源提供了一种较严谨的推导方法,在线性耦合体系的理论研究方面有一定的指导意义.

关键词：线性耦合体系弹簧振子模型耦合模理论久期微扰理论

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激子复合区厚度对有机磁效应的影响

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物理学报 2013年第6期62卷 404-410页

作者：李东梅王观勇张巧明游胤涛熊祖洪西南大学物理科学与技术学院发光与实时分析教育部重点实验室重庆400715 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

在常规型有机发光二极管的基础上,通过改变发光层tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Ⅲ)(Alq3)厚度,研究了激子复合区厚度对有机发光二极管磁效应的影响.测量了器件在不同温度及偏压下电致发光及注入电流在外加磁场作用下的变化,着重研... 详细信息

在常规型有机发光二极管的基础上,通过改变发光层tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Ⅲ)(Alq3)厚度,研究了激子复合区厚度对有机发光二极管磁效应的影响.测量了器件在不同温度及偏压下电致发光及注入电流在外加磁场作用下的变化,着重研究了低温下的有机磁电导效应和有机磁电致发光效应.实验发现,低温(50K)高磁场(500mT)下,器件表现出随Alq3厚度的减薄,磁电导值由正到负再到正的非单调变化.利用磁场调控的超精细相互作用、磁场抑制的三重态激子-电荷反应以及激子在界面的淬灭效应,对有机磁电导在低温下表现出的现象进行了定性的解释.实验结果表明,通过改变激子复合区的厚度,可以实现对激子浓度的有效调节,进而实现对有机磁电导和磁电致发光效应的调节.该研究进一步丰富了有机磁效应的实验现象,同时提供了一种调控有机磁效应的手段.

关键词：激子复合区激子浓度有机磁电导有机磁电致发光

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多孔硅在液体中的两种电致发光光谱

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物理学报 1997年第6期46卷 1223-1229页

作者：廖良生袁泽亮刘小兵侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭... 详细信息

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭之后出现的白光发射，所需的工作电压很高．由于在酸液中红光猝灭之后，多孔层中形成了一连续的ＳｉＯ２薄层，因此在高电场作用下，热电子注入该薄氧化层。

关键词：多孔硅电致发光光谱液体红光发射白光

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Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 411-414页

作者：朱燕艳徐闰陈圣方泽波薛菲樊永良蒋最敏上海电力学院上海200090 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O... 详细信息

利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.

关键词： Er2O3 异质结晶体生长

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Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 144-147页

作者：杨鸿斌樊永良复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变... 详细信息

利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变弛豫的影响.结果表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的形成和传播,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异.

关键词： SiGe 应变弛豫位错

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自组织SiGe量子环的生长与形貌维持

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 148-150页

作者：李防化蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变.从应变的角度解释了量子环的形成机制.研究发现在350℃以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的维持.从动力学的角度解释了低温下覆盖SiGe量子环时其形貌得到维持的原因.

关键词：量子点量子环 SiGe MBE

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简并基态高分子的极化

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高分子学报 2003年第3期13卷 348-352页

作者：龙德顺陆海云复旦大学物理系理论物理研究中心和应用表面物理国家重点实验室上海200433

在基态非简并 (Non degenerategroundstate ,NDGS)的高分子中 ,非简并的两个态的能量差导致了自陷激子 (Self trappedexciton ,STE)和自陷双激子 (Self trappedbiexciton ,STB) .由于自陷双激子的极化率是负的 ,基态非简并的高分子中能... 详细信息

在基态非简并 (Non degenerategroundstate ,NDGS)的高分子中 ,非简并的两个态的能量差导致了自陷激子 (Self trappedexciton ,STE)和自陷双激子 (Self trappedbiexciton ,STB) .由于自陷双激子的极化率是负的 ,基态非简并的高分子中能产生光致极化反转 (Photoinducedpolarizationreversion ,PPR) .最近 ,合成出具有优良的发光性能的共轭高分子PDPA(双取代聚乙炔 ) ,这是一种具有简并基态的高分子 ,简并态之间没有能量差 ,激发态是孤子反孤子对 (s - s) ,而不是自陷激子和自陷双激子 .本文将证明这种具有简并基态的高分子也能产生负极化和光致极化反转 .

关键词：简并基态高分子极化光激发负极化率激发态光致极化反转

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GeSi/Si集成光对称定向耦合器

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复旦学报（自然科学版） 1999年第4期38卷 405-409页

作者：李宝军复旦大学应用表面物理国家重点实验室

研究了一种适用于光纤通信的Ｓｉ基ＧｅＳｉ集成光波导定向耦合器．基于耦合模理论，对其功率传输特性进行了分析，得到了定向耦合器的耦合间距和耦合长度．其结果表明，在所得到的最佳耦合长度处，这种耦合器可将光从其输入波导一... 详细信息

研究了一种适用于光纤通信的Ｓｉ基ＧｅＳｉ集成光波导定向耦合器．基于耦合模理论，对其功率传输特性进行了分析，得到了定向耦合器的耦合间距和耦合长度．其结果表明，在所得到的最佳耦合长度处，这种耦合器可将光从其输入波导一端１００％地耦合至另一波导并输出．同时得到，当耦合器的耦合长度为１００％耦合长度的一半时，可作为３ｄ

关键词：定向耦合器光波导集成光学锗硅合金硅

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单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移

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物理学报 1994年第2期43卷 289-296页

作者：陆埮蒋家禹龚大为孙恒慧复旦大学物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室

提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移，与常规的多频导纳谱相比，它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Ｓｉ／Ｇｅ＿（０．３３）Ｓｉ＿（０．６７）／Ｓｉ单量子阱进行测试，得到激活能为Ｅ＝０... 详细信息

提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移，与常规的多频导纳谱相比，它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Ｓｉ／Ｇｅ＿（０．３３）Ｓｉ＿（０．６７）／Ｓｉ单量子阱进行测试，得到激活能为Ｅ＝０．２０ｅＶ。为了计算出能带偏移值，必须能准确确定具有单量子阱结构样品中的费密能级位置，由于在单量子阱结构中费密能级的位置与阱材料、垒材料的掺杂浓度、阱的高度（即能带偏移）及温度等几个因素均有关。为此，本文通过解泊松方程，计算出结合本文样品参数的具体单量子阶能带图及费密能级位置。计算结果表明，费密能级位于阱材料的禁带之内，Ｅ＿Ｆ－Ｅ＿（Ｖ１）＝０．０４ｅＶ．由于单量子阱两边的载流子向阱内转移，使阱中平均载流子浓度（２×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３））比掺杂浓度（１×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３））要大一个数量级。并使界面附近阱和垒的能带发生弯曲，其分别为０．００６和０．１１ｅＶ，由此计算出的价带偏移为０．１６ｅＶ。通过理论模拟计算的结果表明，单频导纳谱的方法是切实可行的。

关键词：量子阱能带偏移单频导纳谱法

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离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除

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Journal of Semiconductors 1994年第11期15卷 790-794页

作者：卢学坤侯晓远丁训民王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用．本文采用低能电子衍射、Ｘ光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对ＧａＰ极性表面经Ａｒ离子溅射后的损伤情况进行了研究．主要探讨表面损伤及其消除、表面能带弯曲等问题．

关键词：磷化镓离子溅射极性半导体表面损伤消除

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